以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本，但制程愈趋于先进，研发难度提高，投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术创新开拓全球市场。
据韩媒每日经济报导，SK海力士计划在2017年下半提高10纳米级DRAM生产比例，并持续增加14纳米NAND Flash产量，以取得更具优势的成本竞争力，提高事业获利性。
SK海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。
资通讯技术发达带动存储器需求成长，移动装置用DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加，用于大数据及云端资料中心的服务器DRAM、固态硬碟(SSD)需求激增，人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。
2017年1月SK海力士推出LPDDR4X，是全球最高容量的超低功耗移动装置DRAM；4月开发出超高速绘图DRAM Graphics DDR6(GDDR6)，可作为AI、虚拟实境(VR)、自驾车、4K以上高像素显示器的存储器解决方案。
在NAND Flash部分，2017年SK海力士成功开发72层3D NAND Flash之后，已在7月启动量产，比原本48层产品生产力提高30%，芯片内部运作速度提高两倍，读写性能提高20%，并且推出搭载自主研发控制器的移动装置用eMMC产品及PCI介面固态硬碟，以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解决方案强化事业竞争力。
SK海力士为了取得控制器技术，2012年购并美国Link A Media Devices与义大利Ideaflash S.r.l.，2013年购并台厂银灿科技控制器事业部，2014年购并Softeq Development FLLC。2012年在韩国京畿道盆唐成立Flash解决方案设计中心，2013年在韩国科学技术院(KAIST)校园内成立储存媒体解决方案中心。
在相关投资方面，2016年SK海力士执行6.29兆韩元(约56亿美元)投资计划，2017年投资规模上看7兆韩元，并且计划在2019年6月底前投资2.2兆韩元于清州兴建NAND Flash工厂。研发经费投入2016年为2.10兆韩元，占营收12.2%。
SK海力士表示，在变化多端的半导体市场与竞争结构中，唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力，才能维持市场领导地位。
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SK海力士今年投资规模上看62亿美元 致力于技术提升
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