2012年Q3 NAND Flash品牌供货商营收排名

发布者:和谐的24号最新更新时间:2012-11-05 来源: 集微网关键字:NAND  Flash 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
    November 2, 2012---虽然2012年第三季初期NAND Flash市场需求受全球经济复苏缓慢的影响而呈现疲弱不振,但东芝7月中宣布减产及9月中苹果发布新的iPhone 5也为市场带来了正面的激励因素,随着第三季后期系统产品OEM客户的备货需求开始回温,NAND Flash市况转为供货偏紧,9月份NAND Flash合约价格也转为止跌回升的状况。根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示,2012年第三季 NAND Flash品牌供货商的ASP较上季小跌3% QoQ,第三季整体NAND Flash品牌供货商的位元出货量较上季成长10% QoQ,故2012年第三季整体NAND Flash品牌供货商营收为46亿2千6百万美元,较上一季成长6.6% QoQ。

依2012年第三季NAND Flash品牌厂商季营收排行来看,三星(Samsung)营收为18亿2千1百万美元,市占率为39.3%,仍维持第一;东芝(Toshiba)营收为12亿1千万美元,市占率26.2%仍排名第二;美光(Micron)为第三名,营收为6亿6千6百万美元,市占率为14.4%;SK海力士(SK Hynix)为第四名,营收5亿3千5百万美元,市占率为11.6%;英特尔(Intel)列名第五,营收为3亿9千5百万美元,市占率为8.5%。



三星电子(Samsung)

第三季三星受惠于智能型手机及平板计算机的新产品上市备货需求回温,第三季位元出货量增加10% QoQ以上,但ASP较上季则约下跌约10% QoQ,故第三季营收较上季小幅增加1.8% QoQ成为18亿2千1百万美元,市占率为39.3%。三星预期第四季将受惠于新的智能移动装置的上市备货需求而呈现供货偏紧的状况,第四季三星将持续提高嵌入式产品及SSD的营业比重,且第四季三星将会持续提高21nm新制程的产出比重,故三星预估其第四季位元出货量将可望较上季成长约25%QoQ以上。 

东芝电子(Toshiba)

虽然东芝在7月中减产约30%的晶圆产能,但第三季受惠于系统产品客户的OEM 订单增加,得以去化前季的过剩库存,且第三季底东芝19nm新制程产出比重也已提高到70%以上,故第三季位元出货量仍有微幅增加,第三季后期在NAND Flash市场转为供需平衡下,ASP也上涨10% QoQ以上,第三季营收较上季成长12.9% QoQ,成为12亿1千万美元,市占率上升为26.2%。第四季东芝也将持续提升19nm新制程技术的产出比重来强化其成本竞争力,虽然东芝预期第四季NAND Flash市场仍将受惠于智能型手机及平板计算机OEM客户的新机型上市备货需求回温,但东芝第四季仍将会维持30%以下的弹性减产策略。

美光科技 (Micron)

美光上一季因持续提高SSD及mSATA产品的营收比重,ASP较前一季下跌 5% QoQ,季位元出货量增加6% QoQ,故上一季营收小幅成长2.8% QoQ成为6亿6千6百万美元,市占率为14.4%。虽然美光预期本季智能型手机,平板计算机及SSD的应用需求仍将持续改善,但预期20nm新制程产出比重在1Q13才会有较明显的提升,故本季的位元产出量仍将与上季约略持平。

SK海力士半导体(SK Hynix)

虽然第三季受到韩圜升值的影响,但SK海力士受惠于智能型手机及平板计算机OEM客户的新增订单及NAND Flash同业减产的效应,季位元出货量增加5% QoQ,但ASP小涨4% QoQ,故第三季营收较上季增加6.4% QoQ,成为5亿3千5百万美元,市占率为11.6%。第三季底SK海力士20nm新制程技术的产出比重已达50%以上,第四季将会持续提高20nm新制程的产出比重,SK海力士预期第四季系统产品OEM客户的备货需求仍然不错,故SK海力士预期其第四季位元出货将较上季成长约15% QoQ以上。

英特尔(Intel)

虽然英特尔第三季持续提高SSD的营收比重,但因受到SSD市场竞争加剧的影响,使得ASP较上一季下跌约15% QoQ,季位元出货量则较上一季成长约40% QoQ,故第三季营收增加约19.7% QoQ ,成为3亿9千5百万美元,市占率为8.5%。第四季英特尔将会持续提高SSD及mSATA的销售比重,以及20nm新制程技术的产出比重。
关键字:NAND  Flash 引用地址:2012年Q3 NAND Flash品牌供货商营收排名

上一篇:DRAM减产效应逐步发酵,标准型内存价格反弹有望
下一篇:NAND芯片第三季度出货统计 三星独领风骚

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 12:27

STM32之SPI_FLASH(实例)
本实例用的是STM32F103VET6平台,它有3个SPI接口(这里使用SPI1),各信号线连接到FLASH(型号:W25X16)的CS,CLK,DO,DIO线,以实现SPI通讯,对FLASH进行读写. (这里采用主模式,全双工通讯,通过查询发送数据寄存器和接收数据寄存器状态确保通讯正常) mian函数: 1#define sFLASH_ID 0xEF3015(前面加个1,免得变大) u32 DeviceID; u32 FlashID; int main(void) { /115200 8-N-1/ USART1_Config(); SPI_FLASH_Init(); DeviceID = SPI_FLASH_ReadDe
[单片机]
美光推出NAND软件解决方案套件
      美光科技有限公司今天推出一套NAND软件解决方案套件,能够帮助手机设计者简化NAND技术的应用开发过程。 NANDcode系列软件解决方案支持Windows Mobile® 6、Linux®、Symbian®等各类主流移动操作系统,这些优化过的解决方案能够充分发挥美光ONFI标准的单层单元(SLC)NAND技术的最大功效和全部特色功能。 除了移动应用之外,NANDcode软件还能与一些采用流行移动操作系统的消费应用相互配合,例如GPS系统。       NAND基本上是如今手机存储介质公认的最佳之选,目前用于存储各类数据——包括启动代码、简单呼叫记录与联系人信息、网页缓存、照片、音乐和其他富媒体内容。 移动设备变得
[网络通信]
2012年三星成中国智能机市场老大 诺基亚跌至第7
    Android已经支配了整个中国的智能手机市场,2012年第四季度Android系统的市场份额达到了86%,而在Android阵营中国市场上的头 把交椅则是三星,这也是三星首次在中国坐上老大的宝座。本周末由市场研究机构Strategy Analytics发布的数据显示,2012年三星在中国的市场份额达到了3倍的增速,在中国售出3006万台智能机,2011年的这一数据为1090万 台,市占率相较2011年的12.4%上升至2012年的17.7%。 三星坐上中国智能机王座的同时,另一位手机行业的巨人诺基亚呈截然相反的趋势飞速下滑,其智能手机的市场占有率从2011年的29.9%降至2012年的3.7%,从第一位骤然跌至第七。 其
[手机便携]
NAND Flash产值上看270亿美元 3D-NAND受瞩
    2013年NAND Flash产业虽然被DRAM产业抢进锋头,但从应用面来看,NAND Flash仍是备受期待,估计2013年全球NAND Flash产值约246亿美元, 2014年更上看270亿美元,尤其未来产业在制程微缩的转折点上,转进3D-NAND Flash技术,可让NAND Flash产业需求更加百花齐放。 NAND Flash产业应用备受期待,根据市调机构TrendForce 指出,2013年NAND Flash产业产值约246亿美元,较2012年成长22%,2014年NAND Flash产业产值上看270亿美元,固态硬碟(SSD)将是主要驱动力道,尤其NAND Flash成本逐年下降,反映制程微缩带来的效应,
[手机便携]
stm32专题二十九:Flash 读写保护
设置Flash的读写保护,其实就是操作内部Flash的选项字节。 选项字节在内部Flash的主存储页之后,由于是Flash,不能像内存RAM一样随意写入。由于Flash的写入特性,只能将 1 写成 0,而如果要确保写入数据的绝对正确,则需要先擦除再写入。如果直接对Flash写入,则只能确保写入 0 值是正确的。 选项字节,可以认为是掉电不会丢失的寄存器(Flash空间)。就是用Flash介质来存储配置,要修改选项字节,跟修改Flash一样。 RDP 读保护字节描述(可以通过j-link或st-link读Flash 加密等): RDP配置方式: 2个数据字节 Data0 Data1 3 设置写保护 RDP
[单片机]
stm32专题二十九:<font color='red'>Flash</font> 读写保护
2012论剑微控制器细分市场
2012年8月21日,2012工业计算机及嵌入式系统展同期系列活动——由创意时代主办的第四届MCU技术创新与嵌入式应用大会(MCU!MCU!2012) 在深圳会展中心2号馆隆重召开。本次大会聚集了ST、飞思卡尔、美国微芯科技、富士通、TI、合泰半导体等业内众多知名厂商就MCU创新技术与应用与众多专业听众一齐分享。此外,还有来自中国软件行业协会嵌入式系统分会、IHS iSuppli、IMS Research、河东电子等多名专家就当前热门应用市场进行了展望与分析。本届大会除了演讲嘉宾的阵容更加强大之外,还特别针对热点市场设立了“IPC/人机界面”、“ 电机控制”、“ 智能家居”三个分论坛,在演讲内容上更具针对性。 性能、能耗、安全,
[单片机]
使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、Nand Flash的方法
1. 简要说明 JLink的调试功能、烧写Flash的功能都很强大,但是对于S3C2410、S3C2440的Flash操作有些麻烦:烧写Nor Flash时需要设置SDRAM,否则速率很慢;烧写Nand Flash只是从理论上能够达到,但是还没有人直接实现这点。 本文使用一个间接的方法来实现对S3C2410、S3C2440开发板的Nor、Nand Flash的烧写。原理为:JLink可以很方便地读写内存、启动程序,那么可以把一个特制的程序下载到开发板上的SDRAM去,并运行它,然后使用这个程序来烧写。 2. 操作步骤 2.1 连接硬件 对于大多数的S3C2410、S3C2440开发板而言,它们所用的JTAG接口一般有3种(
[单片机]
使用JLink间接烧写S3C2410、S3C2440开发板Nor、<font color='red'>Nand</font> <font color='red'>Flash</font>的方法
武汉新芯估2018年量产48层NAND
    红色供应链来势汹汹,外界原本认为,陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地,不过有分析师预测,陆厂研发脚步迅速,可能2018年就能量产3D NAND。 巴伦(Barronˋs)6日报导,美系外资晶片设备分析师Atif Malik称,中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND记忆体的技术授权。2月份,Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示,他们相信2017年底就能取得48层3D NAND的验证,2018年进行量产。 目前只有三星
[手机便携]
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved