内存现货价格下跌速度放缓预计明年Q1触底-电子工程世界

业内人士表示，DRAM和NAND闪存的现货价格继续下跌，但速度有所放缓，预计将在明年第一季触底。

据《电子时报》报道，11月主流8Gb和16Gb DDR4芯片现货价格下跌0.7-1.5%，而10月的平均跌幅为7%，11月3D TLC NAND闪存芯片现货价格跌幅同样较上月趋缓，SLC和MLC NAND芯片价格已停止下跌。

消息人士指出，为保持价格稳定，上游芯片供应商对明年的产能扩张保持谨慎，使得现货市场的供应商能够协商出更好的价格。据消息人士称，2022年DRAM整体位供应量预计将增加约5%。

同时，出于盈利考虑，芯片供应商正寻求将更多用于低密度商品DRAM内存的可用产能转移至CMOS图像传感器的制造，同时启动DDR6内存研发。

该消息人士称，尽管渠道零售商和分销商对2022年第一季度的需求前景仍然悲观，但在2月中旬之后，需求的可见度有可能变得更加清晰。

终端市场方面，新的第12代英特尔酷睿处理器家族预计将从明年开始刺激PC应用的需求。智能手机方面，明年新的5G机型是否会刺激终端市场需求仍有待观察。服务器方面，需求可能会在2022年1月中旬之后开始回升。

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