NAND合约价 9月恐续跌

发布者:素心轻语最新更新时间:2013-08-20 来源: 工商时报关键字:NAND  合约价 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
    根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,在终端需求持续疲软、及美系厂商季底效应带动下,8月上旬NAND Flash合约价较7月下旬下跌6~8%。由于市场上NAND Flash芯片供应量充足,预估第3季NAND Flash供需情形将转为小幅供过于求,NAND合约价在9月份下跌的机率依旧偏高。

     虽然苹果及三星新款智能型手机及平板计算机即将面市,也开始扩大采购零组件,但NAND Flash芯片市场供给量仍然充足,缺货问题早已获得纾解,因此,集邦认为在需求不振及季底效应下,8月上旬NAND Flash合约价出现续跌6~8%走势。

     市场主流的32Gb MLC芯片合约价在8月上旬降至2.8~3.7美元,64Gb MLC芯片合约价则跌至3.75~5.8美元。至于32Gb TLC芯片的8月上旬合约价虽然7月下旬持平,但64Gb TLC芯片价格仍小跌至3.7~3.8美元间。至于现货价来看,所有品牌芯片上周至今均处于跌势,一周来跌幅已接近10%。

     集邦科技指出,系统客户对于新产品上市后续销售预估转趋保守,使固态硬盘(SSD)与eMMC等OEM产品的备货动能降温,且通路端在记忆卡与优盘销售状况仍未见起色,近期在NAND Flash价格尚未落底以及库存水位偏高下,模块厂采购意愿薄弱。

     另一方面,美系NAND Flash供应商受季底财报结算的影响,开始采取较为积极的价格策略来提升买气,但也给予其它家业者价格下跌的压力。整体来说,需求疲弱不振以及季底效应发酵是造成此次价格下滑的主要原因。

     展望后市,虽然新款智能型手机与平板计算机新机上市潮将带动第3季NAND Flash需求成长,但也因为总体经济环境不确定因素升高,各家业者对于下半年旺季效应看法转为保守,纷纷下修年度出货目标。因此预估第3季NAND Flash供需情形将转为小幅供过于求的市况,所以预期NAND合约价在9月份下跌的机率依旧偏高。

关键字:NAND  合约价 引用地址:NAND合约价 9月恐续跌

上一篇:DIGITIMES:智能机出货前10大 HTC跌出榜外
下一篇:东芝新系列SD存储卡写入速度快

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 13:13

SanDisk拟降NAND价格 将再次引发业界地震
  据台湾SanDisk公司内部人士透露,公司将在本周将其NAND闪存的价格降低10%到15%。   知情人士称,SanDisk公司此次对其NAND闪存制成品的价格调整将在全球范围内同时展开,而不是针对某一地区市场进行。这将是SanDisk公司在今年进行的第四次产品降价,业内观察员指出,每次SanDisk公司对产品价格进行调整都会对整个业界的价格体系造成一定影响。   业内人士预计,Sandisk公司即将进行的产品价格调整可能会在业内引发另一波猛烈的价格战。   尽管三星电子公司在最近召开的投资者大会上指出它不会推迟其NAND闪存应用产品的发布时间,但是目前的NAND闪存市场一直处于萧条阶段,因此市场上仍然广泛流传着高密iP
[焦点新闻]
STM32 USB NAND Flash模拟U盘无法格式化问题的解决
前几天,一直在寻找NAND Flash模拟U盘程序无法格式化的问题。在中秋月圆之夜,还苦逼地在实验室调代码,也许是杭州大圆月的原因,今晚感觉整人特别亢奋,效率也特别高,灵感也多。终于,在不懈的努力下,找到代码中的害群之马,把无法格式的问题解决掉了。下面就来说说。 这几天一直在想问题出在哪里,不知道自己的代码跟官方的例程对照了多少次,把不一样的地方全都改了一遍,最终未果。今晚思路特别清晰,于是在想到格式化实际上就是向存储器写数据而已,而设计到写数据部分的代码就只在mass_mal.c、memory.c以及存储器的驱动文件。于是反复检查这几个文件,终于发现一点端倪了,问题出在memroy.c这个文件里。 memory.c这个文件只有两
[单片机]
S3C2440运行裸机小程序需烧录到NAND Flash
对于韦东山的S3C2440开发板,当运行LED等简单的小程序时,必须烧录到NAND Flash,原因如下: (1)NOR Flash虽然可以向内存一样进行读操作,但不可以像内存一样进行写操作,所以假如要从NOR Flash启动,一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的内存器件(外部RAM),然后将代码复制到外存中,最后跳转到外存中继续执行。(这段初始化代码比较复杂,需要后面再学习)。 (2)S3C2440中有称为“Steppingstone”的4KB内存RAM,当选择从NAND Flash启动CPU时,CPU会通过内部的硬件将NAND Flash开始的4KB字节数据复制到这4KB的内部RAM中(此时内部RAM的起始地址为
[单片机]
美光发布块抽象化NAND闪存产品系列
       美光科技股份有限公司,今日公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存,可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案,使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合,无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。       当前,多数NAND闪存的主控制器的任务是管理关键的NAND功能,例如块管理和损耗均衡算法,以及提供足够的错误校正代码(ECC)覆盖以确保系统稳定性。但是,由于这些功能随着每一代的NAND变得更加先进,设计者必须跟上最新的创新以使他们的芯片组恰当地管理NAND并确保系统运作稳定。       美光的BA NAND使
[嵌入式]
因PC需求激增 DRAM库存下降至新低位
iSuppli表示, DRAM芯片生产商的库存量已下降至20个月来最低水准,因开学季带动个人电脑销售增长。  这家美国研究机构预期本月库存量将持续下降,并在报告中调升短期DRAM市况评等,由原先的“中性”升至“正向”。   iSuppli在9月5日发表的报告中指出,8月初时,DRAM库存为1.92周,较7月的平均水准下降18%,因新学年开始前,PC销售大幅增加。  由于微处理器价格下滑,令PC厂商得以将更多资金花在记忆体芯片上。再者主要芯片生产商已将产能转向生产NAND闪存,导致DRAM出货增长放缓。NAND型快闪记忆体主要用在数码相机和音乐播放器。  iSuppli主要分析师Kim Nam-hyung表示,“随着库存触底,
[焦点新闻]
供应现吃紧 NAND价格短期仍有上涨空间
由于近期一些NAND Flash大厂减产,导致短期内部份业者的供货量明显减少,因此近期有些客户转单至三星(Samsung),NAND Flash现货市场因而出现供应吃紧的现象,激励今天现货价格大涨,集邦科技(DRAMeXchange)表示,NAND Flash价格短期可望还有上扬空间。 根据集邦科技数据显示,2月上旬NAND Flash合约均价大致上涨约0%到10%区间,在现货价格方面,集邦科技表示,由于一些客户转单至三星,且有些客户在农历年后也持续回补所需的库存,市场传出代理商为稳住主要客户订单,有出现控货迹象,且三星也可能因此借机拉抬价格,近期NAND Flash价格持续受到市场消息激励,未来有机会持续反弹。
[焦点新闻]
供应现吃紧 <font color='red'>NAND</font>价格短期仍有上涨空间
长江存储3D NAND好消息频传!32层年底投产、64层明年投产
        集微网消息(文/小北)近日,长江存储好消息频传,继32层3D NAND将于2018年底前投产,又有业内人士透露,Xtacking架构64层NAND已送样至合作伙伴进行测试。长江存储有望在2020年进入128层3D NAND并与国际大厂展开竞争。         今年4月,长江存储武汉基地芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。集微网此前报道已指出,长江存储设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间,然后开始小规模试产,顺利的话,将于四季度进行32层3D NAND闪存芯片的量产。         近期湖北省社科院副院长秦尊文表示,总投资240亿美元的长江存储正加快建设步伐,力
[手机便携]
存储级内存恐将取代 NAND 闪存
存储级内存(SCM)克服了NAND闪存的局限性,因而势必会取而代之。 存储级内存(SCM)这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容,但兼具DRAM的速度,最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。 这是HPE旗下3PAR存储部门副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测。不过他补充道,这需要借以一段时日。 他说:“这不会在一夜之间发生。SCM变得经济上可行只是时间问题,但最终会取而代之。大概10年后吧。” 就每字节成本而言,SCM比闪存贵四倍左右。目前只有两家供应商生产SCM:英特尔和三星。英特尔以Optane品牌来销售,面向企业客户,英特尔的Optane HPE将其用于其存储阵列。 三星的产品
[嵌入式]
存储级内存恐将取代 <font color='red'>NAND</font> 闪存
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved