TZ1201XBG集成了一个ARM® Cortex®-M4F处理器,根据设计,在正常工作模式下,其主动电流消耗为78微安每兆赫(MHz)。这款元件与电源管理软件搭配使用,对于搭载200mAh电池的脉搏测量应用可续航约一周,对于手表应用可续航约一个月。
TZ1201XBG专用的2D图形加速器能减少对CPU的利用和功率消耗,同时支持图形用户界面(GUI)的流畅运行。针对语音命令[1]和语音触发处理[2]的集成音频接口以及2D图形加速器可确保客户享有高水平的用户体验。
与以前的型号相比,经过改进的高精度模拟前端电路(AFE)可以测量极其微弱的信号(约10微伏),例如EEG或EMG(分别为脑部和肌电扫描),以及阻抗,可利用这一点通过计算皮肤电阻来判断压力水平。AFE仅需增加极少的外部组件,即可支持多达4通道电压/电流/阻抗的多重传感。通过集成软件和多种服务,由AFE测量的数据可被用于开发新的应用,并打造新的目标市场。
除了2.2MB的集成高容量SRAM,TZ1201XBG还包含e•MMC™[3]/SDIO接口,支持外部存储器IC,例如SPI、NOR、SPI NAND和e•MMC™。这种支持可以为设计师提供为他们的设备指定最合适存储器IC和容量的灵活性。与嵌入式数据压缩器相结合,TZ1201XBG可支持长时间的高容量数据存储,无需频繁的数据上传。
2016 International CES
主要特点
低功耗设计
• 主动电流消耗为78微安每兆赫(MHz)
适用于可穿戴应用的单一封装
• 支持多种I/O,例如I2C[4]、UART[5]、SPI[6],支持使用外部传感器和外围设备,来监测时间跨度和身体活动水平
• 高性能2D图形加速器,确保图形用户界面(GUI)的流畅运行
• 得到AES和SHA256支持的数据安全,并集成有一个真随机数发生器
• 嵌入式数据压缩器和解压缩器
集成2.2MB高容量存储器
高精度AFE
• 高达4通道电压/电流/阻抗多重传感
• 仅需增加极少外部元件即可实现三种可配置放大器模式,即仪表放大器/跨阻抗放大器/可编程增益放大器(PGA)
• 高达22位的有效比特位(ENoB),专用于测量精度约10微伏的信号
应用
可穿戴设备,例如活动监测、智能手表、手环和眼镜类设备。
主要规格
零件编号 | TZ1201XBG |
CPU | ARM Cortex-M4F |
最大频率 | 高达120MHz |
嵌入式SRAM | 2.2MB |
e・MMC | 2通道 |
外部总线 | 1通道 |
图形加速器 | 2D |
LCD控制器 | MIPI® DBI B型、C型、DSI |
GPIO | 120位 |
I2C (主/从) | 2通道 |
UART | 4通道 |
DMA | 16通道 |
AES | 128/192/256位密钥长度 |
真随机数发生器 | 1个 |
压缩和解压缩 | 1个 |
SPI | 4通道 |
接闪存的Quad SPI | 支持 |
PWM | 8通道 |
32位计时器 | 2通道 |
监视计时器 | 1通道 |
仪表放大器・增益 | ×1至×4 |
PGA・增益 | ×1至×32 |
12位ADC | 16通道 |
24位ADC | 4通道 |
DAC | 1 |
LED驱动器 | 4 |
USB | USB 2.0设备12Mbps,1个端口4双向端点 |
封装尺寸 (宽 x 长 x 高,mm) |
8.0 × 8.0 × 0.6 |
工程样品 | 2016年4月 |
量产 | 2016年夏季 |
1. 语音命令:一种可实现设备语音控制的应用。
2. 语音触发处理:基于语音命令检测的系统操作。
3. 嵌入式多媒体卡:带有控制功能(例如ECC、耗损均衡和坏块管理)的NAND闪存(NAND)产品系列。还能消除用户对直接控制NAND的担心。
4. 集成电路总线:由飞利浦半导体公司(现在的恩智浦半导体公司)发明的一种多主、多从、单端、串行计算机总线。
5. 通用异步收发器:在并行和串行形式之间转换数据的一种计算机硬件设备。
6. 串行外设接口总线:由摩托罗拉(现在的安森美半导体)开发的用于短距离通信的同步串行通信接口规范。
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