澜起发布新品支持英特尔新一代Xeon ES-2600 V3系列处理器

发布者:ohp991养生的香菇最新更新时间:2014-04-07 来源: 集微网关键字:澜起  Xeon  ES-2600 手机看文章 扫描二维码
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    中国上海,2014年4月2日 — 专注于为家庭娱乐和云计算市场提供模拟与混合信号半导体解决方案的全球芯片供应商澜起科技集团有限公司(“澜起”)(纳斯达克股票代码:MONT)今天宣布,开始量产DDR4 RDIMM和LRDIMM的内存接口套片,其中包括DDR4寄存器(RCD)芯片和DDR4数据缓冲器(DB)芯片。该套片完全支持英特尔的新一代Xeon ES-2600 V3系列处理器。

澜起的DDR4 RCD和DB套片符合最新的JEDEC DDR4 1.0规范,并且拥有比同类产品更高的性能和更低的功耗。目前,这两颗芯片均已经过英特尔和我们的许多DRAM合作伙伴的严格而广泛的系统测试,可支持高达2133 MT/s的数据速率。这些系统层面的测试是在各种各样终端客户的服务器平台上完成的,测试内容包括温度压力测试和复位/上电循环测试等。

已有的DDR3内存解决方案采用单一的中央芯片来缓冲命令/地址及数据信号,与之相比,采用新型分布式内存架构的DDR4 LRDIMM有着与生俱来的优势。DDR4 LRDIMM系统包括一颗中央寄存器RCD芯片和9颗数据缓冲DB芯片,其中,RCD芯片缓冲命令/地址信号,而9颗DB芯片则分别缓冲各字节通道的数据信号。因此,LRDIMM支持的数据速率比同容量的RDIMM高1到2个级别。由于新一代的DDR4产品支持更高的峰值带宽并且拥有更低的固有延迟,其性能远优于已有的DDR3内存系统。

“英特尔已经和DDR4合作伙伴建立健康的生态系统合作关系,其中包括与澜起等内存接口供应商的密切合作,这使我们能够顺利地推出ES-2600 V3系列处理器,” 英特尔公司的内存开发与应用工程总监Geof Findley先生表示,“内存接口芯片是DDR4内存系统成功的关键要素,很高兴看到澜起在这个领域继续保持领先地位。”

澜起总裁史蒂芬·泰先生表示,“澜起很荣幸成为英特尔的早期合作伙伴,并成功地为我们的DRAM和内存模块厂商提供业界领先的DDR4内存接口解决方案,以满足高性能计算、企业服务器以及云数据领域的需求”。

供货信息
澜起的DDR4套片现在已经开始量产,并且完全支持英特尔未来的ES-2600系列处理器。我们的DDR4寄存器芯片M88DDR4RCD01采用253球Flip-Chip Fine-Pitch BGA封装,目前已量产供货。DDR4数据缓冲器芯片M88DDR4DB01采用53球Flip-Chip Fine-Pitch BGA 封装,目前也已量产,可以批量供货。欲了解更多信息,请联系当地的销售代表或代理商。

关于澜起
澜起科技集团有限公司(“澜起”)是一家全球领先的模拟与混合信号集成电路方案供应商,目前专注于为家庭娱乐和云计算市场提供全方位解决方案。
澜起提供面向服务器和云计算应用的内存接口解决方案,包括DDR3寄存器、DDR3内存缓冲器、DDR4寄存器和DDR4数据缓冲器等。澜起与世界领先的服务器OEM厂商和DRAM制造商密切合作,提供高性能、低功耗的内存接口解决方案,以满足内存密集型服务器的应用需求。
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