旺宏：NOR Flash将缺货到明年，价格会成长

GCCAVR中读取Flash区数据 定义（只能为全局变量）： const int temp PROGMEM = 1; 读取： pgm_read_byte(addr); pgm_read_word(addr); pgm_read_dword(addr); 字符串： 全局定义： const char ss PROGMEM = hello ; 函数内定义： const char *ss = PSTR( hello ); 读取同上 注意包含：#include avr/pgmspace.h

本章参考资料：《STM32F4xx 中文参考手册》、《STM32F4xx规格书》、库说明文档《stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm》以及《Proprietary code read-out protection on microcontrollers》。 51.1 选项字节与读写保护 在实际发布的产品中，在STM32芯片的内部FLASH存储了控制程序，如果不作任何保护措施的话，可以使用下载器直接把内部FLASH的内容读取回来，得到bin或hex文件格式的代码拷贝，别有用心的厂商即可利用该代码文件山寨产品。为此，STM32芯片提供了多种方式保护内部FLASH的程序不被非法读取，但在默认情况下该保护

此前曾传出过特别版一加 Nord 的消息，该机被称为一加 Nord SE，不过后来这款智能手机被砍掉了。外媒 Recalled 还是设法拿到了一加 Nord SE，其奢华的包装表明，这款智能手机原本打算限量生产。 一加从未提及究竟为何在临近上市时取消了一加 Nord SE。很有可能是为了给一加 9 系列让路而取消了它。此外，一加 Nord 的定位是作为一款经济实惠的 5G 智能手机。推出一个高价版，会显得有些多余。IT之家了解到，一加曾推出了多款主题版本的旗舰机，比如一加 7T Pro 迈凯伦版和一加 5T 星球大战版。

最近消化 正点原子《STM32不完全手册》—— 第三十一章 FLASH模拟EEPROM实验 时，对判断FLASH是否需要擦除的语句有点不理解，度娘了才知：FLASH擦除后字节存储的数据是0XFF void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u32 secpos; //扇区地址 u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算) u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算) u16 i; u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址 if(W

halt target state: halted target halted in ARM state due to debug-request, current mode: Abort cpsr: 0x400001d7 pc: 0x00000010 nand probe 0 unknown NAND flash device found, manufacturer id: 0x18 device id: 0x18 in procedure 'nand' 上述提示错误信息为找不到NAND flash 器件。解决办法如下：：： arm mcr 15 0 1 0 0 0 step 0

市场研究机构水清木华日前发布"2009年手机内存行业研究报告"指出,NOR闪存在512Mb是个门槛.高于350Mb,NOR闪存的成本飞速增加.同时,NOR闪存的应用领域单一,应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大,成本优势越明显,应用领域更广泛,应用厂家也多.手机市场变化迅速,现在每一款手机的生命周期通常都小于5年,NOR最强大的优势"长寿"也不复存在.尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降,但是专心NOR领域的只有Spansion.而NAND领域,三星、东芝、现代、美光、英特尔等实力大厂云集,NAND遇到的任何问题,都有大量的研究人员投入其中.曾经是手机内存第一名的Spansion黯然退出舞台. 　　 高于35

今天调试了一天STM32程序走了很多弯路，还好最后完全走通，调试过程中的一些经验总结如下： 1、不要完全相信编译器，很多时候可能你只是少了一个分号或者括号，编译器可能给你报一大堆不相关的错误，这时候如果想着一个个去改的话显然找不到正确答案。因此为了保险起见原先编译成功的程序在改动的时候，每改动一次就对相应的文件编译一次，这样可以避免一下子改动很多最后一编译出现很多错误不好定位。第一步编译只是编译当前文件，只有在build的时候才会对所有改动的文件重新编译，因此等到build的时候发现错误很多时候并不能很好定位。 2、加入功能时要注意改动几个地方；首先是/stm32f10x_conf.h中相应的头文件有没有去掉注释，这一点很

2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel／美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂（Fab7），地点就在日本的四日市（Yokkaichi）。 事实上，目前东芝的第 6 座工厂（Fab 6）正在建设当中，预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过，面对市场的强烈需求，东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此，东芝在 21 日宣布，将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建