晶体
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美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管,其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管,将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。 新型晶体管的“艺术照”。图片来源:美国麻省理工学院官网 晶体管是现代电子设备和集成电路中的基础元件,具有多种重要功能,包括放大和开关电信...
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非常见问题解答第222期:开关模式电源问题分析及其纠正措施:晶体管时序和自举电容问题 问题 当输入和输出电压接近时,为什么难以获得稳定的输出电压? 回答 占空比过大或过小(尤其是在高开关频率下)可能会导致时序不符合规格要求,进而造成系统性能下降。 摘要 本文是系列文章中的第三篇,该系列文章将讨论常见的开关模式电源(SMPS)的设计问题及其纠正方案。...
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后摩尔时代专题,泰克张欣与北大集成电路学院唐克超老师共话铁电晶体管、存储计算科研进展 随着人工智能和大数据技术的飞速发展,对算力和存储的需求日益增长。传统的计算架构逐渐显露出局限性,这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。在后摩尔时代,铁电晶体管(FeFET)作为一种新型的信息器件,因其在存储和计算领域的潜在应用而备受关注。 泰克科技与北京大学集成电路学院联...
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申请技术丨光子智能座舱透明显示系统 申报领域丨智能座舱 独特优势: 光子智能座舱透明显示系统,是基于完全自主知识产权的“光子透明芯片(nanoAR™)显示技术”打造的车内沉浸式娱乐系统。它可以把汽车玻璃(天窗、侧窗、隔断、前挡等)变成透明大屏幕显示器,应用于车内的沉浸式娱乐信息显示、通讯、办公等场合,真正使得...
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【2024年8月16日,德国慕尼黑讯】 直流-直流(DC-DC)转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的,用于连接高压电池和低压辅助电路 。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇,以及48 V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外,DC-DC转换器对于开发更多具有低压功能的经济节能车型也十分重要。TechInsights1的数据显示...
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【2024年7月11日,德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列 。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合,它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可...
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【2024年7月9日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。 这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能,确保...
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单片机的外部晶振稳定,受温度,湿度等环境因素影响比内部振荡器小,精度比较高。而且当设计需要降低功耗时,比如说便携式仪表等,就需要外设晶振,因为内部振荡器不能根据需要停止,而外部晶振可以适时停止,从而进入休眠状态,降低功耗。 晶振被旁路原理 ”晶振/时钟被旁路“ 是指将芯片内部的用于外部晶体起振和功率驱动等的部分电路和XTAL_OUT引脚断开,这时使用的外部时钟是有源时钟或者...
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晶体振荡器广泛用于电子设备中,以提供精确稳定的时钟信号。然而,并非所有的晶体振荡器都是一样的。在汽车行业中,由于与消费级晶体振荡器相比具有更高的可靠性和稳定性,因此使用了汽车级晶体振荡器 (ACXO)。在本文中,我们将探讨 ACXO 与消费级晶振的区别,以及它们在汽车行业的应用。我们还将提供奔驰EQ系列、宝马i系列、特斯拉、沃尔沃纯电系列、蔚来ET系列各系统中ACXO的应用实例...
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前言 电动车(EV)充电器是复杂的系统,需要精确的定时和同步,以实现高效和安全的充电操作。在实现这种精确性方面,关键组成部分之一就是水晶振荡器。在本文中,我们将探讨在EV充电器中不同应用中使用各种类型的水晶振荡器,以确保可靠性能和最佳充电体验。 提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考 一、充电控制电路 -充电器的核心 在每个EV充电器的核心是充电控制电路,负责监控和...
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这是基于功率晶体管TIP33C和TIP34C为主要部分构建的40W功率放大器的电路图。它采用对称/双电源供电。必须使用散热器来防止晶体管过热。 零件清单: 电阻器: 0,47 欧姆 5 瓦:2 10 欧姆 2W:1 33 欧姆 2W:1 100 欧姆 2W:2 10K 欧姆 2W:1 5,6 欧姆(1/4 瓦):2 120 欧姆:5 220 欧姆:1 470 欧姆:1...
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描述: 这是一个非常简单且易于构建的 AB 类音频放大器,使用四个晶体管。 AB 类操作中的每个输出设备传导超过一半的输入信号周期。 AB 类设计可实现高达 78% 的效率,同时减少交叉失真。此处所示的电路适用于小型无线电接收器、音频播放器、对讲机、电话和其他类似设备。 晶体管Q1及其相关元件构成前置放大器级。音频输入通过电阻器 R1 和电容器 C1 连接到 Q1 的基极。...
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4 月 23 日消息,印度理工学院孟买分校和伦敦国王学院的研究人员合作开发了一种超低功耗的二维晶体管,能够模拟蝗虫的神经元来实现避障功能,有望降低未来人工智能的能源消耗。 自动驾驶和机器人自主移动一直是机器学习和人工智能研发人员梦寐以求的目标,而避障则是这项技术能否在现实世界落地应用的关键。为此,双方研究人员致力于创造一种能以极低功耗实现避障的解决方案。 研究人员在研究避障行为...
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晶体管收音机是一种简单而有趣的技术小玩意,它改变了我们听音乐的方式。为了放大微弱的无线电信号并将其作为可听声音传输,它使用单个晶体管。本文将解释单晶体管收音机的电路原理图并解释其工作原理。 双极结型晶体管(BJT)是该电路中的主要元件。在此设置中,通常使用 NPN 晶体管。通过充当放大器,晶体管可以增强传入的微弱射频 (RF) 信号。天线接收射频,然后通过调谐 LC 电路将...
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构建放大器简单,使用标准且稳定可靠。这里介绍的 75 W 放大器电路能够驱动 4 欧姆,但是,尽管用于 4 欧姆,该放大器的误差非常小。 要注意的是,没有短路输出,因此当扬声器短路时,而放大器正在工作(有信号),则存在非常现实的危险,可能会损坏晶体管。 75W 晶体管音频放大器的特性如下 对 74 瓦输出功率的灵敏度– 略小于 1W(1W 为 75W) 增益– 27 dB...
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该晶体管功率放大器电路仅使用准互补放大器配置中的四个晶体管,即可以低成本向 4 欧姆负载提供 90W 的功率。 如图所示的晶体管功放电路,除了电源变压器和扬声器外,电路中没有昂贵的元件。如图所示,除了电源变压器和扬声器外,该电路中没有昂贵的元件。输入级由这两个电流驱动器直接升起一对晶体管的输出级组成。 晶体管级端 (2N3055) 安装在散热器上,以保持这些设备的使用寿命。...
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1.晶振12MHz,电容30PF左右。 2.外接晶体振荡器,外部振荡信号直接加到XTAL1,并将XTAL2悬空 3.晶体振荡器的作用,为cpu提供工作频率,这里指AT89C51。 4.内部方式,外部方式,是指cpu使用自带的工作频率还是外部提供的时钟振荡频率。 5.XTAL1, XTAL2是51的2个引脚,如果使用内部时钟,则2个引脚接地。...
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英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管,利用量子干涉来控制电子流。这一成果为在电子设备中使用量子效应带来了新的可能性,有望催生比现有设备更小、更快、更节能的新型晶体管,以制造新一代电子设备。相关论文发表于25日出版的《自然·纳米技术》杂志。 研究示意图 图片来源:《自然·纳米技术》杂志 晶体管是现代电子技术的基本组成部分,用于放大和切换电信号,...
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3月14日消息,Cerebras Systems发布了他们的第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale Engine 3),规格参数更加疯狂,而且在功耗、价格不变的前提下性能翻了一番。 2019年的第一代WSE-1基于台积电16nm工艺,面积46225平方毫米,晶体管1.2万亿个,拥有40万个AI核心、18GB SRAM缓存,支持9PB/s内存带宽、100P...
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英伟达首席执行官黄仁勋近年来多次在公开场合表示,“摩尔定律已死”。虽然英特尔和 AMD 高管持不同观点,但谷歌近日公布的一份报告,再次佐证了黄仁勋的观点。 摩尔定律是英特尔创始人之一戈登・摩尔的经验之谈,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过 18 个月到 24 个月便会增加一倍。换言之,处理器的性能大约每两年翻一倍,同时价格下降为之前的一半。 1 亿栅极晶体...
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(MHz):500 最高频率(MHz):1000 P3dB输出功率(W):600 增益值(dB):19.0 工作效率(%):49 PTRA097008NB-V1大功率射频LDMOS场效应晶体管...
作者:sz立维创展回复:0
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本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题,重点关注功率晶体管和自举电容 。功率晶体管具有最小和最大占空比,如果违反限值,将会导致SMPS性能下降。...
作者:okhxyyo回复:0
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晶体谐振器的工作原理 什么是石英 石英的化学成分为SiO2,晶体属六方晶系的氧化物矿物,即低温石英(a-石英),是石英族矿物中分布最广的一个矿物种。...
作者:YXC扬兴晶振回复:2
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RibbonFET:栅极 环抱 晶体管 通过RibbonFET晶体管,英特尔实现了全环绕栅极(GAA)架构。在晶体管中,栅极扮演着关键的开关角色,控制着电流的流动。...
作者:叶落便知秋回复:1
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RibbonFET:栅极 环抱 晶体管 通过RibbonFET晶体管,英特尔实现了全环绕栅极(GAA)架构。在晶体管中,栅极扮演着关键的开关角色,控制着电流的流动。...
作者:叶落便知秋回复:1
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在晶体管饱和开关时出现的延迟问题: 1、为使场效应晶体管开关动作时,加给晶体管的基极电流是比集电极电流/放大倍数大的电流,是为了晶体管饱和Vce电压较小降低损耗;在这种情况下,基极电流即使为零,晶体管也不能立即关断...
作者:乱世煮酒论天下回复:6
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什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)? IGBT是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。...
作者:qwqwqw2088回复:1
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晶体管有三个区域,截止区,放大区,饱和区,在模拟电路中要避免晶体管进入截止区和饱和区,而在数字电路晶体管处在截止区和饱和区,由晶体管的传输特性曲线,是否可以理解为当基极电流很小或者很大时,晶体管处在截止区和饱和区...
作者:乱世煮酒论天下回复:12
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石英晶体加工的最新发明是倒台面晶体(HFF-XTAL)是一种高频基本模式晶体单元,它利用由光刻技术实现的倒置台式形状AT- 截止,因此该晶体单元具有良好的温度、老化和冲击稳定性。...
作者:YXC扬兴晶振回复:0
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对于晶体管和场效应管的输出伏安特性,分为三个区域,截止区,饱和区和放大区。截止区,放大区,恒流区。对于这三个区域有不同的叫法,又有叫什么线性区,非线性区,这些区域的叫法有没有什么准确的依据?...
作者:乱世煮酒论天下回复:4
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当下很多设备上都离不开振荡器的使用,而其中晶体振荡器的应用更为常见。...
作者:YXC扬兴晶振回复:1
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因为不同领域的电子产品对石英晶体振荡器的需求是不同的,而温度补偿晶体振荡器是为了弥补普通晶体振荡器在高温下的不稳定因素而发展起来的,但是,温度补偿晶体振荡器有很多种,每一种温度补偿晶体振荡器都有自己的特点...
作者:YXC扬兴晶振回复:0
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为了满足这一需求, YSO120TK作为电子秤国产化替代的重要组成部分,YSO120TK石英晶体振荡器具有卓越的性能和可靠性。 电子秤国产化替代是当前行业的迫切需求。...
作者:YXC扬兴晶振回复:2
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YSX530GA陶瓷晶体作为充电枪的重要组成部分,具备高可靠性和高精度的特点,为充电设备提供了稳定的频率输出,确保充电过程的安全和稳定。...
作者:YXC扬兴晶振回复:0
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目前占主导的氮化镓半导体器件有两种:Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化镓晶体管。...
作者:okhxyyo回复:1
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《晶体管电路设计》池原典利(日本)著,中文版由国防工业出版社《晶体管电路设计》翻译组翻译,1970年7月由国防工业出版社出版第1版。老一辈翻译的技术书籍都很严谨,适合有一定基础的工程师温习。...
作者:turbocharger回复:19
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咨询论坛里的大佬们,如下图 这种晶体振荡器如果规格书中写的负载电容是20pF,那么我的C19、C20这个两个电容是给40pF还是20pF,要不要R14?...
作者:呜呼哀哉回复:16
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哪位大佬有现代计算机的主存、CPU的晶体管类型、作用或者与计算机内部运行原理的学习分享,谢谢!...
作者:the1234回复:1
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阻抗分析仪、网分仪、数字电桥LCR测试压电晶体阻抗,谐振频率,哪种仪器更合适?...
作者:QWE4562009回复:3
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高清版晶体管电路设计,铃木雅臣,学习三极管电路设计经典资料 高清版晶体管电路设计 这是一本好书,纸质的是上下册的 楼主只提供了上 感谢分享,共同学习,共同进步!...
作者:grarrow回复:13
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课程旨在讲述MOS晶体管如何工作,以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者,而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。...
课时1:About_This_Course 课时2:Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor 课时3:CMOS_Processes 课时4:Semiconductors__Part_1 课时5:Semiconductors__Part_2 课时6:Semiconductors__Part_3 课时7:Conduction Part 1 课时8:Conduction Part 2 课时9:Contact_Potentials 课时10:pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias 课时11:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 课时12:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 课时13:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage 课时14:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition 课时15:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis 课时16:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion 课时17:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion 课时18:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion 课时19:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance 课时20:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 课时21:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 课时22:Introduction 课时23:Complete_AllRegion_Model 课时24:Simplified_AllRegion_Models 课时25:Strong_Inversion_Models_–_1 课时26:Strong_Inversion_Models_–_2 课时27:Strong_Inversion_Models 课时28:Weak_Inversion_Models 课时29:Source_Reference_vs._Body_Reference 课时30:Effective_Mobility 课时31:Additional_Topics 课时32:SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation 课时33:SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation 课时34:SmallDimension_Effects__Charge_Sharing 课时35:SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering 课时36:SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model 课时37:SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects 课时38:SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation 课时39:SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion 课时40:SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current 课时41:SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 课时42:SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies 课时43:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models 课时44:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations 课时45:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 课时46:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 课时47:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models 课时48:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests 课时49:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation 课时50:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation 课时51:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation 课时52:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges 课时53:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time 课时54:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling 课时55:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation 课时56:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics 课时57:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C 课时58:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag 课时59:SmallSignal_Modeling_–Transconductance 课时60:SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance 课时61:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits 课时62:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties 课时63:SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set 课时64:SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model 课时65:SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model 课时66:SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model 课时67:SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison 课时68:SmallSignal_Modeling_–_RF_Models 课时69:Noise__Introduction 课时70:Noise__Thermal_Noise 课时71:Noise__HighFrequency_Considerations 课时72:Noise__Flicker_Noise 课时73:Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant 课时74:Halo_Implants 课时75:Well_Proximity_Effect 课时76:Stress_Effects 课时77:Statistical_Variability 课时78:Epilogue
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晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate...
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03-05 射频电路 第13讲 射频滤波器(II) 03-06 射频电路 第14讲 定向耦合器 03-07 射频电路 第15讲 功率分配器 第4章 有源电路 04-01 射频电路 第16讲 晶体管放大器...
课时1:绪论1 课时2:绪论2 课时3:传输线理论1 课时4:传输线理论2 课时5:传输线理论3 课时6:Simth圆图1 课时7:Simth圆图2 课时8:传输线一般理论与矩形波导1 课时9:传输线一般理论与矩形波导2 课时10:传输线一般理论与矩形波导3 课时11:圆波导与同轴线1 课时12:圆波导与同轴线2 课时13:开放与平面传输线1 课时14:开放与平面传输线2 课时15:开放与平面传输线3 课时16:网络基础1 课时17:网络基础2 课时18:网络性质与波导连接1 课时19:网络性质与波导连接2 课时20:网络性质与波导连接3 课时21:基本元件1 课时22:基本元件2 课时23:阻抗匹配器1 课时24:阻抗匹配器2 课时25:阻抗匹配器3 课时26:传输线谐振器1 课时27:传输线谐振器2 课时28:射频滤波器I1 课时29:射频滤波器I2 课时30:射频滤波器I3 课时31:射频滤波器II-1 课时32:射频滤波器II-2 课时33:定向耦合器1 课时34:定向耦合器2 课时35:定向耦合器3 课时36:功率分配器1 课时37:功率分配器2 课时38:晶体管放大器(1)-1 课时39:晶体管放大器(1)-2 课时40:晶体管放大器(1)-3 课时41:晶体管放大器(2)-1 课时42:晶体管放大器(2)-2 课时43:射频振荡器1 课时44:射频振荡器2 课时45:射频振荡器3 课时46:混频器1 课时47:混频器 课时48:天线第1讲引言 课时49:TableforElectronicDream 课时50:天线第2讲天线元的辐射1 课时51:天线第2讲天线元的辐射2 课时52:天线第2讲天线元的辐射3 课时53:天线第3讲对称振子1 课时54:天线第3讲对称振子2 课时55:天线第4讲直线阵I1 课时56:天线第4讲直线阵I2 课时57:天线第5讲直线阵II1 课时58:天线第5讲直线阵II2 课时59:天线第6讲导体上的天线1 课时60:天线第6讲导体上的天线2 课时61:天线第7讲折合振子与蝙蝠翼天线1 课时62:天线第7讲折合振子与蝙蝠翼天线2 课时63:天线第8讲同相直立天线与八木天线1 课时64:天线第8讲同相直立天线与八木天线2 课时65:天线第9讲振子天线的宽带化与小型化1 课时66:天线第9讲振子天线的宽带化与小型化2 课时67:天线第10讲环天线与螺旋天线-1 课时68:天线第10讲环天线与螺旋天线-2 课时69:天线第11讲行波天线与平面螺旋天线-1 课时70:天线第11讲行波天线与平面螺旋天线-2 课时71:天线第12讲对数周期天线与平面超宽带天线1 课时72:天线第12讲对数周期天线与平面超宽带天线2 课时73:天线第13讲缝隙天线与微带天线1 课时74:天线第13讲缝隙天线与微带天线2 课时75:天线第14讲喇叭天线1 课时76:天线第14讲喇叭天线2 课时77:天线第15讲抛物面天线1 课时78:天线第15讲抛物面天线2 课时79:天线第16讲圆极化天线1 课时80:天线第16讲圆极化天线2 课时81:实验课第1讲-频谱分析仪的使用 课时82:实验课第2讲-射频传输线 课时83:实验课第3讲-阻抗匹配 课时84:实验课第4讲功率衰减器 课时85:实验课第5讲-功率分配器 课时86:实验课第6讲-定向耦合器 课时87:实验课第7讲-射频滤波器 课时88:实验课第8讲-射频放大器 课时89:实验课第9讲-压控振荡器 课时90:实验课第10讲-混频器
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本课程提供半导体器件操作所需的基础知识:如晶体管、二极管、太阳能电池、发光器件等。该教程主要面向对半导体器件在电路和系统中应用感兴趣的电气工程专业的同学。分析是物理的和直觉的,而不是数学的。...
课时1:Commercial 课时2:How to Take this Course 课时3:Materials Properties - Energy Levels to Energy Bands 课时4:Materials Properties - Crystalline, Polycrystalline.... 课时5: Materials Properties - Miller Indices 课时6:Materials Properties - Common Semiconductors 课时7:Materials Properties - Free Carriers in Semiconductor 课时8:Materials Properties - Doping 课时9:Materials Properties - Recap 课时10:Quantum Mechanics - The Wave Equation 课时11:Quantum Mechanics - Quantum Confinement 课时12: Quantum Mechanics - Tunneling and Reflection 课时13:Quantum Mechanics - Electron Waves in Crystal 课时14:Quantum Mechanics - Density of States 课时15:Quantum Mechanics - Recap 课时16:Equilibrium Carrier Concentration - Fermi Function 课时17:Equilibrium Carrier Concentration - Fermi-Dirac... 课时18:Equilibrium Carrier Concentration - Fermi Level 课时19:Equilibrium Carrier Concentration - Doping Density 课时20:Equilibrium Carrier Concentration - Temperature 课时21:Equilibrium Carrier Concentration - Recap 课时22:Recombination & Generation - Landauer Approach 课时23:Recombination and Generation - Nanoscale to Macroscale 课时24:Recombination and Generation - Drift-Diffusion Equation 课时25:Recombination and Generation - Carrier Recombination 课时26:Recombination and Generation - Carrier Generation 课时27:Recombination and Generation - Recap 课时28:Semiconductor Equations - Mathematical Formulation 课时29:Semiconductor Equations - Energy Band Diagrams 课时30:Semiconductor Equations - Quasi Fermi-Levels 课时31:Semiconductor Equations - Minority Carrier Diffusion 课时32:Semiconductor Equations - Recap
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01 课程绪言 01-02 原子间的结合力 01-03 球的密堆积原理与配位数 01-04 鲍林规则 01-05 电子陶瓷的典型结构 01-06 电子陶瓷的显微结构 01-07 电子陶瓷的晶体结构缺陷...
课时1:绪言第一次课 课时2:绪言第二次课 课时3:绪言第三次课 课时4:原子间的结合力 课时5:球的密堆积原理与配位数 课时6:鲍林规则 课时7:鲍林规则习题课 课时8:电子陶瓷的典型结构 课时9:电子陶瓷的显微结构 课时10:电子陶瓷的晶体结构缺陷 课时11:电子陶瓷的固溶结构 课时12:低介装置瓷的基本知识 课时13:典型低介装置瓷 课时14:低温共烧陶瓷 课时15:电容器瓷的基本知识 课时16:高介电容器瓷的介电特性 课时17:高介电容器瓷的分类及制备技术 课时18:中高压陶瓷电容器瓷 课时19:铁电材料的基本知识 课时20:陶瓷的铁电性与铁电陶瓷 课时21:强介铁电瓷的改性机理第一次课 课时22:强介铁电瓷的改性机理第二次课 课时23:铁电陶瓷材料的确定原则 课时24:铁电陶瓷的老化与疲劳 课时25:独石电容器的结构与特点 课时26:独石电容器瓷的主要系列 课时27:半导体陶瓷的基本概念 课时28:BaTiO3陶瓷的半导化机理 课时29:PTC热敏电阻 课时30:半导体陶瓷电容器 课时31:压电效应 课时32:压电陶瓷的主要参数 课时33:铅基压电陶瓷 课时34:透明电光陶瓷 课时35:磁学、磁性材料历史回顾 课时36:磁性材料的市场、机遇与挑战 课时37:静磁现象 课时38:材料的磁化 课时39:磁性和磁性材料的分类 课时40:软磁铁氧体材料(1) 课时41:软磁铁氧体材料(2) 课时42:软磁铁氧体材料(3) 课时43:软磁铁氧体材料(4) 课时44:软磁铁氧体材料(5) 课时45:软磁铁氧体材料(6) 课时46:软磁铁氧体材料(7) 课时47:LTCC旋磁铁氧体材料(1) 课时48:LTCC旋磁铁氧体材料(2) 课时49:LTCC旋磁铁氧体材料(3) 课时50:LTCC旋磁铁氧体材料(4) 课时51:LTCC旋磁铁氧体材料(5) 课时52:LTCC旋磁铁氧体材料(6) 课时53:纳米晶软磁材料(1) 课时54:纳米晶软磁材料(2) 课时55:纳米晶软磁材料(3) 课时56:纳米晶软磁材料(4) 课时57:永磁材料简介与基础理论(1) 课时58:永磁材料简介与基础理论(2) 课时59:金属永磁材料 课时60:稀土永磁材料-NdFeB(1) 课时61:稀土永磁材料-NdFeB(2) 课时62:铁氧体永磁材料 课时63:非晶磁性材料 课时64:磁致伸缩材料(1) 课时65:磁致伸缩材料(2) 课时66:磁热效应及磁致冷技术
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这门课让你学习数字IC的晶体管级基本单元、模块和简单系统的分析方法,具备初步的数字IC设计能力。 本课程主要从晶体管级和电路级讲授数字集成电路的分析与设计。...
课时1:IntroductiontoDigitalIC 课时2:ArchitectureofDigitalProcessor 课时3:FullCustomDesignMethodology 课时4:SemicustomDesignMethodology 课时5:QualityMetricofDigitalIC 课时6:SummaryandTextbookReference 课时7:KeyPointsReviewofLastLecture 课时8:Introduction 课时9:TheDiode 课时10:TheMOSFETTransistor 课时11:SecondaryEffects 课时12:SummaryandTextbookReference 课时13:KeyPointsReviewofLastLecture 课时14:Introduction 课时15:StaticBehavior 课时16:KeyPointsReviewofLastLecture 课时17:DynamicBehaviorI 课时18:DynamicBehaviorII 课时19:PowerDissipation 课时20:SummaryandTextbookReference 课时21:Introduction 课时22:StaticCMOSDesignI 课时23:StaticCMOSDesignII 课时24:KeyPointsReviewofLastLecture 课时25:StaticCMOSDesignIII 课时26:StaticCMOSDesignIV 课时27:DynamicCMOSDesign 课时28:Summary 课时29:IntroductionI 课时30:IntroductionII 课时31:StaticLatchesandRegistersI 课时32:StaticLatchesandRegistersII 课时33:StaticLatchesandRegistersIII 课时34:KeyPointsReview 课时35:DynamicLatchesandRegistersI 课时36:DynamicLatchesandRegistersII 课时37:DynamicLatchesandRegistersIII 课时38:PulseRegister 课时39:Pipelining 课时40:SchmittTrigger 课时41:SummaryandTextbookReference 课时42:KeyPointsReview 课时43:Multiplier 课时44:Shifter 课时45:SummaryandTextbookReference 课时46:Introduction 课时47:Capacitance 课时48:Resistance 课时49:ElectricalWireModels 课时50:SummaryandTextbookReference 课时51:Introduction 课时52:CapacitiveParasitics 课时53:CapacitiveParasiticsII 课时54:ResistiveParasitics 课时55:SummaryandTextbookReference 课时56:AssignmentSolving 课时57:Theteachingassistantswanttosay 课时58:Problem1 课时59:Problem2 课时60:Problem3 课时61:Problem4 课时62:Problem5 课时63:Problem6 课时64:Problem7 课时65:Problem8 课时66:Problem9 课时67:Problem10 课时68:Problem11 课时69:Problem12 课时70:Problem13 课时71:Problem14
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第二章:MOS晶体管原理:掌握MOS器件的基本结构、模型与特性,了解集成电路制造工艺过程。第三章:反相器和组合逻辑电路,掌握CMOS反相器和组合逻辑电路分析与设计方法。...
课时2:课程介绍 课时3:微电子发展史和摩尔定律 课时4:补充从沙子到CPU-芯片是如何制造的 课时5:系统与系统集成 课时6:VLSI设计方法 课时8:mos晶体管结构 课时9:MOS晶体管的工作原理 课时10:MOS晶体管的I-V方程 课时11:MOS管的转移特性和耗尽型MOS管等 课时12:CMOS结构及其优势 课时14:CMOS反相器设计 课时15:CMOS反相器的动态指标 课时16:CMOS逻辑门构造-与非门及复杂门 课时17:等效反相器设计方法 课时18:例子-复杂门等效反相器设计 课时19:等效反相器练习及其修正 课时20:异或门和同或门电路 课时21:传输门 课时22:三态门 课时24:时序逻辑作用及状态机举例 课时25:双稳态结构和D触发器 课时26:触发器时序参数 课时27:时序逻辑的性能优化 课时28:时序逻辑的功耗优化 课时29:偏差和抖动对电路的影响 课时31:工艺基础 课时32:问题的提出及选择工艺线的原则 课时33:NMOS管导通条件的再思考 课时34:电学设计规则的形式及应用举例-三输入与门的SPICE仿真 课时35:几何设计规则 课时37:晶体管规则阵列设计技术引言 课时38:基于ROM的晶体管阵列及其逻辑设计 课时39:或非ROM的版图设计 课时40:与非结构ROM的版图 课时41:MOS晶体管开关逻辑 课时42:例题-用四选一MUX设计电路 课时44:PLA阵列结构 课时45:例题用PLA设计电路及折叠PLA 课时46:门阵列功能及其版图结构 课时47:门阵列版图分析及其设计准则 课时48:规则阵列设计技术应用-EPLD 课时49:E2PROM晶体管结构及编程结构比较 课时51:引言-规则阵列的缺点 课时52:单元库概念和真实单元库示例 课时53:标准单元设计技术 课时54:用标准单元实现集成电路的过程 课时55:课堂练习-读标准单元版图 课时57:输入输出单元的功能 课时58:输入单元的版图设计 课时59:倒向输出IOPAD设计 课时60:其他输出IOPAD 课时61:掩膜编程的输入输出IOPAD 课时62:积木块设计技术和单元库小结 课时64:大话处理器 课时65:微处理器结构介绍-冯诺依曼和哈佛结构 课时66:冯诺依曼和哈佛结构的比较 课时67:控制器单元 课时68:ALU结构和半加器电路 课时69:全加器+外围电路的多功能表现 课时70:用全加器搭建ALU-算术运算设计 课时71:用全加器搭建ALU-逻辑运算设计 课时72:用全加器设计ALU-电路实现 课时73:传输门设计的特点及微处理器设计总结 课时75:乘法器设计 课时76:移位器设计 课时77:Memory的重要性及其分类 课时78:SRAM结构 课时79:SRAM的bitcell设计 课时81:低功耗专题上 课时82:低功耗专题下
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金氧半场效晶体管(MOSFET) 5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM)...
课时1:摘要 课时2:课程介绍 电子与半导体产业的演进 课时3:半导体原件基本架构与类型、半导体原件与电路技术发展 课时4:元件技术发展走势 课时5:半导体材料与晶体结构 课时6:价键与能带 课时7:本质载子浓度 课时8:施体与受体 课时9:载子漂移drift 1 课时10:载子漂移drift 2 课时11:载子扩散diffusion 课时12:载子产生与重合 课时13:连续方程式 课时14:热发射thermionic_emission与穿隧 课时15:空间电荷与高电场效应 课时16:基本半导体技术 课时17:热平衡状态 课时18:空乏区与空乏电容1 课时19:空乏区与空乏电容2 课时20:电流电压特性1 课时21:电流电压特性2 课时22:储存电荷 课时23:接面崩溃 课时24:理想MOS电容器1 课时25:理想MOS电容器2 课时26:SiO2Si MOS电容器 课时27:绝缘层中的载子传输与崩溃 课时28:MOSFET简介 课时29:基本操作特性1 课时30:基本操作特性2 课时31:元件类型与启始电压阈值电压 课时32:短通道效应 课时33:元件结构与设计 课时34:CMOS逆变器及新型MOSFET简介 课时35:MSRAMDRAM与半导体简介 课时36:非易失性半导体存储器NVSM简介 课时37:浮栅概念 课时38:浮栅NVSM的历史发展 课时39:NVSM的应用 课时40:扩展挑战 课时41:替代设备结构 课时42:专访一 对大三学生的期勉 课时43:专访二 不用手机的发明家 课时44:专访三 那一年我们一起待的bell lab 课时45:专访四发明NVSM 课时46:专访五 对未来科技业的预言
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主题涉及:电阻元件和网络; 独立性和依赖性资源;交换器和半导体晶体管;时间和频率范围内的设计;模拟和数字电路及应用程序。设计和实验也是本课的重要组成部分。...
课时1:集总电路抽象介绍 课时2:基本电路分析法 课时3:叠加法和戴维南法 课时4:数字抽象 课时5:数字门构造 课时6:非线性分析 课时7:增量分析 课时8:受控源和放大器 课时9:放大器大信号分析 课时10:放大器大信号分析(续) 课时11:放大器,小信号模型 课时12:小信号电路 课时13:电容和一阶系统 课时14:数字电路速度 课时15:存储和存储和状态 课时16:二阶系统上 课时17:二阶系统下 课时18:正弦稳态 课时19:阻抗模型 课时20:滤波器 课时21:运算放大器抽象 课时22:运算放大器电路 课时23:运算放大器正反馈 课时24:能量和功率 课时25:能量 CMOS 课时26:超越抽象界限
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6课时) 第三章: 放大器的阻抗匹配技术 (9课时) 第四章: 放大器的功率增益 (5课时) 第五章: 放大器的稳定性 (4课时) 第六章: Smith圆图上的增益圆 (2课时) 第七章: 晶体管...
课时1:ch0_1 课时2:ch0_2 课时3:ch1_1 课时4:ch1_2 课时5:ch1_3 课时6:ch1_4 课时7:ch1_5 课时8:ch1_6 课时9:ch2_1 课时10:ch2_2 课时11:ch2_3 课时12:ch2_4 课时13:ch2_5 课时14:ch2_6 课时15:ch2_7 课时16:ch2_8 课时17:ch2_9 课时18:ch3_1 课时19:ch3_2 课时20:ch3_3 课时21:ch4_1 课时22:ch4_2 课时23:ch4_3 课时24:ch5_1 课时25:ch6_1 课时26:ch6_2 课时27:ch7_1 课时28:ch7_2 课时29:ch8_1 课时30:ch9_1 课时31:chTRL
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周末实验室模拟电子电路视频教程...
课时1:PNP型三极管开关原理与应用实例 课时2:用PNP型三极管、光敏电阻完成光控电路及灵敏度调试 课时3:三极管放大的通俗讲解与实验验证 课时4:集成电路认识、NE555芯片管脚定义 课时5:NE555芯片之交替闪烁LED电路,酷! 课时6:几元钱的红绿灯?闪烁LED频率调整,原理如此简单 课时7:随声而“舞”的声控闪烁电路,快来动手做一个吧 课时8:声控闪烁电路原理解析,你怎么看? 课时9:用555芯片制作简易电子琴,声调变化的秘密 课时10:IC555制作简易电子琴,一起见证街头艺人的诞生 课时11:5元钱简易防偷拍神器,快来动手做一个吧 课时12:自制一个触摸式小夜灯,NE555轻松实现安,一起动手试试吧 课时13:活用三极管开关原理,轻松制作一个水位显示报警仪 课时14:硬核科普半导体,半导体二极管的来龙去脉 课时15:什么是PN结,硬核讲解二极管单向导通原理 课时16:什么叫整流,二极管如何整流?整流桥的原理是什么 课时17:用面包板搭建整流桥,简单、易学,普通二极管的压降试验验证 课时18:什么是滤波电容,不会养花的UP主不是好老师 课时19:集成电路CD4017计数器芯片功能介绍及引脚定义 课时20:CD4017流水灯实验,引脚插接与电路原理解析 课时21:NE555 + CD4017 漂亮的跑马灯原来如此简单 课时22:简单的数字密码锁,计数器芯片CD4017进阶实验电路 课时23:红外发射管与接收管实验电路,探索红外对射报警装置 课时24:认识红外线发射管与接收管,试验验证接收管反接原理 课时25:用CD4017芯片搭建复杂密码锁,简单又实用,你也能学会 课时26:认识数码管,共阳极与共阴极数码管判别 课时27:CD4026计数器芯片引脚定义及其译码驱动功能 课时28:详解用CD4026计数器芯驱动数码管实验电路 课时29:NE555+CD4026+数码管,想怎么玩就怎么玩 课时30:遇到神秘的色环电阻,这个阻值应该怎么读? 课时31:无稳态多谐振荡电路原理解析 - Astable multivibrator(part 1) 课时32:全网最直观,无稳态多谐振荡电路原理解析 - Astable multivibrator(part 2) 课时33:无稳态多谐振荡电路电阻与电容的选择 - Astable multivibrator(part 3) 课时34:三极管、电容、电阻,无稳态振荡电路最终章:翻车的实验才真实 - Astable multivibrator(part 4) 课时35:NE555+CD4017 回马枪电路,扎心了老铁!公认的知识未必对 课时36:集成芯片NE555内部原理图,看看它里面到底是个啥? 课时37:旋转小火车来啦,呜!呜!男人的乐趣从来都是如此简单 课时38:这电路分析也太难了,一点也不简单,大佬救我! 课时39:非常轻松的电路分析,一听就懂,一说就会,又一种爱叫做放手 课时40:三极管导通条件到底是什么?我们的思想不能被以往的经验和书本束缚 课时41:多谐振荡电路PLUS版,电路解析最终章,搞定 课时42:电子元器件之稳压二极管、齐纳二极管,ZenerDiode 课时43:稳压二极管之击穿,齐纳击穿、雪崩击穿、电击穿与热击穿 课时44:稳压二极管之(三)二极管的伏安特性曲线 课时45:稳压二极管之(四)稳压电路解析,Zener Diode part 4 课时46:电子元器件之场效应管,认识JFET结型场效应管01 课时47:JFET结型场效应管:夹止电压与夹止电流02 课时48:N沟道JFET结型场效应管工作原理与伏安特性曲线03 课时49:P沟道JFET结型场效应管工作原理与JFET常规分类04 课时50:电子元器件之MOSFET,常见分类,物理结构与电路符号 课时51:N沟道MOSFET工作原理及伏安特性曲线 课时52:增强型MOSFET物理结构及电路符号,附第一期问题答案 课时53:增强型MOSFET工作原理与伏安特性曲线 课时54:MOSFET最终章,填个坑,完结撒花 课时55:N沟道JFET工作实验,终于可以做面包板实验啦 课时56:三个小元件,自制一个简单的直流可调电源 课时57:用一个直流电源达成双供电电路初试版 课时58:单直流电源达成“双向”供电电路进阶极简版 课时59:稳压二极管的稳压值精准吗?如何辨别和使用?简单小实验 课时60:实验告诉你,你的稳压电路为什么不能稳压 课时61:活用稳压二极管,自制一个简单的电瓶电量指示灯电路 课时62:9V电池变成应急充电宝,自制手机USB充电器 课时63:电子元器件:BJT双极结型晶体管,三极管的历史发展 课时64:三极管为什么叫双极性晶体管?它的内部构造是什么样的? 课时65:轻松判断三极管的工作模式,饱和导通压降如何计算 课时66:三极管放大原理,三极管交流信号放大解析,初学也能懂 课时67:番外篇:Diode与Triode,BJT的前身电子管是什么东西? 课时68:OPAMP运算放大器之反相输入端,共射极反相放大电路 课时69:OPAMP运算放大器之同相输入端,共集极电路怎么用? Operational Amplifier 课时70:OPAMP运算放大器之同相输入端,共基极放大电路 Common Base 课时71:电路基础知识补充:交流与直流,电流的叠加 课时72:电路基础知识补充:运算放大器负电压存在的意义 课时73:问君能有几多愁,不知电流怎么流,鲁迅:茴有几种写法? 课时74:上期视频结尾课后习作的解答,欢迎指正 课时75:电容的工作原理,隔直流,通交流你真的懂了吗?How Capacitors Work 课时76:电流是如何流过直流电源的?交流信号下直流电源短路怎么理解 课时77:三极管放大实验,成本5元的甲类功放电路,效果超乎想象 课时78:三极管单管放大实验,这个电路有点意思 课时79:运算放大器之差分放大电路,零点漂移和温漂有什么关系 课时80:三极管放大偏置电阻选取,零点漂移,与差分放大电路实验 课时81:差分放大电路Re的负反馈作用,共模信号与差模信号 课时82:差分放大电路中共模负反馈电阻相关实验 课时83:电流镜基本原理,电阻无穷大的电流源了解一下 课时84:运算放大器输入级,差分放大电路最终章:输入输出组态 课时85:网友来稿:振荡电路不振荡,你这个电容你怎么回事? 课时86:互补型自激振荡电路原理解析,实验现象倒推理论过程,可以吗? 课时87:互补型自激振荡电路原理解析,振荡的根本原因就在这里了 课时88:互补型自激振荡电路原理解析,不能翻车 课时89:解析最终章,原理不对就推导重来,条条大路通罗马,盘它 课时90:自激振荡,自举升压,参数太难调,振荡随缘吧 课时91:运放中间级电路,达林顿电路放大原理,什么叫复合三极管 课时92:运放互补输出电路,乙类功放电路的交越失真是什么 课时93:乙类功放电路的交越失真实验,正负电源应该如何接 课时94:甲乙类功放电路如何克服交越失真问题,电路元器件的选择有何讲究 课时95:如何改善交越失真,甲乙类功放电路详细解析 课时96:Vbe倍增电路是如何改善交越失真问题的,运放输出级最后一块骨头 课时97:运放内部电路最终章,改善交越失真电路实验 课时98:什么是理想的运算放大器,运放应该如何使用 课时99:运算放大器负反馈电路,初步了解“虚短”和“虚断” 课时100:运放负反馈电路,“虚短”和“虚断”进阶解析及电路分析
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现代控制及数字技术的快速发展,使先进的电气控制与信息系统成为几乎所有非电工程领域重要的技术支撑。渴求认知电气信息系统应用要点和基本技术的未来的非电工程师们,来学习这门课程吧!她将带领大家分享构建起电气信息系统整体知识框架的愉悦,收获“感性认知”和“我来设计实现”的实验过程的快乐。...
课时1:电路模型 课时2:电路模型与电路基本定律 课时3:电路状态及线性_非线性电路 课时4:线性电路与非线性电路2 课时5:恒定_变化激励下的电路问题 课时6:变化激励下的电路问题(续) 课时7:网孔电流法,节点电压法 课时8:节点电压法(续),等效方法应用 课时9:等效方法应用(续) 课时10:电路分析的基本方法应用 课时11:正弦交流电的相量描述 课时12:正弦量与电路约束的相量表示-复阻抗 课时13:交流电路的复阻抗(续) 课时14:交流电路功率与相量分析概要 课时15:相量分析法与三相电路 课时16:三相电路及其分析 课时17:三相电路及其分析(续) 课时18:双口网络与传递函数 课时19:传递函数(续)-交流电路频率特性分析 课时20:频率特性(续)-谐振 课时21:谐振(续) 课时22:非正弦信号谐波分析 课时23:暂态现象及换路定律 课时24:换路定律(续)与一阶电路瞬态分析 课时25:一阶电路的瞬态分析(续1) 课时26:一阶电路的瞬态分析(续2) 课时27:二阶电路的瞬态分析与拉氏变换 课时28:信号分类及信号与信息 课时29:模拟信号分析和系统问题 课时30:系统问题(续) 课时31:模拟检测系统组成-技术指标-传感器 课时32:传感器及放大器放大能力分析 课时33:放大器频率响应 课时34:多级放大及放大器失真 课时35:放大器失真(续) 课时36:模拟系统典型结构-稳态分析-动态分析 课时37:模拟控制系统动态分析和稳定性分析 课时38:模拟控制系统稳定性分析(续) 课时39:模拟控制系统特性补偿-过程控制系统 课时40:过程控制系统(续) 课时41:数字信号 课时42:数字信号(续)及ADC 课时43:ADC(续)-DAC-数值运算-逻辑演算 课时44:逻辑演算(续) 课时45:组合逻辑系统的基本类型及分析与设计 课时46:触发器-数字寄存的类型及实现 课时47:寄存器(续)-计数器 课时48:计数器(续) 课时49:继电接触控制技术 课时50:继电接触控制(续)及PLC技术 课时51:逻辑控制PLC技术(续1) 课时52:逻辑控制PLC技术(续2) 课时53:数字控制系统特点、优势及组成 课时54:PID控制策略的算法实现和数字滤波方法 课时55:数字控制系统的时域分析方法和传递函数 课时56:数字控制系统的响应特性和稳定性分析 课时57:数字控制系统的稳定性分析(续) 课时58:数据通信系统的基本概念 课时59:基带_频带传输和传输差错控制方法 课时60:数据通信系统组成、协议和局域网 课时61:以太网、令牌和现场总线 课时62:安全用电 课时63:安全用电(续) 课时64:数字集成电路 课时65:主要集成逻辑系列和信号传播延时 课时66:集成电路的扇出能力和线逻辑 课时67:线逻辑(续)-可编程逻辑器件 课时68:可编程逻辑器件(续) 课时69:运算放大器芯片特点及其线性应用 课时70:运算放大器主要线性应用(续1) 课时71:运放主要线性应用(续2)-有源滤波 课时72:运放有源滤波-频率特性-传递特性 课时73:运放电路的传递特性及其稳定性问题 课时74:运放的直流偏置与运放非线性应用 课时75:运放非线性应用(续1) 课时76:运放非线性应用(续2) 课时77:晶体管类型与BJT电路模型 课时78:BJT电路模型(续) 课时79:晶体管放大电路构成与共射极放大电路 课时80:共射极放大电路(续)-共集电极电路 课时81:共集电极放大(续)-频率特性-场效管 课时82:场效管放大-多级放大-差分放大 课时83:差分放大电路(续) 课时84:二极管工作机理、外特性 课时85:二极管应用-稳压管 课时86:晶闸管-直流电源-可_不可控整流滤波 课时87:滤波-稳压 课时88:逆变电路-MOS逻辑电路 课时89:MOS逻辑电路(续) 课时90:电磁基本定理及交直流磁路 课时91:电磁感应基本应用及变压器 课时92:变压器(续) 课时93:三相异步电动机的结构及工作原理 课时94:三相异步电动机工作原理与使用技术 课时95:三相异步机使用技术(续1) 课时96:三相异步机使用(续2)及单相异步机 课时97:单相异步电动机(续)及低压电器类型 课时98:低压电器类型(续) 课时99:自主实验教学模式视频展示 课时100:实验过程—晶体管放大电路实验视频
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本课程主要研究电工电子器件和电工电子电路的基本工作原理及其应用。通过本课程的学习,使非电类专业的学生获得电工电子技术必要的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析电工电子电路和初步设计电工电子电路的能力,为后续课程以及从事与本专业有关的工程技术。...
课时1:绪论 课时2:电路的作用与组成、电路模型、参考方向、欧姆定律 课时3:电源的工作状态 课时4:基尔霍夫定律、电路中电位的概念与计算 课时5:电阻串并联连接的等效变换、电阻星形联结与三角形联结的等效变换 课时6:电源的两种模型及其等效变换 课时7:支路电流法 课时8:结点电压法 课时9:叠加定理 课时10:戴维宁定理与诺顿定理 课时11:受控电源电路的分析 课时12:电阻元件、电感元件与电容元件、储能元件与换路定则 课时13:RC电路的响应 课时14:一阶线性电路暂态分析的三要素法 课时15:微分电路和积分电路、RL电路的响应 课时16:正弦电压与电流、正弦量的相量表示法 课时17:单一参数的交流电路 课时18:电阻、电感与电容元件串联的交流电路(1) 课时19:电阻、电感与电容元件串联的交流电路(2)、阻抗的串联 课时20:阻抗的串联与并联(3) 课时21:复杂正弦交流电路的分析与计算、谐振电路、功率因数的提高(1) 课时22:复杂正弦交流电路的分析与计算、谐振电路、功率因数的提高(2) 课时23:三相电压、负载星形联结的三相电路、负载三角形联结的三相电路(1) 课时24:三相电压、负载星形联结的三相电路、负载三角形联结的三相电路(2) 课时25:三相功率 课时26:安全用电 课时27:变压器的结构、原理、外特性与效率(1) 课时28:变压器的结构、原理、外特性与效率(2) 课时29:变压器绕组的极性、特殊变压器 课时30:三相异步电动机的构造 课时31:三相异步电动机的转动原理 课时32:三相异步电动机的电路分析 课时33:三相异步电动机的转矩与机械特性 课时34:三相异步电动机的起动与调速 课时35:三相异步电动机的制动 课时36:三相异步电动机的铭牌数据及选择 课时37:直流电机的构造、直流电机的基本工作原理及其机械特性 课时38:并励电动机起动与反转、调速 课时39:常用控制电器 课时40:笼型电动机直接起动、正反转控制电路 课时41:行程控制、时间控制 课时42:可编程控制器的结构和工作方式 课时43:可编程控制器的程序编制(1) 课时44:可编程控制器的程序编制(2) 课时45:可编程控制器应用举例 课时46:继电器接触器控制系统设计 课时47:可编程控制器系统设计 课时48:电工技术复习 课时49:半导体的导电特性、PN结及其单向导电性 课时50:二极管、稳压二极管 课时51:双极型晶体管、光电器件(1) 课时52:双极型晶体管、光电器件(2) 课时53:共发射极放大电路的组成 课时54:放大电路的静态分析 课时55:放大电路的动态分析(1) 课时56:放大电路的动态分析(2) 课时57:放大电路的动态分析(3) 课时58:静态工作点的稳定(1) 课时59:静态工作点的稳定(2) 课时60:放大电路的频率特性 课时61:射极输出器 课时62:差分放大电路 课时63:功率放大器 课时64:场效晶体管及其放大电路 课时65:集成运算放大器的简单介绍 课时66:运算放大器在信号运算方面的应用(1) 课时67:运算放大器在信号运算方面的应用(2) 课时68:运算放大器在信号运算方面的应用(3) 课时69:有源滤波器、采样保持电路 课时70:电压比较器(1) 课时71:电压比较器(2) 课时72:运算放大器在波形产生方面的应用 课时73:反馈的基本概念、放大电路中的负反馈(1) 课时74:放大电路中的负反馈(2) 课时75:放大电路中的负反馈(3) 课时76:振荡电路中的正反馈(1) 课时77:振荡电路中的正反馈(2) 课时78:整流电路(1) 课时79:整流电路(2) 课时80:滤波器 课时81:直流稳压电源 课时82:电力电子器件 课时83:可控整流电路(1) 课时84:可控整流电路(2) 课时85:逆变电路 课时86:脉冲信号 课时87:基本门电路及其组合 课时88:TTL门电路和CMOS门电路 课时89:逻辑代数(1) 课时90:逻辑代数(2) 课时91:组合逻辑电路的分析和综合 课时92:加法器 课时93:编码器 课时94:译码器和数字显示、数据选择器和数据分配器 课时95:双稳态触发器(1) 课时96:双稳态触发器(2) 课时97:寄存器 课时98:计数器(1) 课时99:计数器(2) 课时100:计数器(3)
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内容涉及电路元件、电路变量和电路定律,线性电路的基本分析方法,网络的VAR和电路的等效变换,网络定理,晶体管及集成运算放大器电路的分析等知识。...
课时1:电路分析基础 课时2:电路分析基础 课时3:电路分析基础 课时4:电路分析基础 课时5:电路分析基础 课时6:电路分析基础 课时7:电路分析基础 课时8:电路分析基础 课时9:电路分析基础 课时10:电路分析基础 课时11:电路分析基础 课时12:电路分析基础 课时13:电路分析基础 课时14:电路分析基础 课时15:电路分析基础 课时16:电路分析基础 课时17:电路分析基础 课时18:电路分析基础 课时19:电路分析基础 课时20:电路分析基础 课时21:电路分析基础 课时22:电路分析基础 课时23:电路分析基础 课时24:电路分析基础 课时25:电路分析基础 课时26:电路分析基础 课时27:电路分析基础 课时28:电路分析基础 课时29:电路分析基础 课时30:电路分析基础 课时31:电路分析基础 课时32:电路分析基础 课时33:电路分析基础 课时34:电路分析基础 课时35:电路分析基础 课时36:电路分析基础 课时37:电路分析基础 课时38:电路分析基础 课时39:电路分析基础 课时40:电路分析基础 课时41:电路分析基础 课时42:电路分析基础 课时43:电路分析基础 课时44:电路分析基础 课时45:电路分析基础 课时46:电路分析基础 课时47:电路分析基础 课时48:电路分析基础 课时49:电路分析基础 课时50:电路分析基础 课时51:电路分析基础 课时52:电路分析基础 课时53:电路分析基础 课时54:电路分析基础 课时55:电路分析基础 课时56:电路分析基础 课时57:电路分析基础 课时58:电路分析基础 课时59:电路分析基础 课时60:电路分析基础 课时61:电路分析基础 课时62:电路分析基础 课时63:电路分析基础 课时64:电路分析基础 课时65:电路分析基础 课时66:电路分析基础 课时67:电路分析基础
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模拟电路基础:从系统级到电路级”紧紧围绕微弱信号处理电路这个主题,按照从系统级到电路级组织内容,系统级电路教学目标是心电信号处理电路设计,电路级电路教学目标是单端输出二级运放电路设计。课程将仿真实验与理论讲授密切结合,把现代模拟电路工程师必备的理论基础和相关技能进行了有机整合。...
课时1:电路与电路模型 课时2:电路元件特性 课时3:电路定律 课时4:节点分析法 课时5:线性电阻电路分析 课时6:附录:软件入门指导 课时7:动态电路微分方程 课时8:动态电路微分方程复频域求解 课时9:动态电路时域近似求解 课时10:一阶动态电路响应 课时11:RC电路充放电 课时12:动态电路复频域方程 课时13:动态电路频域特性求解 课时14:电路系统函数 课时15:RLC电路频率响应 课时16:理想运算放大器 课时17:描述运放非理想特性的参数 课时18:负反馈放大器 课时19:比例放大电路 课时20:加法减法电路 课时21:差分放大电路 课时22:微分积分对数指数电路 课时23:一阶有源RC滤波器 课时24:二阶有源RC滤波器1 课时25:二阶有源RC滤波器2 课时26:测量放大器 课时27:心电信号处理电路1 课时28:心电信号处理电路2 课时29:MOS晶体管工作原理1 课时30:MOS晶体管工作原理 课时31:MOS晶体管类型 课时32:MOS晶体管直流特性 课时33:MOS晶体管交流小信号特性 课时34:MOS晶体管偏置电路 课时35:CMOS共源放大电路1 课时36:CMOS差分放大电路 课时37:CMOS二级运放电路
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