南亚科看好今年DRAM 需求，加速开发10 纳米制程和 DDR5

集微网消息，据钜亨网报道，DRAM 厂商南亚科预计，今年 DRAM 需求将稳定增长。不过供应商供货增长幅度预计有限，但5G 智能手机和数据中心不断发展，可能推高需求端增长幅度，整体产业有望健康发展。

南亚科董事长吴嘉昭指出，今年预计 DRAM 市场售价止跌回升，整体产业有望走出谷底，并迈向成长。公司将投入更多的研发资源，加速开发 10 纳米制程技术与新一代 DDR5 产品，同时规划新厂扩建，未来将以符合市场需求为目标，逐步增加产出。

对于今年运营计划，南亚科表示，10 纳米1A 制程试产线已建设完成，今年将持续致力于产品试产及良率提升， 8Gb DDR4 预计下半年开始送样认证及小量生产；同时下一代 DDR5正在设计开发，预计下半年开始试产。此外，今年也将同步加速 1B 制程技术及产品开发时程，预计第三季开始试产首颗产品。 

为满足市场要求及公司长远发展，南亚科已规划兴建一座12英寸先进晶圆新厂，新厂将采用其自主研发的10纳米制程技术，并规划设立EUV极紫外光刻生产线，月产能约为4.5万片晶圆，最快将于今年底动工，目标在2023年完工试产。据悉，为因应 1A 制程的量产、新厂房兴建及一般部门资本支出，南亚科今年资本支出上限预计为新台币 156 亿元（合5.56亿美元）。