据36氪报道,近日,分离式氮化镓栅极驱动芯片及增强型氮化镓晶体管研发公司成都氮矽科技有限公司(以下简称“氮矽科技”)宣布获得千万级天使轮融资,由率然投资领投,鼎青投资跟投。
创始人罗鹏表示,公司驱动及晶体管产品已完成流片、封装及应用搭建,正在进行客户导入,预计在年底前推出搭载其首款分离式高速氮化镓栅极驱动芯片以及氮化镓晶体管的快充产品,此次融资除了用于研发外,还将支持市场导入及销售。
据氮矽科技官网显示,成都氮矽科技有限公司成立于2019年,位于成都市高新区软件园,是一家中外合资企业。氮矽科技拥有来自母公司“成都矽能科技孵化器”和核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持,旨在实现中国第三代半导体氮化镓(GaN)在电力电子领域的高速发展。
目前,氮矽科技已研发出三款产品:分离式高速氮化镓栅极驱动芯片(DX1SE-A)、650V增强型氮化镓MOSFET、氮化镓功率IC (DX2SE65A150)。产品将首先落地在快充市场,公司计划前期通过已有应用方案直接对目标客户完成销售。
氮矽科技拥有一个完全由海归组成的研发团队,创始人罗鹏为德国勃兰登堡州科技大学硕士,博士与博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所,精通氮化镓器件物理特性,有超过5年第三代半导体氮化镓IC的研发工作经验。
氮矽科技将通过国内首款独立研发与制作的GaN Power IC实现氮化镓在电力电子领域的革命。与此同时,氮矽科技还将聚焦手机快充、车载充电(OBC)、5G基站电源模块三大氮化镓应用市场的高端技术发展,不断开发完善可靠的应用解决方案。
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