存储器寒冬说频遭打脸?业内:仅是短期修正 需求稳定

发布者:chang_ri最新更新时间:2021-10-30 来源: 爱集微关键字:存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

集微网消息,大摩8月一篇“存储器寒冬说”报告引起业内震动,但随后各大厂商均对此说法予以否定,并且从实际市况来看,虽然因长短料问题出现杂音,但需求仍稳健,与大摩预期有不小出入。

据钜亨网报道,DRAM方面,南亚科总经理李培瑛表示,DRAM市况波动是受长短料干扰,但主要应用需求仍然稳健,供应商的库存也相当低,预计只是短期修正,且修正幅度不会像2017-2018年这么大。

据李培瑛分析,虽仍然有上下循环,但DRAM市况已比过去稳定,在2017-2018年周期下行时,几乎所有DRAM厂商都持续获利,而十年前在类似的情形下,则是几乎所有厂商都亏损,足以证明当前情况与过去已有明显不同。

NOR Flash方面,华邦电早在“寒冬说”发布的第一时间反驳称,公司产能持续满载,供不应求,并且预计第四季度表现不差。旺宏董事长吴敏求则表示,Nor Flash应用无所不在,看好明年一整年的运营表现。

NAND Flash方面,群联董事长潘健成称,Flash市场较此前有松动一些,但幅度没有那么大,价格仍可以维持,且为了应对明年需求增长,要与NAND原厂签长约,近期也向4家原厂提出希望获得更多料源,希望明年总容量较今年增长40%。


关键字:存储器 引用地址:存储器寒冬说频遭打脸?业内:仅是短期修正 需求稳定

上一篇:搭骁龙898+百瓦快充!Redmi K50系列曝光:共三款
下一篇:“MCU+电源管理芯片”组合来袭,国产芯片厂商可否打破单一

推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 00:48

51单片机存储器内存的讲解
  51单片机当中的存储器从功能性上来划分可以分为程序存储器与数据存储器。一般来说单片机存储器的存储空间是能够进行存储空间拓展的,但是如何进行拓展则需要根据不同的存储器类型进行选择,本文就将为大家针对这个问题进行讲解。   访问存储空间时,需要用到两个指针变量,为DPTR和PC。其中pc为程序计数器,指向下一条需要执行的指令的地址,DPTR为数据指针寄存器,这两个变量的长度都为16位,这是51单片机内部结构决定的,无法改变。所以这两个指针的寻址能力都为64K。这样看来,两类存储器的扩展能力都为64K。但是,如果实际扩展过存储器,就可以发现程序存储器的扩展能力并没有64K。   为什麽会这个样子呢?这得从51单片机的存储空间
[单片机]
STM32 系统架构及存储器映射
一、STM32系统架构 STM32系统架构如下图所示: 主系统有以下部分构成: DCode总线 该总线将M3内核的DCode总线与闪存存储器数据接口相连 ICode总线 该总线将M3内核的ICode总线与闪存存储器指令接口相连,指令取指在该总线上完成 系统总线S-bus 此总线连接Cortex™-M3内核的系统总线(外设总线)到总线矩阵,总线矩阵协调着内核和DMA间的访问。 DMA总线 DMA1和DMA2 此总线将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相联,总线矩阵协调着CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存和外设的访问。 总线矩阵 此总线矩阵协调内核系统总线和DMA主控总线之间的访问仲裁。此仲裁利用轮换算法。此总线矩阵
[单片机]
三星2017年豪掷260亿美元投资 欲遏制中国存储器厂商发展
集微网消息(编译/丹阳)根据IC Insights最新发布的17年麦克林报告指出,今年半导体行业资本支出增长35%,达到908亿美元。  而三星今年在半导体产业支出达到260亿美元,是去年支出的两倍还多。IC Insights总裁Bill McClean表示:“我追踪半导体行业的37年里,从没有见过如此激烈的半导体资本支出增长。 可见,今年三星的巨额开支在半导体行业史上是史无前例的。”    下图显示了自2010年以来三星为其半导体产业投入的资本支出。2010年,该公司首次为半导体产业投入了超过100亿美元。 直至2016年已达到113亿美元,这也是连续7年超过100亿美元。而今年的资本支出更有望达到新高,激增至260亿美元。 
[手机便携]
清华微电子所与厦门合作发展新型存储器
    2月9日,厦门邀请国内权威的学术界专家和业界高管召开厦门半导体工业技术工研院项目专家评审会,该项目在会上顺利通过专家评审。   半导体工业领域专家、清华大学钱鹤教授表示,该研究院将集合清华大学前端研究和厦门集成电路龙头企业,打造成研发一体的项目,并将研发新型的存储器。此外,该项目将打造成为清华大学微电子学科的研究成果转换平台(首先以新型存储器产品为突破),清华大学微电子所的学术发布平台,微电子与纳电子系硕士、本科生人才实训平台。   近年来,厦门集成电路产业发展势头迅猛,已初步形成了各环节布局完整的全产业链格局。随着联芯、紫光展锐、三安、士兰微、通富等一批重点龙头项目相继落地,全市已聚集集成电路企业两百余家。
[半导体设计/制造]
51单片机存储器介绍(3)
高128单元:(80H-FFH) 21个特殊功能寄存器不连续地分布在128个字节的SFR存储空间中,地址空间为80H-FFH,在这片SFR空间中,包含有128个位地址空间,地址也是80H-FFH,但只有83个有效位地址,可对11个特殊功能寄存器的某些位作位寻址操作. 在51单片机内部有一个CPU用来运算、控制,有四个并行I/O口,分别是P0、P1、P2、P3,有ROM,用来存放程序,有RAM,用来存放中间结果,此外还有定时/计数器,串行I/O口,中断系统,以及一个内部的时钟电路。在单片机中有一些独立的存储单元是用来控制这些器件的,被称之为特殊功能寄存器(SFR)。这样的特殊功能寄存器51单片机共有21个并且都是可寻址的列表如下:
[单片机]
AVR的I/O存储器操作
所有的I/O寄存器可以通过IN(I/O口输入)和OUT(输出到I/O口)指令访问,这些指令是在32个通用寄存器与I/O寄存器空间之间传输交换数据,指令周期为1个时钟周期。此外,I/O寄存器地址范围在$00-$1F之间的寄存器(前32个)还可通过指令实现bit位操作和bit位判断跳转。SBI(I/O寄存器中指定位置1)和CBI(I/O寄存器中指定位清零)指令可直接对I/O寄存器中的每一位进行位操作。使用SBIS(I/O寄存器中指定位为1跳行)和SBIC(I/O寄存器中指定位为0跳行)指令能够对这些I/O寄存器中的每一位的值进行检验判断,实现跳过一条指令执行下一条指令的跳转。 在I/O寄存器专用指令IN、OUT、SBI、CBI、S
[单片机]
SIA半导体销售破新纪录,存储器成长幅度达61.5%
  据半导体产业协会( SIA )2月5日公布,2017 年 12 月全球半导体销售额为 380 亿美元,创下单月销售历史新高。和前月相比,12 月销售额上扬 0.8%。和去年同期相比,激增 22.5%。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。   2017 年第四季半导体销售额为 1,140 亿美元,为单季新高。和前季相比,销售提高为 5.7%;和去年同期相比,提高 22.5%。2017 年全年半导体销售额年增 21.6% 至 4,122 亿美元,改写年度新高。    SIA  总裁兼CEO John Neuffer 声明稿指出,半导体广泛用于汽车到咖啡机等各类产品,新科技如人工智能、虚拟现实、物联网也需要半导体,全球需求扬
[嵌入式]
赛普拉斯FIFO存储器即将投产,容量高达72 Mbits
    赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一款容量高达72 Mbit的先进先出 (FIFO) 存储器。该款全新的高容量 (HD) FIFO 是视频及 成像应用 的理想选择,可满足高效缓冲所需的高容量和高频率要求。     与大型PFGA结合使用时,HD FIFO可作为标准同步DRAM存储器的 高级缓冲备 选方案。赛普拉斯的HD FIFO不仅可提供比DRAM解决方案更高的信号完整性,而且其133MHz的工作频率还是视频帧缓冲的理想选择。HD FIFO可提供最多达8个可独立直接寻址的队列,使设计人员能够同时提供多个视频通道流。使用HD FIFO使设计人员能够采用更小型的FPGA,从而实现系统成本的整体降低。此外,赛普拉斯的HD FIF
[手机便携]

推荐帖子

有关PFC功率因素校正历史原因、原理
什么是功率因数补偿,什么是功率因数校正功率因数补偿:在上世纪五十年代,已经针对具有感性负载的交流用电器具的电压和电流不同相(图1)从而引起的供电效率低下提出了改进方法(由于感性负载的电流滞后所加电压,由于电压和电流的相位不同使供电线路的负担加重导致供电线路效率下降,这就要求在感性用电器具上并联一个电容器用以调整其该用电器具的电压、电流相位特性,例如:当时要求所使用的40W日光灯必须并联一个4.75μF的电容器)。用电容器并连在感性负载,利用其电容上电流超前电压的特性用以补偿电
qwqwqw2088 模拟与混合信号
请问这样内电层分割可否?
一张整体图,一张地层,一张电源层,我的板子是DSP控制DDS输出扫频信号,还有些其他功能,DSP的时钟信号30MHz晶振*5倍频,DDS的时钟信号30MHz晶振*5倍频,不知这样子做出来的板子会不会存在什么隐患?请各位高手指教?请问这样内电层分割可否?无法从图中看出哪些是模拟地、哪些是数字地,关键是,你的分割理由是什么?贴PCB图确实看不出什么隐患chunyang发表于2014-12-2117:05无法从图中看出哪些是模拟地、哪些是数字地,关键是,你的分割理由是什么?
caijianfa55 PCB设计
【下载有礼】下载Vishay手册,抢礼品!(03月01日-04月30日)-二极管主题月系列活动
下载有礼!活动时间:03月01日-04月30日参与方式:1、进入https://www.eeworld.com.cn/Vishay/application/页面,注册并下载相关资料。2、注册需要为4的倍数,即可获得Vishay提供的超猛电子工程词典(共20本,送完为止)。【下载有礼】下载Vishay手册,抢礼品!(03月01日-04月30日)-二极管主题月系列活动好活动多多参与不错的活动,参与一下哈参与参与那么,敢请问,你真的参与了么?
EEWORLD社区 分立器件
深度负反馈下电压放大倍数计算
题目如图所示,图二为参考答案,答案好像有问题《1》答案第一步分析好像多了一个-号;《2》答案第三步Uo的表达有问题吧?VCC-Ic3*Rc3才对吧?而且图二的答案没有用到题目条件Ic1、Ic2和《3》我的想法是断开反馈先求电路放大倍数,第一级和第三级放大倍数约等于Rc/Re,遇到的问题是第二级的放大倍数不知道,如果能知道第二级放大倍数就可以求出电路总放大倍数,在使用图二中最后一步求出深度负反馈下的放大倍数。想要弄清楚的是图二答案是否是《1》、《2》中说的问题;如
1nnocent 模拟电子
本周下载最多的电子技术资料大汇总(2020.5.10~15)
小管就把这一周下载比较多的资料汇总如下,供大家学习参考! TI元器件库(元件库、封装库、3D库): https://download.eeworld.com.cn/detail/qwqwqw2088/589383 PCB设计秘籍: https://download.eeworld.com.cn/detail/FANGJerry/611061 汽车电子控制系统原理与维修技术: https://download.eeworld.com.cn/detail
高进 下载中心专版
EVC编译问题:CVTRES : fatal error CVT1102
本人原先系统是在PPC2003SDK下,工具VS2005;现更换成酷派WINCE5SDK下,工具EVC4。更换系统后,有无新系统SDK支持功能少,有些都用不上去了,需要重新定义。但是,现在编译时,提示:CVTRES:fatalerrorCVT1102:outofmemory;41bytesrequired。这个问题头大了,请各位有碰到过此类问题的,指点一二。VC上的。EVC编译问题:CVTRES:fatalerrorCVT1102没碰到过该问题,你重装一下E
wqj1212 嵌入式系统
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved