三星支出爆炸致内存产能过剩

集微网消息，三星的最近两年资本支出为468亿美元，几乎与英特尔和台积电近两年合起来的484亿美元资本支出一致。

IC Insights在本月早些时候发布的2018年11月更新版McCleanReports2018中，修正了对半导体行业总资本支出的预测，并公布了对单个公司半导体资本支出的预测。

预计三星将在2018年再次拥有所有IC供应商的最大资本支出预算。在2017年为半导体资本支出投入242亿美元后，IC Insights预测三星的支出将略微下滑，但今年仍将保持在的226亿美元的强劲水平。如果达到这个数额，三星的两年半导体资本支出将达到惊人的468亿美元。

如图所示，从2010年开始，三星的半导体资本支出就超过了100亿美元。到2016年为止，平均每年为120亿美元。然而，继2016年支出仅113亿美元后，三星2017年的半导体资本支出预算增加了一倍以上，达到了惊人的242亿美元。今年也继续保持着令人惊叹的资本支出。

IC Insights认为，三星近两年的大规模支出将在未来产生深远的影响。已经造成的影响是3D NAND闪存市场的产能过剩。这种产能过剩的情况不仅归因于三星对3D NAND闪存的巨额支出，还来自竞争对手（例如SK海力士，美光，东芝，英特尔等）的资本投入，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的步伐。

随着DRAM和NAND闪存市场在2018年前三季度出现强劲增长，SK海力士今年的资本支出也增加。在今年第一季度，SK海力士曾表示，计划今年将其资本支出增加“至少30％”。在11月的更新中，IC Insights则预测SK海力士的半导体资本支出将增长58％。

SK海力士今年增加的资本支出主要集中在两个大型内存晶圆厂，韩国清州的3D NAND闪存晶圆厂，以及中国无锡大型DRAM晶圆厂的扩建。清州工厂将在今年年底完工，无锡工厂也比原始的2019年初开始日期提早几个月，将在今年年底完成，

IC Insights预计，今年半导体行业的资本支出总额将增长15％至1071亿美元，这是半导体行业首次实现年度行业资本支出超过1000亿美元。继今年全行业增长之后，预计2019年的半导体资本支出将下降12％。

鉴于目前内存市场的疲软预计至少会延续到明年上半年，2019年，三大内存供应商三星、SK海力士和美光的总资本支出预计将从今年的454亿美元下降至375亿美元，降幅达到了17％。

总体而言，预计今年占半导体行业总支出的66％的前五大IC供应商预计将在2019年削减14％的资本支出，而其余的半导体行业公司将下降7％。