IBM收购闪存供应商Texus Memory Systems

（1）栈区（stack）：由编译器自动分配和释放，存放函数的参数值、局部变量的值等，其操作方式类似 于数据结构中的栈。 （2）堆区（heap）：一般由程序员分配和释放，若程序员不释放，程序结束时可能由操作系统回收。分配 方式类似于数据结构中的链表。 （3）全局区（静态区）（static）：全局变量和静态变量的存储是放在一块的，初始化的全局变量和静态 变量在一块区域，未初始化的全局变量和未初始化的静态变量在相邻的另一块区域。程序结束后由系 统自动释放。 （4）文字常量区：常量字符串就是存放在这里的。 （5）程序代码区：存放函数体的二进制代码。 例如： int a=0;

如题，实现过程中发现3额问题,先写下来，待解答： 1、uboot启动后再dnw上打印许多信息，我想改变其中的打印信息或加上自己的打印信息以证明程序运行到何处。修改完后重新编译uboot.bin。 在DNW下执行dnw 50008000 USB下载uboot.bin到内存50008000处， go 50008000，从内存50008000处运行我刚下载的程序，发现我修改的内容并未显示。 重新执行dnw 50008000，nand erase 0 100000，nand write.uboot 50008000 0 100000，后从nand直接启动，发现我修改的内容被打印出来了。 总结：可能的原因：1、程序下载到50008000

O 引言 IDT70V28L(双口RAM)的存取时间大于20ns，PCI9052工作于25MHz，其存取时间要大于双口RAM的存取时间。PCI9052是发起交易的主动者，相当于一个慢速器件访问快速器件，通过可编程器件，可以把PCI9052读写控制信号直接传递给IDT70V28L，完成时序的匹配。 为将PCI9052的局部逻辑转换为双口RAM的读写控制信号和地址信号，本设计采用了可编程器件来实现它们之间的接口逻辑电路。在可编程器件设计中，状态机的设计方法是应用最广泛的设计方法之一。有限状态机是一种简单、结构清晰、设计灵活的方法，它易于建立、理解和维护，特别应用在具有大量状态转移和复杂时序控制的系统中，更显其优势。鉴于其优势，

上周日,内存的价格波动再次引发了外界的关注,国内销量第一的金士顿骇客神条D4-2400飙出779元的新高。 今天,京东上,D4-2133来到829元,D4-2400再次创下799元的新纪录。 京东的问答区已经完全被涨价沦陷,“破千指日可待”“金子做的吗”“这么便宜?一千以下不敢买”。 根据网友的晒单,去年D4-2133条一度刷到了300元以内,双十一是350元左右,如今多花一倍都买不到了,深刻诠释“当年你对我爱搭不理,今天让你高攀不起”。 那么接下来的趋势如何? 此前,韩国IC Insights表示,年底前DRAM还会有40%的暴涨。 据Digitimes报道,DRAMeXchange收集的数据显示,在2018年,DRA

甲骨文全球技术大会ORACLE OPENWORLD，英特尔公司和甲骨文公司宣布，甲骨文将整合英特尔®傲腾™数据中心级持久内存的高性能功能至其下一代Exadata平台——ORACLE Exadata X8M当中。Exadata驱动着Oracle自研数据库、Oracle云应用以及全球大部分大型银行、电信运营商和零售商的高性能数据库基础设施。 Oracle Exadata X8M运行着全球大量任务关键型应用。Exadata是Oracle自研数据库的基础。（图片来源：甲骨文） 英特尔傲腾数据中心级持久内存专为数据中心应用而设计，代表着新一代内存和存储技术。 Oracle Exadata X8M基于业界标准的第二代英特尔®

IBM 新发布的人工智能单元 (AIU) 是其首个片上系统设计。AIU 是一种专用集成电路 (ASIC)，旨在训练和运行需要大规模并行计算的深度学习模型。AIU 比深度学习发展前几年为传统软件应用程序设计的现有 CPU 快得多。IBM 未提供 AIU 的发布日期 IBM Research AI 硬件中心在五年内开发了新的 AIU 芯片。该中心专注于开发下一代芯片和人工智能系统，以每年将人工智能硬件效率提高 2.5 倍，并能够在 2029 年以比 2019 年快一千倍的速度训练和运行人工智能模型。 打开 AIU 的包装 根据IBM 博客，“我们完整的片上系统具有 32 个处理内核并包含 230 亿个晶体管——

S5PV210有两个独立的DRAM控制器，分别是DMC0和DMC1，其中，DMC0最大支持512MByte，DMC1最大支持1GByte，而DMC0和DMC1又同时支持两个片选CS0和CS1。S5PV210的内存模块相比2440和6410来讲要更加复杂一些，要想正确的配置S5PV210的内存，应该仔细阅读芯片手册相关部分，在配置参数时也应该适当的阅读下内存芯片的手册。这部分的寄存器和配置过程比较复杂（但是不难），我只简单的讲一下我配置时遇到的问题。 一 接线原理 我的开发板是TQ210，开发板上有8片128M*8bits的内存芯片，从原理图上可以看到，其中4片并联接在DMC0上，另外四片并联在DMC1上，这里我只贴出一个链接

4 月 7 日消息，据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。 铠侠与西部数据携手开发 NAND 闪存技术，目前这对合作伙伴最先进的产品是 218 层堆叠的 BICS8 3D 闪存。BICS8 闪存可实现 3200MT/s的 I / O 速率。 另一家主要 NAND 企业三星在 2022 年的技术日上提出了类似的观点，当时三星预测到 2030 年实现 1000+ 层堆叠的 3D NAND 闪存。 提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的