三星扩产 或砸10万亿韩元

发布者:温馨小筑最新更新时间:2020-11-25 来源: 爱集微关键字:三星 手机看文章 扫描二维码
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半导体景气复甦,大厂纷纷加码投资。外电报导,三星明年将加码10兆韩元用于扩大半导体制造能量,锁定提升DRAM、NAND芯片与晶圆代工产能。市场解读,三星布局,意在与SK海力士、美光、台积电等同业的竞争。

依韩国媒体与三星消息,三星相关投资主要在平泽工厂,扩产后,三星DRAM月产能将增加3万片、NAND增加6万片、晶圆代工增加2万片。

面对三星在晶圆代工领域紧追,台积电一向不评论竞争对手的动态。三星近期扩大采购极紫外光(EUV)设备,更规划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯丁等城市建立EUV产线,做7纳米与5纳米以下芯片生产基地。

韩联社报导,三星集团今年前九月资本支出创下历史新高,主因研发费用大增、在韩国雇用员工人数创新高(约10.8万余人)。

三星在今年10月推出首款采用自家5纳米技术量产的系统芯片,2021年看好全球需求复甦,将对多个领域展开投资;高速运算应用多元化、客户采用先进制程也带动三星晶圆代工成长。

三星资本支出集中半导体领域,全年资本支出估约35.2兆韩元,创新高,其中,半导体资本支出也创新高、达28.9兆韩元。今年1到9月半导体相关资本支出已达21.3兆韩元。

外媒报导,明年半导体资本支出不低于今年,还将额外加码扩大半导体产能。


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消息称三星DRAM及NAND计划Q3涨价15-20%
由于人工智能(AI)需求激增,存储半导体方面竞争进一步加剧,预计三星电子下半年业绩将有所改善。 据韩国《每日经济新闻》,三星电子近期已向包括戴尔科技、慧与 HPE 在内的主要客户通报了涨价计划,准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15-20%,而三星 Q2 已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上。 三星电子负责半导体业务的设备解决方案部门(DS)今天在京畿道华城工厂召开了全球战略会议,就这一计划进行了通报。 根据市场研究公司 D-RAM Exchange 的数据,今年第一季度全球企业级 NAND 闪存销售额达到 37.58 亿美元(IT之家备注:当前约 273.43 亿元人
[半导体设计/制造]
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