半导体景气复甦,大厂纷纷加码投资。外电报导,三星明年将加码10兆韩元用于扩大半导体制造能量,锁定提升DRAM、NAND芯片与晶圆代工产能。市场解读,三星布局,意在与SK海力士、美光、台积电等同业的竞争。
依韩国媒体与三星消息,三星相关投资主要在平泽工厂,扩产后,三星DRAM月产能将增加3万片、NAND增加6万片、晶圆代工增加2万片。
面对三星在晶圆代工领域紧追,台积电一向不评论竞争对手的动态。三星近期扩大采购极紫外光(EUV)设备,更规划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯丁等城市建立EUV产线,做7纳米与5纳米以下芯片生产基地。
韩联社报导,三星集团今年前九月资本支出创下历史新高,主因研发费用大增、在韩国雇用员工人数创新高(约10.8万余人)。
三星在今年10月推出首款采用自家5纳米技术量产的系统芯片,2021年看好全球需求复甦,将对多个领域展开投资;高速运算应用多元化、客户采用先进制程也带动三星晶圆代工成长。
三星资本支出集中半导体领域,全年资本支出估约35.2兆韩元,创新高,其中,半导体资本支出也创新高、达28.9兆韩元。今年1到9月半导体相关资本支出已达21.3兆韩元。
外媒报导,明年半导体资本支出不低于今年,还将额外加码扩大半导体产能。
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