破1000亿美元！2018年半导体资本支出创纪录

集微网消息（编译/Aki），IC Insights最新发布的报告将2018年全球半导体资本支出从8%上调到14%。

IC Insights最新公布了2018年5月的半导体市场报告。这份报告包含了全球前25位的半导体供应商、2018年第一季度IC市场分析，以及对于2018年的半导体资本支出预测。

总体而言，此次IC Insights公布的半导体资本支出情况比3月份发布的版本预测更加乐观。

在3月发布的报告中，IC Insights预测今年全球半导体支出将增长8%。但是，正如图一中所示，IC Insights将2018年的资本支出提高了六个百分点，为14%。

图一

如果此次IC Insights的预测成真，那么2018年全球半导体资本支出会比2016年增长53%，并首次冲破1000亿美元大关。

其中，尽管三星表示目前为止还没有全年的资本支出预测，同时三星也表示，2018年的半导体资本支出将会少于2017年的242亿美元。

但是，截至2018年第一季度，三星半导体部门的支出已经达到了67亿2000万美元，比其前三季度的平均水平略高，也几乎是2016年第一季度资本支出的四倍。

在过去四个季度，三星的资本支出达到了266亿美元，这真的很难让人相信其2018年的资本支出不会超过242亿美元。

IC Insights预计三星今年的半导体资本支出将会达到200亿美元，比去年的242亿美元要少。但是，考虑到今年半导体支出的强劲增长，超过这一数字的可能性非常大。

此外，随着DRAM和NAND闪存市场发展迅猛，SK 海力士预计今年的资本支出为115亿美元，比2017年的81亿美元，增长了42%。SK 海力士的主要支出，主要用于韩国清州的两个内存工厂，以及位于中国无锡的DRAM工厂的扩产计划。

据了解，SK 海力士的韩国清州工厂将会在今年年底开始兴建，无锡工厂也会比预计的2019年年初提前几个月开始兴建。