存储器市场供过于求,重回跌价周期

发布者:花钱123最新更新时间:2020-08-15 来源: 爱集微关键字:存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

在5G、数据中心等市场需求带动下,2019年第四季度开始,存储器价格触底反弹,上游原厂纷纷大幅调涨出厂价,现货价格也应声而动。

今年第一季度,疫情在全球蔓延,“宅经济”下带动全球笔电、数据中心等市场需求旺盛,存储器市场出现了短暂繁荣的景象。

不过,好景不长,由于5G、消费电子、汽车等市场需求不佳,整体市场出现供过于求的情况,自第二季度开始,DRAM现货价在4月达到顶峰后一路下探,NAND Flash现货价也从2020年3月下旬开始下跌,跌幅达20%,多数产品价格已经跌至起涨点。

在此情况下,存储器的合约价也出现松动,据台湾工商时报报道,7月标准型DRAM合约价反转下跌逾5%,利基型DRAM连续第二个月走跌且跌幅扩大至3~6%,预计第三季合约价可能较上季下跌5%以上,第四季跌幅可能扩大至10%以上。

原厂、客户库存均处于高位

疫情的持续蔓延是上半年影响全球经济最大的事件,也是影响存储器价格走向最主要的原因。

上半年,数据中心、NB、5G建设等需求旺盛,尽管智能手机、汽车等领域需求仍未恢复,但为应对可能出现的供应链中断风险,终端厂商积极备货,拉高库存,从而顺利推动存储器价格上涨。

由于存储器价格上涨,需求上升,三星、海力士、美光、南亚科、华邦电等存储器厂商上半年均取得了不错的成绩,然而上述存储器厂商取得良好的业绩表现很大程度上是由于客户的库存积累。

海力士在业绩说明会上表示,今年年初,客户开始积累库存因为他们当时对前景持乐观态度,新冠疫情爆发后,客户继续增加库存因为他们担心供应链风险。美光同样提到了这一点,考虑到客户对供应的担忧,手机端的某些客户可能已经建立了一些库存。

当客户完成库存积累后,市场需求并未及时跟上,预想的风险也未到来,库存调整就随之上演。

近期,业内不断传出服务器厂商开始调整库存的消息,据台媒报道,服务器供应商传出第二波砍单潮,其中以微软、浪潮砍单情况最严重,亚马逊服务器也出现库存过剩,大幅度的砍单潮恐即将到来。

华邦电总经理陈沛铭在业绩说明会上表示,在疫情尚未全面控制下,第三季度将面临些微库存调整,服务器、NB等应用客户将出现2至3个月的库存调整期,第四季度市况动能再回温。存储器封测厂商力成同样认为,在大型数据中心及企业级客户库存垫高下,NAND Flash可能面临2至3个月的库存调整。

除客户出现库存调整外,上游存储器厂商的库存压力逐渐显现出来。美光第三季度末(截止5月31日)的库存价值为54亿美元,总库存天数为131天,远超过了其110天的目标水平。

此外,海力士的库存价值达5.814兆韩元(约48亿美元),为近两年来的最高值,比Q1的5.426兆韩元增长了7%。

市场需求不明,下半年价格将持续下滑

SK海力士在业绩说明会上表示,下半年价格出现调整似乎是无可避免的,产品平均销售价格可能会下滑,但这不会影响长线的存储器需求成长展望。

目前来看,数据中心、NB领域客户已经出现调整库存的情况,欧美5G建设出现停滞,或将加速存储器价格下跌。

值得一提的是,美光、华邦电、南亚科等存储器厂商仍乐观看待存储器下半年整体情况,并预测数据中心领域会持续增长,智能手机、TV等消费终端厂商销量持续提升,将加速供应链中的库存消耗。

尽管存在这些趋势,但由于COVID-19,宏观和贸易不确定性以及客户库存变化,包括英特尔、海力士、美光、华邦电、南亚科等存储器厂商均强调,下半年的市场可见度有限。

2020上半年,手机产业链不断传出各大终端品牌厂商向供应链砍单的消息,截止目前,砍单过后也并未出现反弹加单,全球智能手机市场还在持续萎缩。下半年通常为智能手机供应链出货旺季,但供应链却并未出现大幅度拉货的情况,因此,智能手机销量能否出现增长还未可知。

集邦咨询预估,第3季NAND Flash市场将转为供需平衡,主要产品价格将出现持平或微幅下跌。业者预期,在各家供应商供货节制下,今年第3、4季NAND Flash需求不强,预料价格可能小幅修正,以下半年来看,DRAM价格走势将优于NAND Flash。

集邦咨询指出,今年截至年底前,整体DRAM市场恐怕都会是供过于求的现象,整体市况的进步恐怕最快到2021年的第二季才会显现。


关键字:存储器 引用地址:存储器市场供过于求,重回跌价周期

上一篇:高通出手 华为手机高端芯片困局或可破解?
下一篇:摩托罗拉新机现身GB 内存为前代两倍

推荐阅读最新更新时间:2024-11-12 00:03

基于CMMB传输系统的LDPC译码器设计与实现
  0 引言   低密度奇偶校验(Low Density Parity Check,LDPC) 码是由Gallager博士在1962年首次提出来的, 由于LDPC码的误码性能能够逼近香农限,因而在无线通信、卫星通信等领域都得到了较多应用。中国移动多媒体广播(CMMB) 中使用的就是LDPC纠错编码。在CMMB标准中, LDPC码长为9216, 可支持1/2和3/4 两种码率。作者通过深入分析CMMB中LDPC码校验矩阵的特点, 采用了一种合适的硬件实现结构, 因而在保证译码器较高性能和较快译码速度的情况下, 以较低的硬件资源实现了两种码率的复用。   1 CMMB 标准中的LDPC 译码算法   1.1 CMMB中LDPC
[单片机]
基于CMMB传输系统的LDPC译码器设计与实现
半导体——汽车创新的基石
三十年前,将美光科技的 16kb EEPROM用于动力总成,成为了福特 Model T 车型下线以来经历的最大变革。此后的三十年间,美光深耕汽车行业,为汽车应用提供了大量高质量、高可靠性的产品,助力汽车不断创新,并成为了领先的汽车闪存和存储解决方案供应商。值此美光科技进入汽车行业三十周年之际,邀请到美光科技汽车事业部副总裁 Giorgio Scuro 先生,为我们解读半导体如何铺就汽车创新之路。 问: 在汽车应用不断演进的过程中,哪些是值得我们为之兴奋的关键趋势呢? Giorgio Scuro:美光与全球领先的汽车厂商保持密切的合作关系,我们非常重视这种关系,这让我们能够以独特视角去把握和分析改变汽车行业的关键趋势。
[汽车电子]
半导体——汽车创新的基石
情非得已 传苹果求助三星解决iPhone 6存储器问题
韩媒报导,苹果为解决iPhone 6的TLC事件,只得向三星低头,请求三星再度供货,以度过危机。 三星与苹果之间的专利大战长久以来持续上演,也因此导致苹果打定主意力行去三星化的政策。无奈,苹果热卖新机iPhone 6与iPhone 6 Plus因为部分机型使用了TLC(三阶储存单元)NAND记忆体的缘故,衍伸出品质不稳的情况,为解决此情况,苹果只好再度求助对手三星。 据《Business Korea》网站报导,苹果虽未正面承认部分iPhone 6以及iPhone 6 Plus品质不佳、容易崩溃重启的情况是何原因,但从后续行动来看,等于已默认就是记忆体出现了问题。该网站表示,苹果已与三星开始谈判,苹果期待三星能为iP
[手机便携]
清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文
电子网消息,12月2-6日,第63届国际电子器件大会(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美国加州旧金山举行,清华大学微纳电子系吴华强课题组的2篇文章入选其列,分别题为“类脑计算中阻变存储器的氧空位分布无序效应模型(Modeling disorder effect of the oxygen vacancy distribution in filamentary analog RRAM for neuromorphic computing)”和“用于类脑计算的阻变存储器数据保持特性研究(Investigation of statistical retention of fil
[半导体设计/制造]
MRAM接班主流存储器指日可待
    记忆体产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取记忆体(SRAM)的快速、快闪记忆体的高密度以及如同唯读记忆体(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性记忆体。如今,透过磁阻随机存取记忆体(MRAM),可望解决开发这种“万能”记忆体(可取代各种记忆体)的问题 遗憾的是,实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的最佳化步骤,似乎总是还得再等三年之久。如今,荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology;TU/e)的研究人员宣称发现一种可让MRAM克服速度快、密度与成本问题的全新制造方法,称为“自旋霍尔效应与交换偏置反转零磁场磁化”(field-fre
[手机便携]
STM32学习之Flash(主存储块、系统存储器和选项字节)详解
说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装 芯片 配置、芯片ID、自举程序等等。当然, FLASH还可以用来装数据。 自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。 FLASH分类 根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块、信息块。 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里。 信息块又分成两部分:系统存储器、选项字节。 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoa
[单片机]
AI热潮为高频宽存储器带来新机遇 立体封装成本成竞争关键
为满足人工智能及深度学习密集平行运算需求,2016~2017年GPU芯片厂商如NVIDIA、AMD推出的新款芯片Tesla P100/ Quadro GP100、Radeon Vega等,都选择搭载具有高频宽及垂直堆叠的HBM2 (Second-Generation High Bandwidth Memory)高频存储器。   高频宽垂直堆叠存储器发展迄今,除上述HBM类型外,HMC(Hybrid Memory Cube)为另一类型。两者皆采多层DRAM晶粒(Die)加上Logic Die垂直堆叠封装的形态,基本上,HBM及HMC各自偏向2.5D、3D封装堆叠技术。   目前借晶圆级封装技术生产导入最新HBM2架构的芯片制造厂商有
[半导体设计/制造]
从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术,正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选择矩阵。MRAM的关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐用性、快速读写操作,并且作为后端技术而容易集成。这些特性使得MRAM有可能替代各种应用中的许多类型存储器。 在最简单的实现中,一个MRAM单元由连接着一个选择晶体管的磁性隧道结(MTJ)组成。磁性隧道结有两个磁层组成,中间用一个很薄的氧化隧道势垒隔开。其中一个磁层有固定的磁方向,被称为参考层(FR),另一个称为存储层(SL),它可以从一个方向切换到另一个方向。存储比特的阻抗是低是高取决于存储层相对于固定参考层的磁方向,即平行或反平行。
[单片机]
从磁性随机存取<font color='red'>存储器</font>到磁性逻辑单元
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved