获大量DRAM技术专利！长鑫存储与Rambus签署专利许可协议-电子工程世界

据长鑫存储微信公众号消息，日前，长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）与美国半导体公司Rambus Inc.（以下简称“蓝铂世”）签署了专利许可协议。

依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得了大量动态随机存取存储（以下简称“DRAM”）技术专利的实施许可。不过根据双方达成的一致，此协议中的其它详细信息不予披露。

据悉，长鑫存储和蓝铂世方面都对此次签署的协议表达了高度的认可。长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示：“与蓝铂世达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累，并以此为基础实现可持续发展，稳步提升市场竞争力。”

蓝铂世总裁兼CEO Luc Seraphin表示：“在中国 DRAM 市场投资显著增长的背景下，长鑫存储脱颖而出，成为中国 DRAM 产业的引领者。我们高兴地看到长鑫存储走上DRAM产业的国际舞台。这份长期协议的签署为长鑫存储的业务发展提供权益保障，同时认可了蓝铂世广泛的存储技术专利组合的重要价值。”

据集微网报道，长鑫存储于去年12月宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的 DRAM 专利，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。据了解，长鑫存储通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中。

此外，朱一明于去年5月透露长鑫用14个月即完成晶圆厂建设，一共花费25亿美金用在研发和资本支出。朱一明也强调合肥长鑫具有合规完善的技术来源，同时重视知识产权，长鑫共有1万6千个专利申请，同时公司获得了非常多的专利，并拥有独有的技术。

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