饱和电流提3-7倍，中科院在垂直纳米环栅器件方向获进展

与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被普遍认为是下一代集成电路关键核心技术。

图片来源：中科院微电子研究所

中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队于2016年提出、并于2019年在世界上首次研发成功自对准金属栅的垂直环栅纳米晶体管，相关成果发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上。

此后，团队对原子层选择性刻蚀、阈值电压调节、沟道锗组分、硅化物工艺、可靠性和热预算等重要工艺进行持续研发和优化，获得了兼容主流CMOS工艺的器件集成技术和优异的电学性能，饱和电流提升了3-7倍。

该研究成果近日发表在《电气和电子工程师协会电子器件学报》期刊上。研究得到中科院战略先导专项（先导预研项目“3-1纳米集成电路新器件与先导工艺”）和青年创新促进会等项目资助。