1月5日,iQOO正式推出新一代年度旗舰——iQOO 9和iQOO 9 Pro,该系列搭载全新一代骁龙8移动平台,凭借巅峰性能、全感操控和影像突破为用户带来全方位的感官享受,持续满足用户科技探索的乐趣。
传承iQOO“生而强悍”的精神,iQOO 9系列采用由全新一代骁龙8、增强版LPDDR5和超频版UFS 3.1组成的行业标杆级“性能铁三角”,继续攀登性能巅峰。其中,作为“硬核性能发动机”的骁龙8采用了先进的4nm工艺制程,全新的Kryo CPU集成Arm Cortex X2超级内核,整体性能较前代平台提升高达20%。同时,在对游戏体验十分重要的GPU方面,全新Adreno GPU渲染速度提升30%,能效提升25%,Vulkan游戏性能提升高达60%,实现了骁龙有史以来的最大图形性能提升。
全感操控的电竞级游戏体验是iQOO 9的一大亮点。骁龙8支持全新的第4代Snapdragon Elite Gaming,带来超过50项突破性的端游级特性,从玩家最为关心的画质、流畅度、触控、连接等维度全方位提升游戏体验。同时,骁龙8还支持Snapdragon Sound骁龙畅听技术,能够带来声临其境的沉浸式音频体验。强大的芯片底层性能与全感操控系统3.0相结合,让iQOO 9能够通过出色的屏幕显示、更干脆利落的大振感双X轴线性马达、面积更大的屏下双控压感和封闭式立体双扬带来优质的视、听、触全方位感官享受,让游戏中的所有关键时刻尽在“掌”握。iQOO 9的强悍性能和电竞级体验也得到专业电竞赛事的认可,再次成为KPL官方比赛用机。
在影像方面,iQOO 9系列持续突破影像玩法边界,带来顶级移动影像体验。从底层硬件角度来看,骁龙8支持Snapdragon Sight骁龙影像技术,其全新的Spectra ISP是首个商用的面向移动设备18-bit三ISP,每秒能够捕捉32亿像素,动态范围影像数据量提升4096倍,支持极致的动态范围、色彩和清晰度。同时,第7代高通AI引擎的性能也大幅提升,与前代相比,张量加速器速度和共享内存均提升至前代平台的2倍,先进的ISP结合强大的AI算力,为计算摄影带来更多可能。基于骁龙8强大的算力基础,iQOO 9系列通过先进的镜头技术和领先的AI Deglare、RAWHDR算法,可有效消除炫光、“鬼影”等各类夜间拍摄的光学问题,给用户带来更纯净的夜景拍摄体验。
创新技术引领便捷生活,iQOO 9 Pro还配备目前业内最先进的屏幕指纹技术——超声波3D广域指纹。具体来讲,iQOO 9 Pro采用高通3D Sonic Max超声波指纹传感器,其具有超大传感面积,较初代产品提升整整17倍,用户可轻松在传感器覆盖区域内的任何位置完成解锁操作,享受仅需0.2秒的极速解锁体验。同时,高通3D Sonic Max超声波指纹传感器利用先进的超声波技术读取用户手指的脊线、沟纹和毛孔等3D特征,从而构建非常精准的指纹图像,因此即使在手指沾水等情况下,也能够进行准确的指纹扫描,全方位提升用户的指纹识别体验。不仅如此,iQOO 9 Pro还支持指纹快捷功能,可在解锁手机时一键直达防疫健康码、微信付款码和微信乘车码等,十分便捷实用。
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iQOO 9系列搭载全新一代骁龙8,开启澎湃性能新篇章
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基于ARM9的多功能硬盘MP3播放器的设计
很难给这个设计方案定义一个确切的名称,是硬盘MP3播放器,还是数码相机伴侣,还是是电子相框,甚至叫做移动硬盘?其实这几项功能这款设计方案都具备了。不过通常来说,作为MP3使用的频率更高一些,因此我们姑且还是将它称作多功能硬盘MP3播放器。
这款多功能MP3播放器的核心是三星公司的S3C2410芯片。该芯片是基于ARM920T而开发的一款面向消费类电子产品的多功能SOC。除具备一般嵌入式芯片所具有的总线,SDRAM控制器,3个串口等外设之外,S3C2410还具有TFT LCD控制器、USB Slave、USB Host、I2C总线控制器、SPI控制器、IIS音频接口、SD %26;amp; MMC存储卡接口等丰富的扩展功能。芯片工
[嵌入式]
终于来了!OPPO官方确认即将发布新品R9
之前有网友在微博上爆出OPPO R9的渲染图,也有消息人士透露OPPO将会在三四月份召开新品发布会,发布新品。再加之网上流传出来TFBOY将为OPPO新品代言,这一系列信息都表明了OPPO新品离我们越来越近了。就在一个小时前,OPPO通过官方微博确认OPPO新品R9即将发布。 OPPO官方微博确认R9即将发布
从官方微博放出的宣传图片来看,在大大的数字9上面和手机边框很像,而且颜色采用了金色,是否表示OPPO R9将会在中框设计上有不一样的表现?另外,根据之前OPPO的R系列手机来分析,此次发布的R9很可能依然会采用超薄的机身设计,那么,以中框作为第一张宣传海报是不是意味着OPPO R9将会拥有超薄机身设计呢?
[手机便携]
STM32L4R9的QuadSPI Flash通讯速率不理想
1. 引言 客户反应STM32L4R9 同QSPI Flash 通讯,测出来的读取速率为10MB/s, 和理论值相差较大。 2.问题分析 按照客户的时钟配置和STM32L4R9 的数据手册中的数据,OSPI 读数速率为10MB/s肯定存在问题。同时我们也可以在AN4760 应用手册中看到如下说明: 在客户系统中,IO0~IO3的4线通讯模式下信号波形如下图,可以看出每经过8 个CLK周期就有很长一段时间的延时。如果提高CPU的主频,这个延时会缩短,但客户测到最短的延时也有200ns,并且一直存在: 3.问题解决 从客户测试波形上看,由于是4条数据线,因此8个clock正好是4bytes,也就是32bits数据。怀疑S
[单片机]
RS232 RS422 RS-485 标准9针串口引脚定义
标准9针串口引脚定义
从前面的内容中,知道了串口外形,就可以继续了解其每个引脚的定义,这是做线的基础。无论是RS-232C、RS-422,还是RS-485,串口接口的外形、尺寸都是相同的,部件间可以通用互换,但其引脚的定义却各不相同,因此要了解串口做线,首先要知道串口各引脚的定义。
观察一个标准的串口,会发现串口无论是9针的标准串口物理外形(如图3.4所示),还是25针串口物理外形(如图3.6所示),如果横着看,都显示两排引脚。除了两排引脚这一特征之外,还有就是无论是公头,还是母头,两个引脚的外围呈现一边大、一边小的“等腰梯形”的形状(俗称“D形”)。9针引脚中,大的一边有5个引脚,小的一边有4个引脚。
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基于MC9S12HY64 的汽车双温区空调控制器的设计
0 引言 随着现代科学技术的发展,汽车的各项配置向着个性化、娱乐化、安全化等方向发展。汽车空调装置已成为衡量汽车功能是否齐全的标志之一,是比较重要的设备。目前汽车空调控制系统多为单温区系统,但由于车内各乘坐位置的温度场分布不一致,而且不同乘员对温度也许有不同的需要,单温区控制系统难以满足乘员的个性化需求。 针对单温区控制系统存在的缺陷,可以设计一种双温区自动控制系统,满足人们对环境舒适度的不同需求。而本文将介绍的双温区自动空调系统,则拥有两个温区,在前排空间左右两侧的温区可各自独立对吹风温度、风量和出风模式进行控制。成员可根据自己的认为的环境舒适度进行设置,达到满足个性化得需求。 1 芯片选择及部分硬件电路设计 1.1 双温区空调控
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数码管最右边一位从0到9无限循环
#include STC15F2K60S2.H #include intrins.h #define uint unsigned int #define uchar unsigned char #define led_output P0 #define led_duan_and_wei P2 //定义段选和位选 unsigned char add1,add2; unsigned int num=52700,index=52700; uchar code tabe ={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90};//显示1,2,3,4,5,6,7,8,9 uchar code
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TQ2440--nandflash(K9F2G08U0A)驱动编写
一、数据手册相关内容 1.地址传输周期 2.命令表 3.在寄存器中,会涉及TACLS,TWRPH0,TWRPH1的设定 这里我们就去看nandflash的数据手册 在这里我们可以清楚的看到,TACLS=TCLS-TWP,TWRPH0=TWP,TWRPH1=TCLH,从下表可以查到时间,并根据主频转换成CPU周期数 二、寄存器 1.NFCONF 这个寄存器的0-3位是硬件控制的,TACLS,TWRPH0,TWRPH1的值也可以怎么设定上面有讲 2.NFCONT 这个寄存器我们先只关心这两位,一个是使能nandflash控制器,一个是使能chip 3.NFCMMD,NFADDR,NFDAT
[单片机]
基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现
1 NAND FLASH NAND写回速度快、芯片面积小,特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元,一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH),多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同,通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单,就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小,不同存储器中的块、页大小可能不同,块内页面数也不同。例如:8 MB存储器,页大小常为512 B、块大小为8 kB,块内页面数为16。而2 MB的存储器的页大小为256 B、块大小为4 kB,块内页面数也是16。NAND存储器由多个块串行排列组成。实际上,NAND
[缓冲存储]