三星S8要搭载光学指纹识别？屏幕也自带了黑科技

    10月6日消息，在经过了这些年的研发之后，柔性屏幕智能手机可能很快要和我们正式见面了。据传三星将在本月带来一款采用柔性显示屏的智能手机，且他们的官员也确认了这方面的计划。 　　日前，一篇最新的报道曝光了这款智能手机的配置参数。据称，三星的这款手机将配备4.7英寸1280x720分辨率显示屏，双核处理器，2GB内存，800万像素摄像头，双LED闪光灯。 　　此外，这款手机将会搭载Android 4.3操作系统，但电池容量方面还尚不清楚。 　　但是，上述消息并未得到官方证实，也没有可靠的消息来源，所以其真实性令人怀疑。（Eskimo）

新浪数码讯 9月10日上午消息，昨晚，三星电子召开了三星Galaxy Z Fold2 5G中国新品发布会。在此次发布会上，三星电子别出心裁地邀请了国际钢琴大师李云迪、当代艺术家张鼎以及职业赛车手刘泽煊出席，通过三个独立的篇章表达Galaxy Z Fold2 5G产品特性。 　　在发布会上，三星电子也正式公布了三星Galaxy Z Fold2 5G国行版的售价，即日起开启预约，9月25日国内正式上市。 三星Galaxy Z Fold2 Thom Browne限量版也于9月9日同步开启预约。 　　“三星一直站在创新的前沿，我们非常自豪可以成为科技行业的引领者，”三星电子大中华区总裁崔胜植表示：“我们不仅开创了移动智能终端的新

2 月 23 日消息，据韩媒报道，三星电子于上季度清空了所持的剩余 ASML 股份。韩国半导体巨头对光刻机领军企业十余年的投资取得了丰厚的回报。 根据韩联社掌握到的审计报告，三星在 2023 年 10-12 月卖出了最后剩余的 0.4% 的 ASML 股票，总计 1580407 股。依照披露的交易价格计算，三星电子此次回笼约 1.2 万亿韩元（当前约 65.04 亿元人民币）资金。 作为光刻机合作的一部分，三星电子于 2012 年以约 7000 亿韩元（现约 37.94 亿元人民币）的价格购买了 3% 的 ASML 股份。三星已于 2016 年出售了一半持股，收回了约 6000 亿韩元的投资成本。 从 2023 年第二季度开始，三

台积电与韩国三星电子间的晶圆代工战火愈来愈激烈！台积电今年以高速运算(HPC)业务为主要成长动能，其中尤以虚拟货币挖矿需求最为火爆；三星除了先前传出接获俄、中两家挖矿硬件公司订单外，又传跨海来台找上联电集团旗下的智原合作，扩大挖矿芯片客户来源，积极争抢挖矿财。 根据估计，虚拟货币相关的HPC业务贡献台积电单季营收逾3.5亿美元，今年更是取代智能手机成为主要成长动力来源。台积电先前在法说会看好今年HPC营收占比，将由去年的20%进一步提升至25%，外界预估成长幅度约有4成水准，来自挖矿机大厂比特大陆(BITMAIN)的肥单是重要关键。 虚拟货币挖矿抢抢滚，在晶圆代工业务急需客户的三星也动作频频，去年底传出接获俄罗斯比特币挖矿

   　近日华为一款疑为配备指纹识别的新机出现在了工信部网站上，型号为“RIO CL00”，或为华为本月30日将发布的新品麦芒4。 机身正面及背面（图片引自tenna） 机身侧面（图片引自tenna） 　　目 前工信部关于该机的详细配置还没有曝光，不过从图片中我们也可以读出一些重要信息。首先屏幕正面使用了“ID无边框”设计，正面上方为前置摄像头、光线感 应器及听筒，底部为“HUAWEI”Logo，没有实体按键。机身背部采用三段式设计，主摄像头位于顶部中间位置，左侧为双色温补光灯，下方为指纹识别传 感器。机身右侧是电源键及音量控制键，左侧为SIM卡插槽。 7月30日将发布华为麦芒4（图片引自新浪微博）   　　编辑

据外媒GSMARENA报道，三星的下一代Android翻盖手机W2019，目前代号为“Project Lykan”，将首次搭载后置双摄像头。 ▲三星W2018 　　报道称，三星W2019的后置双摄很可能跟三星Galaxy S9 +的相同，预计在Galaxy Note9中也会使用相同的配置，其主摄像头为1200万像素传感器，光圈可在f / 1.5和f / 2.4之间变化，副摄像头为1200万像素长焦摄像头，f / 2.4光圈。 　　三星W系列手机定位商务旗舰，均采用翻盖设计，售价过万元，三星Galaxy W2018于去年12月1日在中国市场首发，预计W2019也会在类似的时间段发布，会比Galaxy S10和S10 +提前几个月

三星电机近日发布公告，宣布成功研发出适用于16伏高压配置车辆的多层陶瓷电容器（MLCC）。MLCC是一种用于控制电子产品电路中恒定电流的元件，广泛应用于智能手机、个人电脑、家用电器、5G设备和物联网设备。随着各种先进技术的引入，MLCC在汽车领域的使用量也在不断增加。 三星电机解释称，他们已经成功将关键原材料介电陶瓷粉末微型化到纳米级水平，并实现了高容量。通过最小化电介质内的空隙，这种多层陶瓷电容器能够在高电压下正常运行。三星电机展示了两款型号的多层陶瓷电容器。其中一种是0603尺寸，支持100纳法拉（nF）容量，尺寸为宽0.6毫米，高0.3毫米。另一种是1608尺寸，支持4.7微法拉（uF）容量，尺寸为宽1.6毫米，高

4 月 19 日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于 HBM 内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将 TC-NCF 工艺用于 16 层 HBM4 内存的生产。 TC-NCF 是一种有凸块的传统多层 DRAM 间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用 TC-NCF 生产相同层数的 HBM 内存会相对更厚。 三星表示，其前不久成功采用 TC-NCF 键合工艺推出了 12 层堆叠的 36GB HBM3E 内存。在该内存生产过程中，三星针对发热进行了结构优化，保证高堆叠层数下 HBM 的可靠性。 除继续使用 TC-NCF 键合外，根据此前报道，未来三星在 HBM4 内存生产中也会应用混合键