英特尔俄勒冈工厂引进High NA EUV光刻机

英特尔近日表示，将在俄勒冈工厂引进ASML下一代High NA EUV光刻机，这是否将给正在与台积电、三星电子展开超细半导体商用化竞争的英特尔带来优势，值得关注。

据ETNews报道，英特尔在业界率先采用High NA技术，并将于2024年采用“20A”工艺生产芯片。在去年3年宣布重新进入代工市场后，英特尔宣布将完成20A工艺（相当于2nm），生产计划定于2024年。最近，英特尔已经将高通选定为代工客户，预计将采用超细工艺为后者代工尖端的芯片。

英特尔和ASML联手推出High NA EUV光刻机被认为是英特尔CEO基辛格在代工市场的大胆举动。High NA EUV光刻机可以减少对微电路的绘制次数。其特点是将透镜的数值孔径（NA）从0.33提高到0.55。这就减少了刻有电路图案的掩模的数量，从而降低了成本并缩短了工艺时间。

英特尔计划，通过率先采用High NA设备，抢占代工市场。在与台积电和三星电子竞争的代工市场上，英特尔必须通过引进4nm以下的工艺来促进代工业务的增长。随着精细工艺的引入，预计高附加值APs等芯片的数量将会增加。