传英伟达未来将采用三星7nm工艺

集微网消息，据日媒报道，在IBM之后，英伟达也将成为三星7nm EUV制程工艺的客户，采用其工艺的显卡将于2020年上市。

此前有消息称三星代工业务的高管表示7nm EUV工艺代工的HPC芯片中就有GPU。

去年年底，IBM宣布，将与三星代工一起合作开发下一代高性能Power系列、Z系列和LinuxONE微处理器，同时双方的合作还将扩展到下一个十年。IBM下一代的Power10计划在2020年至2021年推出，采用三星7nm EUV工艺。

而三星方面，原计划将于今年推出7nm工艺。在去年十月份，该公司提前7LPP已进入风险试产阶段，预计将在2019年全面量产。

三星7nm LPP采用EUV光刻，采用ASML型号为双工件台NXE:3400B（光源功率280W），日产能1500片。此次三星电子的7nm LPP工艺相比上一代10nm FinFET的面积减少了40%，性能提升20%，耗电减少50%，光学掩模流程也减少了20%，因此，采用7nm工艺的客户可以减轻设计和费用方面的负担。

除此之外，三星电子首次将EUV技术应用于7LPP工艺，以此为始正式推进7nm工艺的商业化，也为实现3nm芯片级别的精细加工工艺打下了基础。

三星表示这个型号的光刻机已经稳定使用超过六个月了，位于韩国华城市的S3厂EUV产线已初步投产，将于2019年底完成，计划于2020年全面量产。

但也有其他外媒指出，英伟达采用三星7nm工艺在技术上可行，但真的采用的话会变得太昂贵，因此英伟达继续选择台积电的可能性比较高。