据etnews报道，业内人士透露，三星作出了一项内部决定，即在美国得克萨斯州奥斯汀建立EUV半导体工厂，工程将于今年第三季度启动，目标是在2024年开始运营。
etnews报道指出，这是三星首次在海外建立EUV生产线，将聚焦5nm工艺。这项投资是在美国对先进制程芯片需求增加和美国总统乔·拜登决定重组半导体供应链的背景下进行的。
众所周知，三星已经决定在美国投资170亿美元建立半导体工厂，此前得州、亚利桑那州和纽约被认为是可能的选择，不过正式的投资公告或将在21日举行的韩美峰会前后公开。
知情人士表示，三星CEO金奇南 (Kim Ki-nam) 预计将作为美国商业代表团的成员一同出访美国，并参加峰会，很可能在与美国官员会面后，确认该项投资计划。
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推荐阅读最新更新时间：2024-11-16 23:07
消息称三星DRAM及NAND计划Q3涨价15-20%
由于人工智能（AI）需求激增，存储半导体方面竞争进一步加剧，预计三星电子下半年业绩将有所改善。 据韩国《每日经济新闻》，三星电子近期已向包括戴尔科技、慧与 HPE 在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15-20%，而三星 Q2 已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上。 三星电子负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）今天在京畿道华城工厂召开了全球战略会议，就这一计划进行了通报。 根据市场研究公司 D-RAM Exchange 的数据，今年第一季度全球企业级 NAND 闪存销售额达到 37.58 亿美元（IT之家备注：当前约 273.43 亿元人
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