mos是啥
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AON3818是双路N-MOS管,从原理图来看这两个MOS管的D极已经在内部短接,对应的PIN 5、6、7、8在画板子时是应该使用一块铜皮连接做散热,还是悬空不处理?...
作者:littleshrimp回复:2
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如果是感性负载,应在负载两端增加续流二极管或RC缓冲电路,易吸收断开时产生电磁能量,避免感应电压将MOS管击穿。...
作者:ABC159753回复:17
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下管输出同时导通 HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出 LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出 外围器件少 封装形式:SOP-8 描述: EG3116 是一款高性价比的大功率...
作者:恒锐丰科技回复:1
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一、简单的MOS大信号模型 以N沟道MOS为例,大信号的电压和电流的正方向如下表示,同样适用于P沟道MOS管,只需在所有的电压和电流值乘以-1即可; 实际上更适用于如下表示:、 ,其中...
作者:乱世煮酒论天下回复:6
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EG2106D 高压 600V 半桥 MOS 管驱动芯片 特性: 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V 适应 5V、3.3V 输入电压 最高频率支持 500KHZ VCC 和 VB 端电源带欠压保护...
作者:恒锐丰科技专注芯片回复:0
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各位老师,开关电源常用的MOS管的漏电压怎么理解,下面是漏电压波形 开关电源常用的MOS管的漏电压怎么理解 【开关电源常用的MOS管的漏电压怎么理解,下面是漏电压波形】 这是此文作者自造的名词...
作者:kal9623287回复:6
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外围器件少 静态电流小于 1uA,非常适合电池场合 封装形式:SOP-8 描述: EG2104 是一款高性价比的带SD功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路...
作者:恒锐丰科技回复:0
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下面的这个MOS管的Vds和Id曲线,这个曲线怎么看 Vgs分别为2.5V、3.0V和4.5V的波形,如果Vds=0.5V 、2V和3.5V时,Id相差是不是很多?...
作者:Knight97538回复:3
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半桥输出电路,分别用MOS管和GBT作为主回路功率器件,这种结构是上下交替导通的;从MOS管和IGBT的伏安特性曲线、转移特性曲线以及半导体材料特性,是怎么由栅极电压控制MOS管和IGBT进入饱和区的...
作者:乱世煮酒论天下回复:10
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功率 MOS 驱动 应用 电路 发现东芝的这篇文章写得特别好. 1. 驱动 MOSFET 1.1. 栅极驱动和基极驱动 常规的双极晶体管是电流驱动器件, 而 MOSFET 是电压驱动器件。...
作者:木犯001号回复:0
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若想理解这个二极管的作用,首先需要知道MOS管的门极(G)对地相当于一个大电容,直流电阻可认为是无穷大,但驱动MOS管的是矩形波,MOS管应该处于饱和导通和彻底关断状态,从彻底关断变化到饱和导通的时间或者从饱和导通变化到彻底关断的时间应该尽可能短...
作者:Knight97538回复:9
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串联电路中的电流是否能够通过MOS分流 【串联电路中的电流是否能够通过MOS分流】 就图中看,好像是不能。 此电路中P沟MOS管方向是正确的,该管可以由VCC经12V稳压管控制导通和关断。...
作者:bigbat回复:4
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我们一般用增强型MOS管做开关,能满足一般的电源控制要求。...
作者:Nubility回复:10
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,但是分析电流镜左边是一个MOS二极管,漏极和栅极接到一起,怎么分析出上面电流源流到MOS管漏极和栅极的电压呢?...
作者:乱世煮酒论天下回复:8
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1、MOS作为开关 对于N管来说,漏极或源极端点取决于电位高低,导通电阻主要取决于沟道电阻,在开关导通状态沟道电阻很小,开关断开状态沟道电阻很大,因此栅极电压Vgs很大,MOS管工作在非饱和区...
作者:乱世煮酒论天下回复:3
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MOS管栅极电阻在工业电源中的作用 MOS管栅极电阻在工业电源中的作用-电子工程世界 https://news.eeworld.com.cn/mndz/2013/0106/article_17882...
作者:振动试验仪器回复:4
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MCU用3.3V通过三极管和mos控制12V通断导致不能即使开断 把那个C49和R68去掉吧,R67改成1K 【看样子好像是Q3没有及时关断】 不是Q3没有及时关断,而是Q4没有及时关断。...
作者:fy9527926回复:14
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MOS管已经普遍使用了,有很多介绍MOS管的检测,一般是用万用表检测的。 大部分的指针表、数字表电阻档黑色表笔是电源的正极,还是有数字表的红表笔是电源的正极。...
作者:振动试验仪器回复:7
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固态继电器(mos输出)的开关速率是不是很难达到KHz级别呀? 我看数据手册上这类器件的开关时间单位都是ms,也就是说大部分用在Hz级别的情况下?...
作者:ywfw30回复:8
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HC3600M 8N03 MOS管作为NMOS管的一种,其工作原理主要基于金属-氧化物-半导体的结构来实现电流的控制和放大。具体来说,MOS管的结构包括金属基片、氧化层和半导体层。...
作者:sjh18925872560回复:0
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课程旨在讲述MOS晶体管如何工作,以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者,而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。...
课时1:About_This_Course 课时2:Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3:CMOS_Processes 课时4:Semiconductors__Part_1 课时5:Semiconductors__Part_2 课时6:Semiconductors__Part_3 课时7:Conduction Part 1 课时8:Conduction Part 2 课时9:Contact_Potentials 课时10:pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22:Introduction 课时23:Complete_AllRegion_Model 课时24:Simplified_AllRegion_Models 课时25:Strong_Inversion_Models_–_1 课时26:Strong_Inversion_Models_–_2 课时27:Strong_Inversion_Models 课时28:Weak_Inversion_Models 课时29:Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30:Effective_Mobility 课时31:Additional_Topics 课时32:SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33:SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34:SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35:SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36:SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37:SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38:SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39:SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40:SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41:SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42:SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59:SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60:SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63:SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64:SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65:SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66:SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67:SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68:SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69:Noise__Introduction 课时70:Noise__Thermal_Noise 课时71:Noise__HighFrequency_Considerations 课时72:Noise__Flicker_Noise 课时73:Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74:Halo_Implants 课时75:Well_Proximity_Effect 课时76:Stress_Effects 课时77:Statistical_Variability 课时78:Epilogue
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功率半导体器件是半导体器件的重要分支,与微电子芯片(集成电路芯片)一样都属于现阶段“卡脖子”范围。...
课时2:说课 课时3:绪论 课时5:肖特基基本理论 课时6:肖特基二极管阻断特性 课时7:肖特基二极管通态特性 课时8:JBS 课时9:PiN二极管反向阻断特性及设计 课时10:PiN二极管终端技术 课时11:PiN二极管通态特性之i区载流子分布 课时12:PiN二极管通态特性之i区体压降 课时13:PiN二极管通态特性之通态压降 课时14:PiN二极管反向恢复特性 课时15:MPS 课时17:概述晶闸管 课时18:晶闸管阻断电压 课时19:晶闸管长基区参数设计 课时20:晶闸管芯片厚度的选取 课时21:晶闸管触发特性与触发参数的计算 课时22:晶闸管的通态特性 课时23:晶闸管的开通与特性 课时24:晶闸管的didt 课时25:晶闸管的关断特性 课时26:晶闸管的dvdt 课时27:晶闸管的功耗 课时29:功率MOSFET(1) 课时30:功率MOSFET(2) 课时31:功率MOSFET(3) 课时32:IGBT(1) 课时33:IGBT(2) 课时34:IGBT(3) 课时35:IGBT(4)
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本门课是微电子专业的主干课程,专注于超大规模集成电路的设计技术,适合电子和计算机相关专业的本科生和研究生,也适合工作后需要重温专业基础知识的工程师。...
课时2:课程介绍 课时3:微电子发展史和摩尔定律 课时4:补充从沙子到CPU-芯片是如何制造的 课时5:系统与系统集成 课时6:VLSI设计方法 课时8:mos晶体管结构 课时9:MOS晶体管的工作原理 课时10:MOS晶体管的I-V方程 课时11:MOS管的转移特性和耗尽型MOS管等 课时12:CMOS结构及其优势 课时14:CMOS反相器设计 课时15:CMOS反相器的动态指标 课时16:CMOS逻辑门构造-与非门及复杂门 课时17:等效反相器设计方法 课时18:例子-复杂门等效反相器设计 课时19:等效反相器练习及其修正 课时20:异或门和同或门电路 课时21:传输门 课时22:三态门 课时24:时序逻辑作用及状态机举例 课时25:双稳态结构和D触发器 课时26:触发器时序参数 课时27:时序逻辑的性能优化 课时28:时序逻辑的功耗优化 课时29:偏差和抖动对电路的影响 课时31:工艺基础 课时32:问题的提出及选择工艺线的原则 课时33:NMOS管导通条件的再思考 课时34:电学设计规则的形式及应用举例-三输入与门的SPICE仿真 课时35:几何设计规则 课时37:晶体管规则阵列设计技术引言 课时38:基于ROM的晶体管阵列及其逻辑设计 课时39:或非ROM的版图设计 课时40:与非结构ROM的版图 课时41:MOS晶体管开关逻辑 课时42:例题-用四选一MUX设计电路 课时44:PLA阵列结构 课时45:例题用PLA设计电路及折叠PLA 课时46:门阵列功能及其版图结构 课时47:门阵列版图分析及其设计准则 课时48:规则阵列设计技术应用-EPLD 课时49:E2PROM晶体管结构及编程结构比较 课时51:引言-规则阵列的缺点 课时52:单元库概念和真实单元库示例 课时53:标准单元设计技术 课时54:用标准单元实现集成电路的过程 课时55:课堂练习-读标准单元版图 课时57:输入输出单元的功能 课时58:输入单元的版图设计 课时59:倒向输出IOPAD设计 课时60:其他输出IOPAD 课时61:掩膜编程的输入输出IOPAD 课时62:积木块设计技术和单元库小结 课时64:大话处理器 课时65:微处理器结构介绍-冯诺依曼和哈佛结构 课时66:冯诺依曼和哈佛结构的比较 课时67:控制器单元 课时68:ALU结构和半加器电路 课时69:全加器+外围电路的多功能表现 课时70:用全加器搭建ALU-算术运算设计 课时71:用全加器搭建ALU-逻辑运算设计 课时72:用全加器设计ALU-电路实现 课时73:传输门设计的特点及微处理器设计总结 课时75:乘法器设计 课时76:移位器设计 课时77:Memory的重要性及其分类 课时78:SRAM结构 课时79:SRAM的bitcell设计 课时81:低功耗专题上 课时82:低功耗专题下
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了解当今集成电路设计的基本方法与技术;掌握MOS器件的基本结构、模型与特性,掌握基本的组合逻辑电路和时序逻辑电路的原理;了解微电子集成电路工艺基本流程;认识集成电路的基本版图;掌握CMOS模拟集成电路基本理论...
课时2:课程介绍 课时3:集成电路产业 课时4:摩尔定律 课时5:集成电路发展史 课时7:MOS管结构及IV特性 课时8:MOS管二阶特性 课时9:MOS管跨导及电阻做负载的共源级放大器 课时10:MOS器件的小信号模型 课时11:MOS器件电容 课时12:MOS管的本征增益 课时13:大信号和小信号 课时15:从沙子到芯片 课时16:工艺概述 课时17:光刻 课时18:刻蚀 课时19:扩散 课时20:离子注入 课时21:化学气相沉积CVD 课时22:物理气相沉积PVD 课时23:氧化 课时24:电路-版图-掩膜-光刻之间的关系及内涵 课时25:版图设计与检查 课时26:版图设计规则与图元 课时28:CMOS模拟集成电路绪论 课时29:为什么要学习CMOS模拟集成电路 课时30:共源极放大器 课时31:二极管负载的共源极放大 课时32:电流源负载共源极放大器 课时33:带源极负反馈的共源极放大器 课时34:源极跟随器 课时35:共栅极放大器 课时36:共源共栅极放大器 课时37:反相器作为放大器 课时38:共源极放大器的PSRR 课时39:差分放大器的优势 课时40:差分放大器的差动大信号特性 课时41:差分放大器的共模响应 课时42:全差分放大器的共模输出电平 课时43:交叉互连负载的差分放大器 课时44:密勒效应和密勒补偿 课时45:放大器的频率特性 课时46:反馈系统的频率特性 课时47:基本MOS电流镜 课时48:共源共栅MOS电流镜 课时49:WilsonMOS电流镜 课时50:WildarMOS电流源 课时52:数字信号特点及设计关注 课时53:数字系统的构成与工作原理 课时54:数字系统的评价指标 课时55:CMOS反相器——结构原理及基本特性 课时56:CMOS反相器——静态特性 课时57:CMOS反相器——瞬态特性 课时58:数字集成电路设计——反相器的设计 课时59:数字集成电路设计——低功耗设计 课时60:静态CMOS组合逻辑电路——结构 课时61:静态CMOS组合逻辑电路——特性 课时62:静态CMOS组合逻辑电路——逻辑努力 课时63:静态CMOS组合逻辑电路——功耗 课时64:动态CMOS组合逻辑电路——有比逻辑 课时65:静态组合逻辑电路——传输管(门)逻辑 课时66:动态组合逻辑电路——预充电-求值逻辑 课时67:动态组合逻辑电路——多米诺CMOS电路 课时68:动态组合逻辑电路——特性及信号完整性 课时69:时序逻辑电路——概述 课时70:时序逻辑电路——双稳态静态结构 课时71:时序逻辑电路——双稳态动态结构 课时72:时序逻辑电路——无竞争动态结构 课时73:时序逻辑电路——无稳态施密特触发器 课时74:导线及互连——概述 课时75:导线及互连——互连电阻 课时76:导线及互连——互连电容 课时77:导线及互连——互连延时模型 课时78:导线及互连——互连延时优化
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金氧半电容(MOS Capacitor) 4. 金氧半场效晶体管(MOSFET) 5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM)...
课时1:摘要 课时2:课程介绍 电子与半导体产业的演进 课时3:半导体原件基本架构与类型、半导体原件与电路技术发展 课时4:元件技术发展走势 课时5:半导体材料与晶体结构 课时6:价键与能带 课时7:本质载子浓度 课时8:施体与受体 课时9:载子漂移drift 1 课时10:载子漂移drift 2 课时11:载子扩散diffusion 课时12:载子产生与重合 课时13:连续方程式 课时14:热发射thermionic_emission与穿隧 课时15:空间电荷与高电场效应 课时16:基本半导体技术 课时17:热平衡状态 课时18:空乏区与空乏电容1 课时19:空乏区与空乏电容2 课时20:电流电压特性1 课时21:电流电压特性2 课时22:储存电荷 课时23:接面崩溃 课时24:理想MOS电容器1 课时25:理想MOS电容器2 课时26:SiO2Si MOS电容器 课时27:绝缘层中的载子传输与崩溃 课时28:MOSFET简介 课时29:基本操作特性1 课时30:基本操作特性2 课时31:元件类型与启始电压阈值电压 课时32:短通道效应 课时33:元件结构与设计 课时34:CMOS逆变器及新型MOSFET简介 课时35:MSRAMDRAM与半导体简介 课时36:非易失性半导体存储器NVSM简介 课时37:浮栅概念 课时38:浮栅NVSM的历史发展 课时39:NVSM的应用 课时40:扩展挑战 课时41:替代设备结构 课时42:专访一 对大三学生的期勉 课时43:专访二 不用手机的发明家 课时44:专访三 那一年我们一起待的bell lab 课时45:专访四发明NVSM 课时46:专访五 对未来科技业的预言
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《数字大规模集成电路》是讲授数字大规模集成电路基础理论和知识的微电子专业研究生基础课,既是微电子专业学生的核心课程也是供电类专业学生学习数字集成电路设计的基础课程。...
课时2:集成电路技术的意义 课时3:开关和逻辑 课时4:静态互补CMOS逻辑原理 课时5:静态互补CMOS逻辑门的设计和本节小结 课时6:集成电路工艺 课时7:集成电路版图 课时8:Scaling Down 课时10:MOS管原理 课时11:阈值电压 课时12:MOS管的基本电流方程 课时13:沟道长度调制效应 课时14:速度饱和 课时15:MOS管的手工分析模型 课时16:MOS管的电容 课时17:体效应 课时18:短沟效应、DIBL和本节小结 课时19:亚阈值电流 课时20:栅氧漏电流 课时21:扩散区pn结漏电流 课时22:栅极感应漏端漏电与本节小结 课时23:MOS管的温度特性 课时25:电压传输特性 课时26:VTC分析方法 课时27:开关阈值电压与本节小结 课时28:单级噪声容限 课时29:电压传输特性的稳定性 课时30:多级噪声容限及本节小结 课时31:复杂逻辑门的静态特性 课时33:用于延时分析的反相器模型 课时34:反相器的驱动电阻 课时35:反相器的负载电容 课时36:门延时的组成 课时37:反相器延时的设计准则 课时38:复杂逻辑门的驱动电阻 课时39:大扇入逻辑门的尺寸设计 课时40:考虑内部节点电容的延时模型 课时41:复杂逻辑门延时与输入图形的关系 课时42:逻辑门延时模型 课时43:本征延时 课时44:努力延时 课时45:关键路径 课时46:固定级数时的逻辑路径的尺寸优化 课时47:级数可变时逻辑路径的尺寸优化 课时48:逻辑路径尺寸优化方法小结 课时49:电路级优化 课时50:逻辑结构优化 课时51:本章总结 课时53:集成电路的功耗问题 课时54:逻辑门电容充电功耗模型 课时55:开关活动性 课时56:虚假翻转 课时57:直流通路引起的功耗和本节小结 课时58:CMOS逻辑门的静态功耗分量 课时59:亚阈值漏电流功耗 课时60:堆叠效应 课时61:本节小结 课时62:功耗优化指标 课时63:电源电压优化 课时64:VDD-尺寸的联合优化 课时65:VDD-VT联合优化 课时67:集成电路中的导线 课时68:互连线的寄生电容 课时69:互连线的寄生电阻 课时70:电感的影响和寄生效应小结 课时71:集总电容模型 课时72:分布rc模型 课时73:考虑互连线延时的电路延时 课时74:互连线延时的优化 课时75:电容串扰及其影响 课时76:克服电容串扰的方法 课时77:IR Drop 课时78:L(didt) 课时79:互连线的信号完整性小结 课时80:互连线的Scaling Down 课时82:组合逻辑 课时83:静态互补CMOS逻辑的特点 课时84:伪NMOS逻辑门的静态特性 课时85:伪NMOS逻辑门的传播延时 课时86:伪NMOS逻辑门的功耗与特点 课时87:差分串联电压开关逻辑 课时88:传输管逻辑的工作原理 课时89:传输管逻辑的延时和功耗 课时90:电平恢复技术 课时91:低阈值传输管 课时92:CMOS传输门 课时93:传输管逻辑信号的完整性问题 课时94:动态逻辑 课时95:动态逻辑基本原理 课时96:串联动态门 课时97:动态逻辑的速度 课时98:动态逻辑的功耗 课时99:电荷泄漏 课时100:电荷共享 课时101:电容耦合 课时102:组合逻辑类型的选择 课时104:时序逻辑和时序单元 课时105:双稳态原理 课时106:锁存器 课时107:主从边沿触发寄存器 课时108:时序参数的定义
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本课程包含模拟电路核心知识,采用理论与实践并重的方式,了解常用元器件和封装,学习NE555芯片内部工作原理,自己动手绘制基于NE555的模拟电路,帮助学员快速掌握模拟电路。...
课时1:背景介绍 课时2:电流介绍 课时3:电路和电流 课时4:直流电和交流电 课时5:电压概念 课时6:直流电源简介 课时7:电压电流小实验 课时8:欧姆定律 课时9:利用欧姆定律计算电阻选型 课时10:安全电压 课时11:元器件和pcb 课时12:电阻器 课时13:电容器 课时14:电和磁的关系 课时15:电感介绍 课时16:LRC振荡电路 课时17:保险丝和熔断器 课时18:安全警示 课时19:接插件 课时20:蜂鸣器 课时21:电阻的测量 课时22:万用表测电压 课时23:电压表量程 课时24:万用表测电流 课时25:circuit软件入门 课时26:欧姆定律和电阻串并联 课时27:电容器仿真 课时28:电感器仿真 课时29:分压电路 课时30:电位器仿真 课时31:常见电学的定律 课时32:毫瓦时和毫安时 课时33:继电器入门 课时34:继电器仿真 课时35:三极管入门 课时36:npn三极管仿真 课时37:pnp三极管的仿真 课时38:三极管的放大特性 课时39:mos管和三极管 课时40:ne555简介 课时41:ne555引脚简介 课时42:比较器(运放) 课时43:相反器 课时44:或非门 课时45:双稳态触发器 课时46:ne555的原理图绘制 课时47:外围电路搭建 课时48:ne555输出方波原理 课时49:ne555外围电路 课时50:ne555电子琴原理介绍 课时51:模拟器中的ne555 课时52:pcb概念入门 课时53:pcb生产制造流程 课时54:eda软件 课时55:立创eda绘制原理图 课时56:简易pcb绘制 课时57:绘制pcb的小细节 课时58:pcb下单流程 课时59:非接触式电笔原理 课时60:非接触测电笔绘制 课时61:电子琴原理图绘制 课时62:电子琴的pcb元件摆放 课时63:布局和丝印调整 课时64:电子琴的pcb布局
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進階混訊實體晶片佈局設計...
课时1:Introduction 课时2:Manufacturing Process(1) 课时3:Manufacturing Process(2) 课时4:Manufacturing Process(3) 课时5:Mismatch vs Strategies(1) 课时6:Mismatch vs Strategies(2) 课时7:Mismatch vs Strategies(3) 课时8:Failure Mechanisms 课时9:Layout of MOS Transistor(1) 课时10:Layout of MOS Transistor(2) 课时11:Layout of MOS Transistor(3) 课时12:Wire(1) 课时13:Wire(2) 课时14:Wire(3) 课时15:Layout of Resistor 课时16:Layout of Capacito(1) 课时17:Layout of Capacito(2) 课时18:Layout of Capacito(3)
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Analog IC Design...
课时1:Introduction to Analog Design (1_6) 课时2:Introduction to Analog Design (2_6) 课时3:Introduction to Analog Design (3_6) 课时4:Introduction to Analog Design (4_6) 课时5:Introduction to Analog Design (5_6) 课时6:Introduction to Analog Design (6_6) 课时7:Diode (1_2) 课时8:Diode (2_2) 课时9:MOS (1_4) 课时10:MOS (2_4) 课时11:MOS (3_4) 课时12:MOS (4_4) 课时13:Current Source (1_5) 课时14:Current Source (2_5) 课时15:Current Source (3_5) 课时16:Current Source (4_5) 课时17:Current Source (5_5) 课时18:Operational Amplifiers (1_10) 课时19:Operational Amplifiers (2_10) 课时20:Operational Amplifiers (3_10) 课时21:Operational Amplifiers (4_10) 课时22:Operational Amplifiers (8_10) 课时23:Operational Amplifiers (9_10) 课时24:Operational Amplifiers (10_10) 课时25:Data Converter Background (1_5) 课时26:Data Converter Background (2_5) 课时27:Data Converter Background (3_5) 课时28:Data Converter Background (4_5) 课时29:Data Converter Background (5_5) 课时30:DAC (1_6) 课时31:DAC (2_6) 课时32:DAC (3_6) 课时33:DAC (4_6) 课时34:DAC (5_6) 课时35:DAC (6_6) 课时36:ADC (1_5) 课时37:ADC (2_5) 课时38:ADC (3_5) 课时39:ADC (4_5) 课时40:ADC (5_5) 课时41:Current Reference(1_4) 课时42:Current Reference(2_4) 课时43:Current Reference(3_4) 课时44:Current Reference(4_4) 课时45:Two Stage OPAMP(1_1) 课时46:Voltage Reference(1_1)
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Analog IC Layout视频教程...
课时1:Analog Integrated Circuit Layout_CH2_Manufacturing Process(1_6) 课时2:Analog Integrated Circuit Layout_CH2_Manufacturing Process(2_6) 课时3:Analog Integrated Circuit Layout_CH2_Manufacturing Process(3_6) 课时4:Analog Integrated Circuit Layout_CH2_Manufacturing Process(4_6) 课时5:Analog Integrated Circuit Layout_CH2_Manufacturing Process(5_6) 课时6:Analog Integrated Circuit Layout_CH2_Manufacturing Process(6_6) 课时7:Analog Integrated Circuit Layout_CH3_Mismatches vs Strategies(1_3) 课时8:Analog Integrated Circuit Layout_CH3_Mismatches vs Strategies(2_3) 课时9:Analog Integrated Circuit Layout_CH3_Mismatches vs Strategies(3_3) 课时10:Analog Integrated Circuit Layout_CH4_Failure Mechanisms(1_1) 课时11:Analog Integrated Circuit Layout_CH5_Layout of MOS Transistor(1_6) 课时12:Analog Integrated Circuit Layout_CH5_Layout of MOS Transistor(2_6) 课时13:Analog Integrated Circuit Layout_CH5_Layout of MOS Transistor(3_6) 课时14:Analog Integrated Circuit Layout_CH5_Layout of MOS Transistor(4_6) 课时15:Analog Integrated Circuit Layout_CH5_Layout of MOS Transistor(6_6) 课时16:Analog Integrated Circuit Layout_CH6_Case study of MOS Layout(1_2) 课时17:Analog Integrated Circuit Layout_CH6_Case study of MOS Layout(2_2) 课时18:Analog Integrated Circuit Layout_CH8_Layout of Resistor(1_3) 课时19:Analog Integrated Circuit Layout_CH8_Layout of Resistor(2_3) 课时20:Analog Integrated Circuit Layout_CH8_Layout of Resistor(3_3) 课时21:Analog Integrated Circuit Layout_CH10_Layout of Capacitor(1) 课时22:Analog Integrated Circuit Layout_CH10_Layout of Capacitor(2) 课时23:Analog Integrated Circuit Layout_CH10_Layout of Capacitor(3) 课时24:Analog Integrated Circuit Layout_LAB2 课时25:Analog Integrated Circuit Layout_CH7_The Wire(1) 课时26:Analog Integrated Circuit Layout_CH7_The Wire(2) 课时27:Analog Integrated Circuit Layout_CH7_The Wire(3) 课时28:Analog Integrated Circuit Layout_CH7_The Wire(4) 课时29:Analog Integrated Circuit Layout_CH7_The Wire(5) 课时30:Analog Integrated Circuit Layout_CH9_Yield Consideration(1_2) 课时31:Analog Integrated Circuit Layout_CH9_Yield Consideration(2_2) 课时32:Analog Integrated Circuit Layout_LAB3 课时33:Analog Integrated Circuit Layout_CH11_Layout of Inductor(1)
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电源小白到实战视频教程...
课时1:线性调压器与LDO 课时2:开关电源一定得搞懂:降压_升压拓扑是如何工作 课时3:既能升压又能降压的电源,是如何工作的? 课时4:正激与反激—电路分析、设计要点与参数选择 课时5:桥式变换,一看就懂!附五大拓扑对比与分析 课时6:电源中的电容大小如何确定?过来人告诉你,得计算! 课时7:电路缺了它就不行!电感6大功能一次讲透 课时8:抛开书本重新认识MOS管,硬核分析开关过程,看完就懂 课时9:这大概是对工程师的设计能力要求最高的器件 课时10:电源芯片大盘点!超详细选型攻略?经典VS新兴哪个好 课时11:开关电源仿真设计全过程:需求分析_控制_PWM
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基础电子元器件介绍...
课时1:基础元器件和电阻 课时2:基础元器件:电容器 课时3:基础元器件:电感 课时4:基础元器件:保险 课时5:基础元器件:二极管 课时6:基础元器件:三极管 课时7:基础元器件+接插件 课时8:基础元器件+蜂鸣器 课时9:基础元器件+MOS 课时10:基础元器件+电阻提高篇 课时11:基础元器件+电感提高篇-变压器 课时12:基础元器件+二极管提高篇-整流桥 课时13:基础元器件+IGBT 课时14:基础元器件+电源转换器件 课时15:基础元器件+晶振 课时16:基础元器件+继电器 课时17:基础元器件+光耦 课时18:基础元器件+缓冲器 课时19:基础元器件+触发器 课时20:基础元器件+计数器 课时21:基础元器件-AD DA转换器 课时22:基础元器件+隔离放大器 课时23:基础元器件+运放 课时24:基础元器件+电压基准源 课时25:基础元器件+555定时器
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现代控制及数字技术的快速发展,使先进的电气控制与信息系统成为几乎所有非电工程领域重要的技术支撑。渴求认知电气信息系统应用要点和基本技术的未来的非电工程师们,来学习这门课程吧!她将带领大家分享构建起电气信息系统整体知识框架的愉悦,收获“感性认知”和“我来设计实现”的实验过程的快乐。...
课时1:电路模型 课时2:电路模型与电路基本定律 课时3:电路状态及线性_非线性电路 课时4:线性电路与非线性电路2 课时5:恒定_变化激励下的电路问题 课时6:变化激励下的电路问题(续) 课时7:网孔电流法,节点电压法 课时8:节点电压法(续),等效方法应用 课时9:等效方法应用(续) 课时10:电路分析的基本方法应用 课时11:正弦交流电的相量描述 课时12:正弦量与电路约束的相量表示-复阻抗 课时13:交流电路的复阻抗(续) 课时14:交流电路功率与相量分析概要 课时15:相量分析法与三相电路 课时16:三相电路及其分析 课时17:三相电路及其分析(续) 课时18:双口网络与传递函数 课时19:传递函数(续)-交流电路频率特性分析 课时20:频率特性(续)-谐振 课时21:谐振(续) 课时22:非正弦信号谐波分析 课时23:暂态现象及换路定律 课时24:换路定律(续)与一阶电路瞬态分析 课时25:一阶电路的瞬态分析(续1) 课时26:一阶电路的瞬态分析(续2) 课时27:二阶电路的瞬态分析与拉氏变换 课时28:信号分类及信号与信息 课时29:模拟信号分析和系统问题 课时30:系统问题(续) 课时31:模拟检测系统组成-技术指标-传感器 课时32:传感器及放大器放大能力分析 课时33:放大器频率响应 课时34:多级放大及放大器失真 课时35:放大器失真(续) 课时36:模拟系统典型结构-稳态分析-动态分析 课时37:模拟控制系统动态分析和稳定性分析 课时38:模拟控制系统稳定性分析(续) 课时39:模拟控制系统特性补偿-过程控制系统 课时40:过程控制系统(续) 课时41:数字信号 课时42:数字信号(续)及ADC 课时43:ADC(续)-DAC-数值运算-逻辑演算 课时44:逻辑演算(续) 课时45:组合逻辑系统的基本类型及分析与设计 课时46:触发器-数字寄存的类型及实现 课时47:寄存器(续)-计数器 课时48:计数器(续) 课时49:继电接触控制技术 课时50:继电接触控制(续)及PLC技术 课时51:逻辑控制PLC技术(续1) 课时52:逻辑控制PLC技术(续2) 课时53:数字控制系统特点、优势及组成 课时54:PID控制策略的算法实现和数字滤波方法 课时55:数字控制系统的时域分析方法和传递函数 课时56:数字控制系统的响应特性和稳定性分析 课时57:数字控制系统的稳定性分析(续) 课时58:数据通信系统的基本概念 课时59:基带_频带传输和传输差错控制方法 课时60:数据通信系统组成、协议和局域网 课时61:以太网、令牌和现场总线 课时62:安全用电 课时63:安全用电(续) 课时64:数字集成电路 课时65:主要集成逻辑系列和信号传播延时 课时66:集成电路的扇出能力和线逻辑 课时67:线逻辑(续)-可编程逻辑器件 课时68:可编程逻辑器件(续) 课时69:运算放大器芯片特点及其线性应用 课时70:运算放大器主要线性应用(续1) 课时71:运放主要线性应用(续2)-有源滤波 课时72:运放有源滤波-频率特性-传递特性 课时73:运放电路的传递特性及其稳定性问题 课时74:运放的直流偏置与运放非线性应用 课时75:运放非线性应用(续1) 课时76:运放非线性应用(续2) 课时77:晶体管类型与BJT电路模型 课时78:BJT电路模型(续) 课时79:晶体管放大电路构成与共射极放大电路 课时80:共射极放大电路(续)-共集电极电路 课时81:共集电极放大(续)-频率特性-场效管 课时82:场效管放大-多级放大-差分放大 课时83:差分放大电路(续) 课时84:二极管工作机理、外特性 课时85:二极管应用-稳压管 课时86:晶闸管-直流电源-可_不可控整流滤波 课时87:滤波-稳压 课时88:逆变电路-MOS逻辑电路 课时89:MOS逻辑电路(续) 课时90:电磁基本定理及交直流磁路 课时91:电磁感应基本应用及变压器 课时92:变压器(续) 课时93:三相异步电动机的结构及工作原理 课时94:三相异步电动机工作原理与使用技术 课时95:三相异步机使用技术(续1) 课时96:三相异步机使用(续2)及单相异步机 课时97:单相异步电动机(续)及低压电器类型 课时98:低压电器类型(续) 课时99:自主实验教学模式视频展示 课时100:实验过程—晶体管放大电路实验视频
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大学进阶类电子电路课程介绍分析。 结合VLSI IC等相相关课程与经验,学习电路设计、模拟与验证的技巧...
课时1:Introduction to Analog Design 课时2:Basic MOS Device Physics 课时3:Single-Stage Amplifiers-01 课时4:Single-Stage Amplifiers-02 课时5:Differential Amplifiers-01 课时6:Differential Amplifiers-02 课时7:Passive and Active Current Mirrors-01 课时8:Passive and Active Current Mirrors-02 课时9:Frequency Response of Amplifiers-01 课时10:Frequency Response of Amplifiers-02 课时11:Noise-01 课时12:Noise-02 课时13:Feedback-01 课时14:Feedback-02 课时15:Operational Amplifiers-01 课时16:Operational Amplifiers-02 课时17:Operational Amplifiers-03 课时18:Operational Amplifiers-04 课时19:Stability and Frequency Compensation-01 课时20:Stability and Frequency Compensation-02
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模拟电路基础:从系统级到电路级”紧紧围绕微弱信号处理电路这个主题,按照从系统级到电路级组织内容,系统级电路教学目标是心电信号处理电路设计,电路级电路教学目标是单端输出二级运放电路设计。...
课时1:电路与电路模型 课时2:电路元件特性 课时3:电路定律 课时4:节点分析法 课时5:线性电阻电路分析 课时6:附录:软件入门指导 课时7:动态电路微分方程 课时8:动态电路微分方程复频域求解 课时9:动态电路时域近似求解 课时10:一阶动态电路响应 课时11:RC电路充放电 课时12:动态电路复频域方程 课时13:动态电路频域特性求解 课时14:电路系统函数 课时15:RLC电路频率响应 课时16:理想运算放大器 课时17:描述运放非理想特性的参数 课时18:负反馈放大器 课时19:比例放大电路 课时20:加法减法电路 课时21:差分放大电路 课时22:微分积分对数指数电路 课时23:一阶有源RC滤波器 课时24:二阶有源RC滤波器1 课时25:二阶有源RC滤波器2 课时26:测量放大器 课时27:心电信号处理电路1 课时28:心电信号处理电路2 课时29:MOS晶体管工作原理1 课时30:MOS晶体管工作原理 课时31:MOS晶体管类型 课时32:MOS晶体管直流特性 课时33:MOS晶体管交流小信号特性 课时34:MOS晶体管偏置电路 课时35:CMOS共源放大电路1 课时36:CMOS差分放大电路 课时37:CMOS二级运放电路
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本课程是硬石科技讲解的基于STM32的电机控制课程,包括直流有刷电机控制,PID闭环控制器,舵机控制,步进电机驱动与控制,直流无刷电机驱动与控制等内容...
课时1:直流有刷电机(第1节)_电机概述&硬石电机实验箱 课时2:直流有刷电机(第2节)_有刷电机原理和减速电机 课时3:直流有刷电机(第3节)_电机参数和电机控制基础 课时4:直流有刷电机(第4节)_H桥驱动的不同模式分析 课时5:直流有刷电机(第5节)_MOS管驱动原理分析(含自举电路) 课时6:直流有刷电机(第6节)_硬石有刷驱动板原理图分析 课时7:直流有刷电机(第7节)_有刷电机基本旋转驱动代码分析 课时8:直流有刷电机(第8节)_有刷电机的按键和串口控制实现 课时9:直流有刷电机(第9节)_有刷电机编码器测速实现 课时10:PID算法实现闭环控制(第1节)_闭环控制系统 课时11:PID算法实现闭环控制(第2节)_PID控制的比例P和积分I的介绍 课时12:PID算法实现闭环控制(第3节)_PID控制的微分项 课时13:PID算法实现闭环控制(第4节)_位置式PID和增量式PID算法介绍 课时14:PID算法实现闭环控制(第5节)_增量式PID速度闭环代码分析1(PID上位机使用介绍) 课时15:PID算法实现闭环控制(第6节)_增量式PID速度闭环代码分析2 课时16:PID算法实现闭环控制(第7节)_位置式PID速度环和位置环代码分析 课时17:PID算法实现闭环控制(第8节)_PID参数调试方法 课时18:PID算法实现闭环控制(第9节)_电机电流采集原理和代码分析 课时19:PID算法实现闭环控制(第10节)_提高电流采集精度 课时20:PID算法实现闭环控制(第11节)_限流保护功能 课时21:PID算法实现闭环控制(第12节)_电流环 课时22:PID算法实现闭环控制(第13节)_位置速度电流多闭环 课时23:舵机控制(第1节)_舵机的内部结构和工作原理 课时24:舵机控制(第2节)_舵机的控制信号和控制演示 课时25:步进电机驱动与控制(第1节)_步进电机的几个基本概念 课时26:步进电机驱动与控制(第2节)_单相和两相步进电机结构和工作原理 课时27:步进电机驱动与控制(第3节)_步进电机分类与结构特点 课时28:步进电机驱动与控制(第4节)_步进电机工作原理和细分驱动原理 课时29:步进电机驱动与控制(第5节)_28步进电机驱动硬件设计分析 课时30:步进电机驱动与控制(第6节)_28步进电机旋转和控制 课时31:步进电机驱动与控制(第7节)_57步进电机参数介绍 课时32:步进电机驱动与控制(第8节)_57步进电机驱动芯片说明1 课时33:步进电机驱动与控制(第9节)_57步进电机驱动芯片说明2 课时34:步进电机驱动与控制(第10节)_57步进电机旋转实现 课时35:步进电机驱动与控制(第11节)_57步进电机旋转控制 课时36:步进电机驱动与控制(第12节)_4个步进电机和RS485的控制例程分析 课时37:步进电机梯形加减速(第1节)_步进电机的失步和过冲 课时38:步进电机梯形加减速(第2节)_梯形加减速算法原理分析 课时39:步进电机梯形加减速(第3节)_梯形加减速算法实现分析1 课时40:步进电机梯形加减速(第4节)_梯形加减速算法实现分析2 课时41:步进电机梯形加减速(第5节)_梯形加减速代码分析1 课时42:步进电机梯形加减速(第6节)_梯形加减速代码分析2 课时43:步进电机梯形加减速(第7节)_直线滑台和接近开关 课时44:步进电机梯形加减速(第8节)_丝杆滑台运动控制 课时45:步进电机梯形加减速(第9节)_丝杆滑台控制代码实现分析1 课时46:步进电机梯形加减速(第10节)_丝杆滑台控制代码实现分析2 课时47:步进电机闭环系统(第1节)_双出轴步进电机和编码器 课时48:步进电机闭环系统(第2节)_增量式AB相编码器数据读取 课时49:步进电机闭环系统(第3节)_光栅尺和绝对式编码器读取 课时50:步进电机闭环系统(第4节)_PID速度环 课时51:步进电机闭环系统(第5节)_位置闭环和双闭环 课时52:直流无刷电机驱动与控制(第1节)_基本介绍 课时53:直流无刷电机驱动与控制(第2节)_BLDC的工作原理1
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Analysis and optimized design of integrated analog systems and building blocks. Specific topics include operational and wide-band amplifiers, gain-ban...
课时1:01(1)(introduction) 课时2:02(1)(cmos工艺中的无源器件) 课时3:02(2)(cmos无源器件) 课时4:02(3)(cmos无源器件) 课时5:02(4)(cmos无源器件) 课时6:03(1)(mos管模型) 课时7:03(2)(mos管模型) 课时8:04(1)(mos管小信号模型) 课时9:04(2)(mos管小信号模型) 课时10:05(1)(噪声) 课时11:05(2)(噪声) 课时12:06(1)(噪声分析实例) 课时13:06(2)(噪声分析实例) 课时14:07(1)(噪声与反馈) 课时15:07(2)(噪声与反馈) 课时16:08(1)(电流源) 课时17:08(2)(电流源) 课时18:08(3)(电流源) 课时19:09(1)(放大器) 课时20:09(2)(放大器) 课时21:10(1)(单端输出与全差分输出放大器) 课时22:10(2)(单端输出与全差分输出放大器) 课时23:10(3)(单端输出与全差分输出放大器) 课时24:11(1)(折叠式共源共栅ota) 课时25:11(2)(折叠式共源共栅ota) 课时26:12(1)(反馈) 课时27:12(2)(反馈) 课时28:13(1)(settling) 课时29:13(2)(settling) 课时30:13(3)(settling) 课时31:13(4)(settling) 课时32:14(1)(设计实例) 课时33:14(2)(设计实例) 课时34:14(3)(设计实例) 课时35:15(1)(共模反馈) 课时36:15(2)(共模反馈) 课时37:15(3)(共模反馈) 课时38:15(4)(共模反馈) 课时39:16(1)(多级放大器) 课时40:16(2)(多级放大器) 课时41:16(3)(多级放大器) 课时42:17(1)(基准源) 课时43:17(2)(基准源) 课时44:18(1)(比较器) 课时45:18(2)(比较器) 课时46:18(3)(比较器) 课时47:18(4)(比较器) 课时48:19(1)(offset cancellation) 课时49:19(2)(offset cancellation) 课时50:19(3)(offset cancellation) 课时51:19(4)(offset cancellation) 课时52:20(1)(mos采样保持电路) 课时53:20(2)(mos采样保持电路) 课时54:20(3)(mos采样保持电路)
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模拟电路设计的圣经,由模电大师拉扎维亲自讲授! Fundamentals Of Microelectronics https://download.eeworld.com.cn/detail/CMOS/604061 传感器建模设计问题制造和实际应用的发展 http:...
课时1:Electronics 1, Lec 1, Intro., Charge Carriers, Doping 课时2:Lec 2. Doping, Drift 课时3:Lec 3. Diffusion, Intro. to PN Junction 课时4:Lec 4, PN Junction in Equilibrium & Reverse Bias 课时5:Lec 5, PN Junction in Forward Bias, Intro. to Diodes 课时6:Lec 6, Diode Models 课时7:Lec 7, Analysis of Diode Circuits I 课时8:Lec 8, Analysis of Diode Circuits II 课时9:Lec 9, Other Examples of Diode Circuits, Half-Wave Rectifier 课时10:Lec 10, Half-Wave Rectifier with Different Loads 课时11:Lec 11, Full-Wave Rectifier 课时12:Lec 12, Limiters and Voltage Doublers 课时13:Lec 13, Bipolar Transistor Structure & Operation 课时14:Lec 14, Bipolar Transistor Characteristics, Intro. to Biasing 课时15:Lec 15, Transistor Biasing, Transconductance 课时16:Lec 16, Large-Signal & Small-Signal Operation 课时17:Lec 17, Bipolar Small-Signal Model, Early Effect 课时18:Lec 18, PNP Transistor 课时19:Lec 19, Evolution of Ampifiers 课时20:Lec 20, Common-Emitter Stage 课时21:Lec 21, Input & Output Impedances 课时22:Lec 22, Common-Emitter Stage with Degeneration 课时23:Lec 23, More on Emitter Degeneration 课时24:Lec 24, Biasing Techniques I 课时25:Lec 25, Biasing Techniques II 课时26:Lec 26, Common-Base Stage 课时27:Lec 27, Emitter Followers 课时28:Lec 28, Emitter Follower & Summary 课时29:Lec 29, Intro. to MOSFETs 课时30: Lec 30, MOS Characteristics I 课时31:Lec 31, MOS Characteristics II 课时32:Lec 32, Biasing, Transconductance 课时33:Lec 33, Large-Signal & Small-Signal Operation 课时34:Lec 34, MOS Small-Signal Model, PMOS Device 课时35:Lec 35, Common-Source Stage I 课时36:Lec 36, Common-Source Stage II 课时37:Lec 37, Common-Source Variants 课时38:Lec 38, Common-Source Stage with Degeneration 课时39:Lec 39, Biasing Techniques, Intro. to Common-Gate Stage 课时40:Lec 40, Common-Gate Stage 课时41: Lec 41, Source Followers & Summary 课时42:Lec 42, Op Amp Circuits 1 课时43:Lec 43, Op Amp Circuits II 课时44:Lec 44, Nonlinear Op Amp Circuits, Op Amp Nonidealities I 课时45:Lec 45, Op Amp Nonidealities II 课时46:Razavi Basic EE Lec 1_2 课时47:Razavi Basic EE Lec 1_2 课时48:Test Video 课时49:Razavi Electronics2 Lec1- Introduction, Cascode Current Sources 课时50:Razavi Electronics2 Lec2- MOS and Bipolar Cascode Current Sources, Intro. to Cascode Amplifiers 课时51:Razavi Electronics2 Lec3- MOS and Bipolar Cascode Amplifiers 课时52:Razavi Electronics2 Lec4- Additional Cascode Examples, Cascode Amp with PMOS Input 课时53:Razavi Electronics2 Lec5- Problem of Biasing; Intro. to Current Mirrors 课时54:Razavi Electronics2 Lec6- Current Mirror Examples, Proper Scaling, Bipolar Current Mirrors 课时55:Razavi Electronics2 Lec7- Problem of Noise Coupling, Intro. To Differential Pair 课时56:Razavi Electronics2 Lec8- Intuitive Study of Bipolar Diff. Pair, CM and Diff. Characs 课时57:Razavi Electronics2 Lec9- Large-Signal Analysis of Bipolar Differential Pair 课时58:Razavi Electronics2 Lec10. Small-Signal Analysis of Bipolar Differential Pair 课时59:Razavi Electronics2 Lec 11- Additional Examples of Bipolar Diff Pairs 课时60:Razavi Electronics2 Lec12- Large-Signal Analysis of MOS Differential Pair 课时61:Razavi Electronics2 Lec13- Additional Analysis of MOS Differential Pair 课时62:Razavi Electronics2 Lec14- Small-Signal Analysis of MOS Differential Pair 课时63:Razavi Electronics2 Lec15- High-Gain Differential Pairs, Intro. to Diff. Pair with Active Load 课时64:Razavi Electronics2 Lec16- Small-Signal Behavior of Diff. Pair with Active Load 课时65:Razavi Electronics2 Lec17- Introduction to Frequency Response- Basic Concepts 课时66:Razavi Electronics2 Lec18- Useful Frequency Response Concepts, Finding Poles by Inspection 课时67:Razavi Electronics2 Lec19- Miller Effect, High-Frequency Model of Bipolar Transistors 课时68:Razavi Electronics2 Lec20- Examples of Capacitances in Bipolar Circuits, High-Freq. Model of MOSFETs 课时69:Razavi Electronics2 Lec21- Computation of Freq. Resp., Freq. Resp. of Common-Emitter-Source Stages 课时70:Razavi Electronics2 Lec22- Dominant-Pole Approx., Resp. of CE-CS & Common-Base-Gate Stage 课时71:Razavi Electronics2 Lec23- Examples of High-Speed Circuits, Response of Common-Base-Gate Stage 课时72:Razavi Electronics2 Lec24- Response of Emitter-Source Followers, Input & Output Impedances 课时73:Razavi Electronics2 Lec25- Output Imp. of Followers, Freq. Resp. of Cascodes and Diff. Pairs; ft 课时74:Razavi Electronics2 Lec26- Additional Examples of Frequency Response, Cascaded Stages 课时75:Razavi Electronics2 Lec27- Intro. To Feedback, General Feedback System 课时76:Razavi Electronics2 Lec28- Feedback Examples, Concept of Loop Gain 课时77:Razavi Electronics2 Lec29- Application Examples of Feedback, Properties of Feedback Systems 课时78:Razavi Electronics2 Lec30- A Closer Look at Properties of Feedback Systems 课时79:Razavi Electronics2 Lec31- Foundations for Feedback Analysis- Types of Amplifiers 课时80:Razavi Electronics2 Lec32- Foundations for Feedback Analysis- Sense & Return Mechanisms 课时81:Razavi Electronics2 Lec33- Feedback Circuit Examples, Sign of Feedback 课时82:Razavi Electronics2 Lec34- Four Feedback Topologies, Voltage-Voltage (Shunt-Series) Feedback 课时83:Razavi Electronics2 Lec35- Examples of Voltage-Voltage Feedback 课时84:Razavi Electronics2 Lec36- Additional Examples of Voltage-Voltage Feedback 课时85:Razavi Electronics2 Lec37- Voltage-Current (Shunt-Shunt) Feedback 课时86:Razavi Electronics2 Lec38- Examples of Voltage-Current Feeback, Current-Voltage-Feedback 课时87:Razavi Electronics2 Lec39- Application Examples of Feedback, More on Current-Voltage Feedback 课时88:Razavi Electronics2 Lec40- Current-Current Feedback, App. of Feedback in Power Management 课时89:Razavi Electronics2 Lec41- Effect of Loading in Feedback, Opening the Loop Properly 课时90:Razavi Electronics2 Lec42- Accurate Analysis of Feedback Circuits 课时91:Razavi Electronics2 Lec43- Intro. 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示波器就该这么玩,是德科技专家手把手教你花式玩转示波器...
课时1:【3.1】啥是六合一示波器? 课时2:【3.2】示波器触发知多少? 课时3:【3.3】示波器内置频率计好处多 课时4:【3.6】示波器耦合模式的用法 课时5:【3.7】示波器不同的采集模式讲解 课时6:【3.8】示波器总线测试讲解之基础概念 课时7:【3.9】示波器总线测试讲解之汽车电子 课时8:【3.10】示波器总线测试讲解之分段存储 课时9:【3.13】示波器无源探头校准的重要性与校准方法 课时10:【3.14】无源探头标配的这些附件与探头保养维护方法1 课时11:【3.15】无源探头标配的附件与探头保养维护方法2 课时12:【3.16】如何选择合适的探头? 课时13:【3.17】如何利用示波器测量uA级电流和uV级电压? 课时14:【3.20】电压纹波测试注意事项 课时15:【3.21】MOSFET Vds 电压测试注意事项 课时16:【3.22】MOS 管开关损耗测试 课时17:【3.23】开关电源波特图测试与结果解析 课时18:【3.24】十分钟学会自动化测试编程 课时19:【3.27】示波器新手入门攻略 课时20:【3.28】示波器内置任意波形发生器怎么用 课时21:【3.29】抖动基础知识与测量 课时22:【3.30】眼图分析与测量详解
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