IC Insights的报告显示,DRAM及NANDFlash售价已经连续四个季度上涨。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。
不过因为原厂纷纷提出扩产计划,IC Insights稍早忧心忡忡认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND Flash产能,大陆还有新建厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。
近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产,让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前画下句点。
SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。 这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年,如今将提早至明年第4季,比预定时间提早半年。
虽然SK海力士强调这是投资只要用于技术升级,即使新厂落成,也不会造成整体内存暴增,估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%,不会造成内存供过于求,不过业界担心内存乌云将提前飘至。
以上是关于手机便携中-ICinsights:DRAM、NAND售价已暴涨一年的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。
关键字:DRAM NAND
引用地址:
ICinsights:DRAM、NAND售价已暴涨一年
推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 16:57
Kilopass凭借其革命性的VLT技术改变DRAM产业格局
中国北京 2016年10月11日 半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术,进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证,目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术,并正与DRAM制造商进行许可协商。 Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名,我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新, Kilopass首席执行官Charlie Cheng说道。 我们的VLT技
[嵌入式]
服务器、人工智能、自动驾驶将继续推动DRAM涨势
电子网综合报道,美光公布了2018财年(2017年9月1日起)一季度财报,一季度截至11月底营收68亿美元,年增71%(季增10.8%)。毛利率从50.7%提升至55.1%,主要拜DRAM与NAND闪存储器价格上涨之赐。据美光CEO Sanjay Mehrotra表示,包含移动、服务器与SSD硬盘应用的营收季增率均达两位数。二季度营收预计将达到68~72亿美元。 Sanjay Mehrotra在接受采访时表示,服务器市场仍将是未来数年的最大成长来源。此外,目前规模不大的无人驾驶将会是额外的快速成长领域、与来自云端的强劲需求形成互补。对于近来关于DRAM产业周期循环本质是否已改变的疑问,他表示当前需求的驱动力包括数据中心、云端运
[半导体设计/制造]
三星电子2018年获利大看好?为什么呢
在OLED面板竞争者量产进度不断递延,加上Flash、DRAM报价因市场寡占结构确立,后续易涨难跌格局难变,三星电子(Samsung Electronics)2017年第2季获利以逾136亿美元首度超前苹果(Apple)的财报内容,未来一段时间内恐成常态,台湾半导体业者指出,以2018年全球OLED面板市场仍然供不应求盛况,三星电子独享逾90%市占率的独霸结构不变,加上全球DRAM市场供给增加明显有限,2018年报价走势仍然持续看涨不看跌,哪怕Flash报价有比较多杂音,但三星电子还是可以持盈保泰的竞争力,将让三星电子2018年获利表现往上膨胀到一个最新的恐怖境界,在全球科技产业竞争向来有人是英雄、钱是胆的惯例下,哪怕三星电子短期
[手机便携]
SK hynix 3D NAND技术正在加速进化
作为全球最主要的NAND闪存公司之一,SK海力士是最后一家开发3D NAND闪存技术的公司,但公司迅速赶上了潮流,因此能够在2018年将其技术能力提升到与顶级集团相同的水平。在2019年夏季,他们更是达到了可以被称为最先进的水平,并成为3D NAND闪存开发的推动力。 SK hynix的3D NAND闪存开发的特点之一是陆续引入了新的基本技术。Tech Insights 的Choe在一次演讲中展示了一张由SK hynix开发的3D NAND闪存的硅芯片上切出的存储单元阵列的照片,以及用电子显微镜观察的横截面结构。 从2015年到2019年,SK Hynix开发了四种类型的存储单元阵列。2015年至2016年开发的首
[嵌入式]
合约价涨 三星扩产抢占海力士DRAM
DRAM短缺,合约价格持续上扬,市场研究机构TrendForce指出,主流模组4GB10月价格较9月成长6.25%,预计在下旬合约价公佈后,现货与合约颗粒价格将更为贴近。而SK海力士火灾过后,韩商三星半导体藉扩张产能欲夺回PC-DRAM市场主导地位,2家韩商已打起PC-DRAM市占率的争夺保卫战。 市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示,受到SK海力士火灾影响,供给面出现短缺使得合约价格持续上扬,主流模组4GB最高价格已经站上34美元,与9月相较成长6.25%,换算4Gb颗粒价格后单颗颗粒最高为3.94美元,已经逼近4美元大关,与当前现货价格4Gb颗粒最高价4.25美元尚有约8
[嵌入式]
2024年车用DRAM位元消耗量将占整体DRAM 3%以上
TrendForce集邦咨询指出,车用DRAM相关应用目前分为四大领域,包含车载信息娱乐系统 (Infotainment)、先进驾驶辅助系统(ADAS)、车载信息系统(Telematics)、数位仪表板(D-cluster)。 然而,现下市售车款DRAM消耗量仍低,仅车载信息娱乐系统使用量最高,且该项目相对ADAS系统来说,进入的门槛较不受车辆安全或现行法规所限制,因此吸引不少半导体与存储器厂抢进。 TrendForce集邦咨询预期,至2024年除了车载信息娱乐系统仍是车用DRAM消耗的主要应用外,另随着自驾等级的提升,车用DRAM位元消耗量将占整体DRAM位元消耗量3%以上,其后续潜力不容小觑。 TrendForce
[汽车电子]
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,号称层数业内最多
10 月 19 日消息,三星是全球最大的 NAND 闪存供应商,对其 V-NAND(即三星称之为的 3D NAND)的发展有着宏大的计划,本周三星分享了一些相关信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。 “第九代 V-NAND 基于双层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中写道。 8 月份就有消息称,三星正在研发拥有超过 300 层的第九代 V-NAND,将继续采用三星在 2020 年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其 3D NAND 的有效层数将超过
[半导体设计/制造]
06-S3C2440学习之移植2012u-boot到S3C2440(移植过程二)支持NAND启动
说明: 原来的代码在链接时加了 -pie 选项, 使得u-boot.bin里多了 *(.rel*) , *(.dynsym) (*(.rel*) , *(.dynsym)这些地址信息用于实现UBOOT可以被拷贝到任何地方,更新地址信息),但使得程序非常大,结构复杂,不利于从NAND启动(重定位之前的启动代码应该少于4K)。所提去掉了pie功能。 (1)使用一下之前写的init.c 拷贝到2440单板下: 修改init内容为: /* NAND FLASH控制器 */ #define NFCONF (*((volatile unsigned long *)0x4E000000)) #define
[单片机]