三星电子(Samsung Electronics)过去最大获利来源─半导体事业,自2011年第3季起被其另一获利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事业部取代,至3年后的2014年第3季,方因IM事业获利急转直下,供需结构已趋于稳定的半导体事业再度成为三星最大获利来源。
因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温,三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%,达5.32兆韩元(约51.5亿美元),SK海力士(SK Hynix)亦成长7.1%,达3.28兆韩元,皆创下至少2011年以来新高记录,合计韩厂该季DRAM营收达8.59兆韩元,较前季增加14%,较2013年同期则成长28.2%。
NAND Flash方面,两公司合计营收为3.53兆韩元,较前季增加幅度略低于DRAM表现,为10.8%,与2013年同期相较,则略减0.9%,主因在于三星西安厂产能正式开出导致价格持续下跌。
展望第4季,因11月中至12月记忆体出货状况系于2015年1、2月终端需求表现,而1月需求较淡,2月需求热络与否关键为大陆年节购买力道,加上NAND Flash产能增加导致价格下跌压力恐持续,且第3季垫高基期,DIGITIMES Research预估第4季南韩记忆体产业产值与第3季相较恐略衰减。
1Q’10~3Q’14三星半导体与IM事业部营业利益比较
注:IM指 Information technology & Mobile communications,包括手机、网路系统、平板电脑、电脑与相机等。
关键字:存储器 三星最大获利来源
引用地址:存储器再成三星最大获利来源 4Q产值恐较前季衰退
因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温,三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%,达5.32兆韩元(约51.5亿美元),SK海力士(SK Hynix)亦成长7.1%,达3.28兆韩元,皆创下至少2011年以来新高记录,合计韩厂该季DRAM营收达8.59兆韩元,较前季增加14%,较2013年同期则成长28.2%。
NAND Flash方面,两公司合计营收为3.53兆韩元,较前季增加幅度略低于DRAM表现,为10.8%,与2013年同期相较,则略减0.9%,主因在于三星西安厂产能正式开出导致价格持续下跌。
展望第4季,因11月中至12月记忆体出货状况系于2015年1、2月终端需求表现,而1月需求较淡,2月需求热络与否关键为大陆年节购买力道,加上NAND Flash产能增加导致价格下跌压力恐持续,且第3季垫高基期,DIGITIMES Research预估第4季南韩记忆体产业产值与第3季相较恐略衰减。
1Q’10~3Q’14三星半导体与IM事业部营业利益比较
注:IM指 Information technology & Mobile communications,包括手机、网路系统、平板电脑、电脑与相机等。
上一篇:iPhone 6 TLC/MLC闪存性能测试:MLC稳定性更佳
下一篇:苹果变心、东芝掉大单?爱疯6 NAND传改由三星提供
推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 14:27
探访国家存储器基地长江存储项目
——总书记视察湖北武汉后本报再访四大国家新基地·芯片篇 5月14日,国家存储器基地项目(一期)一号芯片生产厂房内,工人正在安装线缆 记者高勇 摄 国家存储器基地长江存储生产的3D NAND Flash晶圆 记者高勇 摄 国家存储器基地长江存储生产的中国首颗自主研发32层三维闪存芯片 记者高勇 摄 国家存储器基地项目(一期)一号芯片生产厂房蓝图 记者高勇 摄 这是最接近世界一流的汉产芯片 完全靠自己铸就的国之重器 5月14日,国家存储器基地(一期)1号厂房,工人正有条不紊地搬入芯片生产机台,安装调试,近3000台设备将组成智能化芯片生产工厂。 此前,中
[半导体设计/制造]
存储器价格回温 2016年IC市场可望成长1%
IC Insights将2016年全球半导体市场营收成长率预测由原先的-2%提升为1%。 市场研究机构IC Insights的最新报告将对2016年全球半导体市场营收的成长率预测,由原先的-2%提升为1%;此外该机构预测,2016年全球IC出货量成长率将在4~6%之间。IC Insights调升半导体市场成长率的很大一部分原因,来自于DRAM市场的强劲表现。 IC Insights指出,自2002年以来,全球IC市场在第三季平均季成长率为8%,但去年第三季市场成长率仅成长约1%左右;2016年第三季的IC市场成长率则出现了略为高于过去十五年平均值的9%。此外该机构预期,2016年第四季IC市场成长率为1%,整体市场规模可达到76
[半导体设计/制造]
为ASIC和SoC选择最优嵌入式存储器IP
在传统的大规模ASIC和SoC设计中,芯片的物理空间大致可分为以下三部分: 1.用于新的定制逻辑 2.用于可复用逻辑(第三方IP或传统的内部IP) 3.用于嵌入式存储 如图1所示,当各厂商为芯片产品的市场差异化(用于802.11n的无线DSP+RF、蓝牙和其他新兴无线标准)而继续开发各自独有的自定义模块,第三方IP(USB核、以太网核以及CPU/微控制器核)占用的芯片空间几乎一成未变时,嵌入式存储器所占比例却显着上升。 图1:当前的ASIC和SoC设计中,嵌入式存储器在总可用芯片空间中所占比例逐渐升高 Semico Research 2013年发布的数据显示,大多数SoC和ASIC设计中,各式嵌入式存储器占用的芯片空间已
[电源管理]
单片机接口分析与存储器扩展
TMS320F2812是德州仪器(TI)公司专门为工业应用而设计的新一代DSP处理器,它的性能大大优于当前广泛使用的TMS320LF240x系列。该芯片为32位定点DSP,最高主频150 MHz,最小指令周期6.67 ns,外部采用低频时钟,通过片内锁相环倍频;相对于TMS320LF2407只能寻址192 KB地址空间,该芯片的外部接口最多可寻址4 MB的空间;有3个独立的片选信号,并且读/写时序可编程,兼容不同速率的外设扩展;通过配置外部接口寄存器,在访问外部设备时不必额外增加延时等待,既提高了程序的实时性又减少了代码量。因此,灵活掌握和使用外部接口,对于DSP系统开发有很大帮助。本文结合实际系统,分析TMS320F2812外
[单片机]
存储器技术:用创新积极应对产业风暴
Semiconductor Insights最新分析报告指出,储存市场已经开始进行创新以应对这场经济风暴。报告中提到了 Hynix、 SanDisk和 Toshiba开发的3-bit和4-bit存储单元。据称,采用3-bit和4-bit存储的创新技术,并结合高级的40nm和30nm工艺, NAND闪存的晶圆利用率已经提升到超过250Mbit/mm2。不久前,2-bit多层单元(MLC)设计结合50nm到40nm工艺的设计让晶圆利用率达到了100到150Mbits/mm2。 NAND制造商已经出现了架构上的分歧。SanDisk和Toshiba的设计采用全数据线all-bit line(ABL)架构,他们在去年开始推这一
[半导体设计/制造]
51单片机访问大容量存储器的实现
1 引言 MCS-51系列单片机有着优越的性价比,因此应用面宽,使用量也非常大;然而它只有16位地址线,最大能访问的存储空间为64K,且扩展接口与存储器统一编址,扩展接口会占用大量的地址空间,致使该系列单片机在数据量大的数据采集系统中,存储空间明显不足。 笔者最近在开发一数据采集系统时,经分析、探索,找到了解决的办法。 2 使用大容量存储器的原理 2.1 使扩展接口不占用单片机的存储地址空间 由于MCS-51单片机的扩展接口与存储器统一编址,采用常规的方法扩展接口时会占用大量的地址空间,而多数应用系统均会要求扩展接口(本例有七段LED的段输出口、位输出口、键盘口各一个),为此,使扩展接口不占用单片机的存储地址空间对于要
[单片机]
美光科技任命Sanjay Mehrotra为总裁兼首席执行官
2017年4月27日: 美光科技 有限公司今日宣布董事会任命 Sanjay Mehrotra 为公司总裁兼首席执行官,同时他也将成为董事会成员,此决定自 2017 年 5 月 8 日起生效。作为下一代计算架构的关键推动因素的 存储器 、存储科技和解决方案,眼下的机会正日益增多,Mehrotra 于此时作为 Mark Durcan 的继任者加入美光。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 将于2017年5月8日上任的 美光科技 新总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra “Sanjay 往绩卓著,对 存储器 和存储行业有出众的认知。”董事会主席兼“首席执行官遴选委员会”成员 Robert E. Sw
[手机便携]
基于SST89C54/58的单片机仿真器的设计
1 概 述 SST89C54/58(简称89C54/58)是美国SST公司推出的多用途51系列单片机,片内集成了20 kB/36 kB的SuperFlashE'PROM程序存储器,分为BLOCK0(16kB/32kB)和BLOCKl(4kB)两块。其中,BLOCKl可以映射(Mapping)到64kB存储空间的最高端或最低端,而且,对于程序计数器来说可以是不可见的。由于其存储结构上独特的优点,使得89C54/58非常适合于用做单片机仿真器。 2 SST89C54/58的程序存储结构 2.1 存储器结构 89C54/58片内的存储块BLOCK0占据从0000H到3FFFH/7FFFH的存储空间,BLOCKl占据从F0
[单片机]
小广播
热门活动
换一批
更多
最新手机便携文章
- 消息称苹果、三星超薄高密度电池均开发失败,iPhone 17 Air、Galaxy S25 Slim手机“变厚”
- 美光亮相2024年进博会,持续深耕中国市场,引领可持续发展
- Qorvo:创新技术引领下一代移动产业
- BOE独供努比亚和红魔旗舰新品 全新一代屏下显示技术引领行业迈入真全面屏时代
- OPPO与香港理工大学续约合作 升级创新研究中心,拓展AI影像新边界
- 古尔曼:Vision Pro 将升级芯片,苹果还考虑推出与 iPhone 连接的眼镜
- 汇顶助力,一加13新十年首款旗舰全方位实现“样样超Pro”
- 汇顶科技助力iQOO 13打造电竞性能旗舰新体验
- BOE(京东方)全新一代发光器件赋能iQOO 13 全面引领柔性显示行业性能新高度
更多精选电路图
更多热门文章
更多每日新闻
更多往期活动
11月14日历史上的今天
厂商技术中心
随便看看