存储器芯片与智能手机市况低迷影响,三星电子5日预估,第2季营业利益将比去年同期下滑逾50%。不过,因为存储器大厂东芝旗下厂区发生停电影响,加上相关存储器厂商亏损已久,手机品牌厂下半年推出新手机等因素,包括三星在内的NAND Flash原厂反而乘势喊涨。
三星电子5日发布初估财报指出,上季营业利益将年减56.3%至6.5兆韩元(56亿美元),营收下滑4.2%至56兆韩元,都略高于市场预期,主要是受到显示器部门一次性收益的提振,三星未进一步说明。
分析师原本认为,美国管制华为可能导致DRAM与NAND快闪存储器芯片价格受累,日本管制对韩国的高科技原料出口也延后三星的获利时间。
不过近期有模组业者表示,最近正在谈定第3季合约价,因三星、西数(WD)等业者带头喊涨,最近NAND Flash价格会先涨一小波,包括2D与3D NAND Flash价格都将走升,带动合约价也走扬。市场预期,若NAND Flash价格走势翻转,对于威刚、群联、创见、宇瞻等厂商下半年业绩将有助益。
NAND Flash因供过于求,价格走跌许久,即使第3季是传统旺季,业界也不敢断言一定有旺季效应。据了解,NAND Flash价格止跌转涨的态势大致从6月中开始酝酿,部分模组业者评估,这波涨幅有机会达一成左右,可涨回原厂成本以上。
有模组业者透露,先前把库存水位压低到一个月以下之后,因为消费性产品销售模式较为快进快出,接下来将先提高一些相关应用的存储器库存,包括DRAM与NAND Flash。
有模组厂认为,原厂会涨价,但库存情况影响后续涨势能否持续。若其他竞争对手为了抢生意可能不涨价,价格调涨策略就会面临考验。另外,下游厂商看需求面目前无法十分乐观,不敢大量备货,这波短期涨势会延续多久仍难说。NAND Flash现货价仍低于合约价,向下态势还没全面扭转。
观察家认为,DRAM与NAND快闪存储器芯片供应过剩,将持续拖累三星的获利能力,预期此困境将持续到下半年。部分分析师则预期,三星的显示器销售将攀增,因为有更多智能手机采用三星的OLED面板。
关键字:NAND
引用地址:
受东芝停电影响 三星、西数喊涨NAND
推荐阅读最新更新时间:2024-11-02 12:12
S3C2440 nand sdram启动时代码的运行转移过程
在reset期间,S3C2440 Nand Flash控制器通过和nand flash相连的管脚pin的状态获得信息(NCON,GPG13,GPG14,GPG15).启动电源或者系统复位后,NAND Flash控制器 会自动的下载4Kboot loader代码,下载了的boot loader 代码之后就在setppingstone 开始执行了。 S3C2440的boot code能够在外部的nand flash内存中执行。为了支持nand flash 的boot 引导,S3C2440有一个内部的SDRAM缓存称为“Steppingstone”,当booting的时候,Nand Flash的首4kbyte会被导入到Stepping
[单片机]
一图看懂中国三大存储器势力NAND、DRAM布局
中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出,目前状况到底如何? 中国半导体发展风起云涌,购并、建厂消息不断,在市场、国家安全等考量下,存储器更是中国重点发展项目,成为多方人马竞逐的主战场。中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出,目前状况到底如何?研究机构集邦科技 TrendForce 做了图表简单解析。
[安防电子]
三星每年提高一倍代工芯片产能 目标直指台积电
据报道,为了更加快速的追赶 台积电 ,三星计划将以后每年的代工芯片产能提高一倍直至达到 台积电 的规模。 根据iSuppli的统计,去年全球 芯片代工 市场的产值为190亿美元,而 台积电 独自占据了其中的100亿美元。 三星是全球第二大芯片制造商,在 DRAM 内存和 NAND 闪存市场处于领先地位,但是他们在代工市场的收入却只有可怜的几亿美元。三星发言人近日表示,三星已经决定扩大其代工产能,目标直指 台积电 。 三星目前在韩国器兴(Giheung)有一座占地350英亩的晶圆厂,专门用于代工业务。三星一直强调,自己的代工业务有别于其他IDM的产能填充(fab-filler)模式。根据先前报道,三星在2008年从联
[半导体设计/制造]
NOR Flash行业趋势解读:供不应求或成常态 大陆存储雄心勃勃
这个时间点我们讨论NorFlash行业趋势与全年景气度,一方面是Nor厂商二季度业绩即将公布,而相关公司一季度业绩没有充分反映行业变化;另一方面是相关标的与行业基本面也出现了变化(如Switch超预期大卖以及兆易创新收到证监会反馈意见等),同时我们调高AMOLED与TDDINor的需求拉动预期,详细测算供需缺口,以求对未来趋势定性、定量研究。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 汽车电子与工控拉动行业趋势反转TDDI+AMOLED新需求锦上添花 1、汽车与工控拉动2016趋势反转 从各方面验证,2016年是NOR的拐点。首先,NOR市场为什么过去持续下跌?一方面是 NAND 由于更高的性价比在智能
[网络通信]
海力士300mm晶圆厂清州投产NAND芯片
全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix(海力士)表示,其在韩国新建成的NAND快闪记忆体制造工厂正式投产,该工厂将采用12英寸晶圆生产芯片,能够以具有竞争力的成本切割更多芯片。 Hynix表示,该新厂是其位于忠清道(Chungcheong)清州市(Cheongju)的第三家晶圆厂,命名为“M11”,于2007年4月开始动工,总面积达294,637 平方米,建筑面积占地108,697 平方米。M11靠近Hynix目前正在运营中的另外两个芯片制造厂,新工厂将会很好的利用现有的人力资源和架构。 Hynix董事长兼CEO Kim Jong-gap表示,公司计划加强产品在价格方面的竞争力,并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。
[焦点新闻]
SK海力士强化SSD市场 明年量产3D NAND
SK海力士(SK Hynix)为加强攻略次世代储存装置固态硬盘(SSD)市场,将自2015年量产3D NAND Flash。据南韩每日经济报导,SK海力士已完成3D NAND研发作业,将于2015年正式展开销售。 SK海力士将现有的部分NAND Flash产线转换为3D NAND产线投入量产,3D NAND将在南韩清州工厂生产。3D NAND不同于半导体Cell平面展开的传统NAND Flash,而是将Cell垂直堆栈,提升信息处理速度和效能。因半导体微细化已达物理性上限,要如何堆栈并提升产品性能,为制造3D NAND的重点。 SK海力士以量产3D NAND为契机,将加速攻略SSD市场。SK海力士自2011年底
[手机便携]
U-boot-2014.04移植到MINI2440(8) nand flash 读写支持移植
上一篇帖子分析了nand flash,这篇帖子开始移植u-boot对nand flash的读写支持,进入正题。 一.修改mini2440.h 之前再初步移植的时候注释掉了nand的相关部分,这里再打开,在mini2440.h的第96行: #define CONFIG_CMD_NAND 既然打开了nand的配置,就需要在nand configuration里面做配置,在mini2440.h里面只有s3c2410的,这里需要进行添加,在第187行,红色字体为添加进去的部分: /* *NAND configuration */ #ifdef CONFIG_CMD_NAND #ifde
[单片机]
三星推首款3D垂直NAND闪存技术SSD
在硬盘厂商之间的较量中,比拼的不仅仅是性能参数上的快速,对于推出新技术、新产品的速度也同样要追求一个“快”字。 一周之前,三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间,同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。 不过令人感到遗憾的是,目前采用新技术的SSD固态硬盘只有面向高等级企业推出的480GB和960GB两种版本的产品。也就是说,凭借V-NAND技术所带来的大容量及高可靠性来说正是非常适合高等级企业用户,对此新产品的推出已经具有了非常大的意义。 三星公司在存储技术上一向处于世界领先地位,尤其是在
[手机便携]