国家存储器基地项目有新进展 目标量产有望达成

据中新社，上海宝冶承建的国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。

今年3月20日，武汉市召开集成电路领导小组第一次会议，武汉市委副书记、市长周先旺就提及自国家存储器基地落户武汉以来，基地建设各项工作进展顺利，并强调要全力提速国家存储器基地建设。

4月，武汉发布了2019年工作报告目标任务执行情况，其中就包括国家存储器基地建设情况，该文件指出，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。

7月3日，湖北省委副书记、省长王晓东赴国家存储器基地调研并现场办公。王晓东调研了解到解项目建设、科研攻关等情况。得知基地项目建设加快推进、技术研发加快实施、创新资源加快聚集、产业生态加快构建，勉励企业负责人，加强自主创新，加快项目建设，力争早日建成达产，形成规模效应。

根据之前公布的消息，负责基地项目实施的长江存储斥资10亿美元研发成功国产3D NAND闪存，全年小规模试产了32层堆栈的64Gb闪存，今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。