闻泰科技加大对安世投资 将高功率MOSFET产线引进中国

发布者:Turquoise最新更新时间:2020-04-27 来源: 爱集微关键字:MOSFET 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

 4月26日,闻泰科技公告披露了发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书(草案)。在高达58亿元的配套融资方案中,安世中国先进封测平台及工艺升级项目和云硅智谷4G/5G半导体通信模组封测和终端研发及产业化项目这两项尤为令人瞩目。这意味着闻泰科技开始加大对安世的投资,安世先进的封测技术和高功率MOSFET产品即将被引入中国,这对闻泰科技的业绩增长和中国半导体行业整体水平的提升都有重要意义。

据了解,安世中国先进封测平台及工艺升级项目主要用于安世中国导入高功率MOSFET的LFPAK先进封装产线、原标准器件产品增产提效改造、半导体封测智能工厂自动化及基础设施建设子项等三大领域,主要用于厂房装修及购置升级各类设备、软件等,将新增标准器件产能约78亿件/年,全方位提高安世中国的封测产能和生产效率,提升安世中国的盈利能力。项目的基本情况如下:

公告披露,安世集团作为全球领先的标准器件半导体IDM企业,其分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的市场占有率全球排名前列。安世中国东莞封测工厂的年产量超过690亿件/年,系全球最大的小信号半导体器件封装基地,具有前沿的封测技术、丰富的大规模量产经验、完善的工艺流程、车规级的质量控制体系和高效的成本控制体系。随着5G通信产业化不断加快,各类智能终端产品不断涌现,对标准器件半导体的需求将会进一步放大,安世中国积极布局封测产能,为潜在的客户需求进行前瞻性战略储备。

不仅如此,云硅智谷4G/5G半导体通信模组封测和终端研发及产业化项目,将借助闻泰科技和安世集团双方的技术和研发能力,打造集研发设计、生产制造于一体的大型智能制造中心,形成年生产2,400万件4G/5G通信模组及其智能终端的产能。

据了解,闻泰科技在智能终端ODM行业历经数年耕耘,对于通信芯片产品具有深刻的理解,2019年4月,闻泰科技推出了首个基于高通SD X55平台的5G通信解决方案,安世集团具有电子应用领域的标准器件生产能力和行业领先的封测技术,闻泰科技与安世集团已经合作研发并顺利推出基于4G的车载通讯模块产品,依托安世集团先进的半导体封测技术和车规级的质量管控能力,车规级的4G通信模组可广泛应用于汽车电子、笔记本电脑、路由器、智能音箱、AI/VR、5G CPE(家庭网关)、IoT等智能终端。

伴随着5G商业化的逐步推进,依托于闻泰科技与安世集团的持续研发能力和自建研发平台,将持续地从4G通信技术向5G通信技术演进,并不断创新封装形式,进一步实现通信模组及智能终端的高集成化、小型化和低成本,提高产品的整体性能和市场竞争力。本次募投项目的实施,有利于安世集团先进工艺技术在国内落地,深入推动闻泰科技与安世集团的并购整合,发挥积极的协同效应。

回顾数日前,闻泰科技发布的2019年年度报告。受益于通讯和半导体业务的强劲增长,公司实现营收收入415.78亿元,同比增长139.85%;归属于上市公司股东的净利润12.54亿元,同比增长1954.37%;经营活动现金流46.2亿元,同比增长41.2%。

随着闻泰科技完成对安世半导体的收购,打通产业链上游和中游,形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到终端产品研发设计、生产制造于一体的产业平台。基于原有的通讯终端业务,现在的闻泰科技已经形成通讯和半导体“双翼齐飞”的发展格局。

而此次宣布引入高功率MOSFET的LFPAK先进封装产线,对现有半导体封测智能工厂进行自动化改造,并投资半导体通信模组封测和终端研发及产业化项目,预计将大幅提高安世中国的封测产能、生产效率和行业地位,全面提升闻泰科技的盈利能力和发展空间。作为目前唯一可以和欧美半导体巨头相抗衡的中国半导体公司,闻泰科技的未来非常值得期待。


关键字:MOSFET 引用地址:闻泰科技加大对安世投资 将高功率MOSFET产线引进中国

上一篇:市场需求回升,通富微电一季度营收同比增31%
下一篇:北京君正一季度净利1248.32万元,同比增409%

推荐阅读最新更新时间:2024-10-22 09:01

英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合
【2024年9月27日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合,扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容,以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求 。新型功率 MOSFET产品经过优化,具有高可靠性和易用性,专为满足各种大众市场应用的要求而设计,实现了高度的设计灵活性。适合的应用包括工业开关模式电源(SMPS)、电机驱动器、电池供电应用、电池管理系统和不间断电源(UPS)。 英飞凌采用TO-220封装的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品 与上一代StrongIRFET™半导体器件相比,StrongIRFET™ 2
[电源管理]
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率<font color='red'>MOSFET</font> 30V产品组合
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退
随着MOSFET栅极长度的减小,热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。 在热载流子效应中,载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。 这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移,例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移,可能会发生实质性的器件参数退化,从而导致器件失效。 用于测量HCI的仪器必须提供以下三个关键功能: 自动提取设备参数 创建具有各种应力时间的应力测量序列 轻松导出测量数据进行高级分析 本文说明描述了如何在Keithley 4200-SCS(半导体表征系统)中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。 图1. 漏极
[测试测量]
【测试案例分享】  如何评估热载流子引导的<font color='red'>MOSFET</font>衰退
Littelfuse推出高频应用的IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
驱动器系列的扩展解决了广泛的工业、楼宇自动化、数据中心和可再生能源应用问题 芝加哥,2024年9月19日--Littelfuse公司是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。 公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计,通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。IX434x系列现在包括双路同相、双路反相以及同相和反相输入版本,为客户提供了全面的选择。 IX4341和IX4342驱动器具有16纳秒的短传播延迟时间和7纳秒的短暂上升和下降时间,因此非常适合高频应用。此外,对于更高的电流
[电源管理]
Littelfuse推出高频应用的IX4341和IX4342双5安培低压侧<font color='red'>MOSFET</font>栅极驱动器
仁懋MOSFET:为智能机器人的未来注入动力
随着、感知技术、自主导航等技术方面的突破,近年来功能不断精进,市场也变得极为火热。面对巨大的市场潜力,国内企业正在积极布局人形机器人产业链。目前,A股市场概念股总市值超过6990亿元。多家都在加快技术研发和量产进程。机器人不仅在生产线上展现出高效精准的操作能力,也在家庭、医疗、教育等多个领域展现出其独特的价值。而在这背后,仁懋的扮演着至关重要的角色。 以下是仁懋MOSFET在人工智能机器人上的选型: 仁懋电子的MOSFET产品采用先进的TOLL无引脚封装技术,相较于市面上常见的TO-263封装,它提供了超低的导通阻抗(0.3毫欧内阻)和寄生电感,这意味着在智能机器人的电源管理中,可以实现更高的效率和更低的能耗。这种封装技术不仅
[机器人]
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术
9 月 3 日消息,“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文,报道称国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时 4 年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构,目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单,元胞一致性较好、雪崩能量比较高;缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中,流过时会产生
[半导体设计/制造]
我国首次突破沟槽型碳化硅 <font color='red'>MOSFET</font> 芯片制造技术
发力新能源汽车和储能市场,威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET
在Elexcon2024深圳国际电子展上,威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装,专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而设计。 功率器件市场在未来两年市场规模和技术趋势如何?威兆半导体这款产品的性能优势如何?在SiC MOSFET,威兆半导体做了哪些布局?本文将进行详细解读。 全球功率器件市场规模持续增长,三大应用驱动 在全球能源转型与数字化快速发展的情况下,功率MOSFET、IGBT、功率二级管、功率双极晶体管(BJT)和晶闸管等分立器件作为电力系统的核心元件,承载着推动技术创新与市场拓展的重要使命。 根据WSTS预测,20
[嵌入式]
发力新能源汽车和储能市场,威兆半导体推出新一代700V SiC <font color='red'>MOSFET</font>
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
~应用于主机逆变器,有助于延长续航里程,提升性能~ 日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。 自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。 吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流,并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系,合作至今。这次,作为合作成果,上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论
[汽车电子]
罗姆第4代SiC <font color='red'>MOSFET</font>裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
ROHM开发出安装可靠性高的车载Nch MOSFET,非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!
全球知名半导体制造商 ROHM (总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载 Nch MOSFET *2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和 座椅 调节装置等所用的各种 电机 以及 LED前照灯 等应用。目前,3种封装10种型号的新产品已经开始销售,未来会继续扩大产品阵容。 在汽车领域,随着安全性和便捷性的提高,电子产品逐渐增加,使得所安装的电子元器件数量也与日俱增,而且,为了提高燃油效率和降低电耗,还要求降低这些产品的功耗。其中,尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。
[汽车电子]
ROHM开发出安装可靠性高的车载Nch <font color='red'>MOSFET</font>,非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved