NAND产业规模 明年增9%

　　Apple商品不断推陈出新，iPad以及4G iPhone今年格外受到终端消费者瞩目，研究机构集邦科技表示，今年iPhone出货量可达4,000万台，所需NAND Flash 消耗量可占整体NAND Flash需求约9%；由于Apple相关产品销售带动NAND Flash 需求，预期今年下半年NAND Flash市场将呈现小幅吃紧。 　　iPad以及4G iPhone是今年受人瞩目的消费性电子产品，由于数字内容丰富以及电信业者支持，集邦科技预估，今年上半年iPad的出货量170万台，而今年全年的出货量可望达700万台到800万台，同时iPad的NAND Flash消耗量占NAND Flash整体需求约达3%的水准。 　　i

5月12日康宁显示科技湖北武汉10.5代液晶玻璃基板产线正式量产。该工厂毗邻京东方科技集团股份有限公司（BOE）在武汉当地的工厂，为京东方供应10.5代玻璃基板，用于大尺寸显示面板的制造。 康宁显示集团总裁张铮表示这是该公司全球第二家10.5代玻璃基板工厂，投资逾10亿美元，引入康宁最先进的生产技术，是近年来康宁显示科技在华最大的投资项目之一，其中包括熔融下拉制程和后段加工等，旨在助力湖北显示产业和战略客户京东方的发展 康宁显示集团总裁张铮表示：“康宁进入中国市场已经有四十多年了，从整个康宁公司来看，我们在中国大陆已经投资了超过八十亿美元，目前拥有二十一家工厂、办事处、研发中心、技术中心、物流中心及亚洲财务中心。” 目前国内面

  北京是引领中国电子信息产业发展方向的自主创新高地。今后5年，物联网所依托的传感器与传感网产业有望在北京迅猛发展。到2015年，北京该产业的规模将达到2000亿元人民币，收入超过10亿元的龙头企业将超过10家。 　　这是14日北京公布的《传感器与传感网产业技术路线图研究》报告透露的信息。北京市科技信息中心主任胡青华在今天举行的“2011年中关村物联网与ZigBee产业发展国际论坛”上发布了该报告。 　　谈到全球传感器产业的发展现状，胡青华介绍说，全球传感器市场正以年均增长率达5.3%的速度持续稳定发展。2009年，全球传感器市场容量约为530亿美元。其中，加拿大成为传感器市场增长最快的地区，而美国、德国、日本是传感器市场

12月29日，据财联社报道，三星电子今日向客户发函通知，预计NAND产品制造能力可能会受到西安疫情影响，并暂时停止报价，NAND价格上涨的市场氛围持续酝酿。 三星官方今日上午宣布，因疫情原因，将暂时调整中国西安工厂的运营，尽可能保护员工的安全。未来将采取一切必要措施，包括利用自己的全球制造网络，来确保客户不受本次调整的影响。 目前，三星在西安布局以NAND Flash为主，一期月产能约12万片，二期月产能约13万片，共占该公司NAND Flash产能42.3%，全球产能的15.3%。此外三星还在持续加码在西安扩建，其目标是在中国建立96层V-NAND生产基地，但进度受疫情影响而推迟。 业界指出，近期NAND现货价小幅震荡，但跌

    May 8, 2012---2012年第一季NAND Flash市场在全球经济复苏缓慢及中国农历年长假销售不如业者预期情况下，除了少数平板计算机及智能型手机客户的OEM需求较稳定外，多数的系统产品客户及记忆卡与随身碟通路市场客户需求，受淡季效应及消化过剩库存影响，呈现疲弱不振的状况。根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，市场在供过于求情况下，2012年第一季 NAND Flash品牌供货商的ASP较上季大幅下跌约16%，第一季整体NAND Flash品牌供货商的位元出货量较上季成长约16% ，故2012年第一季整体NAND Flash品牌供货商营收为47亿9千1百万美元，较上季减少约2.5%。

    固态硬碟(SSD)市场渗透率将大幅攀升。受惠三层储存(TLC)控制器演算法及3D NAND Flash制程技术突破，SSD无论是储存容量、读写效率及可靠性皆较以往大幅跃进，成本也显着下降，可望加速取代传统硬碟，成为储存市场的新霸主。 储存市场竞争白热化，固态硬碟(SSD)跨入高规低价时代，可望取代传统硬碟、提升其市场渗透率。多家记忆体大厂于台北国际电脑展(Computex)亮相固态硬碟和NAND Flash新品。国际大厂SanDisk更推出两款大容量SSD，以满足云端需求，而台湾厂商宇瞻则祭出具备安全性的NFC SSD，以及电竞SSD。   此外，随着2D NAND Flash发展已届物理极限，快闪记忆体厂商也争相投注心

据BusinessKorea报道，SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。 据介绍，Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口，读取速度最高可达3500 MB/s，写入速度高达3200 MB/s，该款产品是为所有个人电脑用户设计的，特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外，Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验（HTOL）进行测试和验证，平均无故障时间（MTBF）达到150万小时。 该报道称，固态硬盘市场向PCIe N

南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。 Hynix Cheong-ju M11工厂 Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品 将于今年年底上市销售 。Hynix公司虽然不是IBM FishKill半导体技术联盟（主要包括IBM,三星，特许（已被GF收购），GF，意法半导体，飞思卡尔，东芝，英飞凌，NE