Altera与Northwest Logic联合开发RLDRAM 3存储器接口解决方案

发布者:skyshoucang最新更新时间:2012-11-14 来源: EEWORLD关键字:Altera  Northwest  Logic  存储器接口解决方案 手机看文章 扫描二维码
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    2012年11月14号,北京——Altera公司 (NASDAQ: ALTR)与FPGA高性能知识产权(IP)内核领先供应商Northwest Logic今天宣布,开始提供硬件成熟的1,600 Mbps低延时DRAM    (RLDRAM®) 3存储器接口解决方案,可用于其高端28 nm Stratix® V FPGA。RLDRAM 3存储器接口结合了Altera的自动校准RLDRAM 3 UniPHY IP以及Northwest Logic的全功能RLDRAM 3控制器内核,显著简化高端网络应用中RLDRAM 3存储器和FPGA之间的接口设计,同时提高存储器吞吐量。联合开发的RLDRAM 3存储器接口解决方案在客户设计中经过硬件验证,客户设计使用Micron公司的RLDRAM 3存储器。
    Altera®的Stratix V系列FPGA经过优化,支持Micron的下一代RLDRAM 3存储器。Stratix V器件采用的存储器体系结构降低延时,高效实现了FPGA业界最好的系统性能。Stratix V FPGA支持网络设备生产商在互联网上迅速高效的传送视频、语音和数据。
    Micron的DRAM市场副总裁Robert Feurle评论说:“FPGA为我们的客户提供了高效的手段来优化他们的网络产品,以支持不断增长的数据量,跟上网络基础设施的变化。Altera的高端Stratix V FPGA与RLDRAM 3存储器相集成,其高端性能满足了我们网络客户日益增长的存储器要求。”
Northwest Logic的RLDRAM 3控制器内核与Altera的UniPHY IP相结合,提供了完整的RLDRAM 3解决方案,包括高效的BL=2运算,减少由于工作在四分之一时钟速率时出现的时序收敛问题,并支持多种RLDRAM 3存储器配置。 
    Northwest Logic总裁Brian Daellenbach说:“与Altera的密切合作保证我们交付成熟可靠的解决方案,这样,我们共同的客户能够以最小投入迅速实现他们的系统。使用这一RLDRAM 3控制器内核,高端网络应用开发人员获得速度高达1,600 Mbps的高性能、低延时解决方案。”
    Altera元器件产品市场资深总监Patrick Dorsey评论说:“Stratix V FPGA具有很好的RLDRAM 3接口,极大的增强了高端系统的延时和性能。我们的高性能Stratix V FPGA结合这一RLDRAM 3控制器内核,使我们能够面向当今的高性能网络应用提供最高效的解决方案。”
供货信息
    RLDRAM 3存储器接口解决方案可以用于Altera的高性能Stratix V FPGA中。由Northwest Logic提供RLDRAM 3控制器内核以及全面的支持。如果需要了解Stratix V FPGA更详细的信息,请访问www.altera.com.cn/stratixvwww.nwlogic.com/products/memory-interface-solution/ 提供RLDRAM 3解决方案的详细信息。
Northwest Logic简介
    Northwest Logic成立于1995年,位于俄勒冈比佛顿,提供高性能、硅片成熟可靠而且使用方便的IP内核,包括,高性能Expresso解决方案(PCI Express® 3.0, 2.1和1.1内核以及驱动)、存储器接口解决方案 (DDR4, DDR3, DDR2, LPDDR3, LPDDR2, Mobile DDR SDRAM; RLDRAM 3, RLDRAM II),以及MIPI解决方案(CSI-2, DSI)。这些解决方案支持多种平台,包括ASIC、结构化ASIC以及FPGA。如果需要了解更详细的信息,请访问www.nwlogic.com
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