晶圆电阻

深圳市德微辰芯技术有限公司立足于最新的市场需求，由原TI技术专家、现德微辰芯CTO带队与晶圆厂共同合作，通过不断的技术创新，已成功设计并量产出两款能助力电池符合国标（GB31241-2022），带温度保护的单节锂电池保护芯片...

作者：德微辰芯回复：0

（1）供应链紧张： 全球疫情导致晶圆厂产能下降， 加上新能源车辆的崛起， 造成了MCU供需失衡， 导致缺芯问题严重。 这影响了汽车的生产和供应链的稳定性。...

作者：EEWORLD社区回复：107

26、不管是什么类型的过孔，都使用相同的过孔尺寸； 27、去耦电容的位置摆放不当； 28、在参考平面创建大的空隙或裂缝； 29、大面积网格的间距太小； 30、大面积铜箔距离外框过近； 31、总线信号都用电阻拉一下...

作者：qwqwqw2088回复：18

具体来看，TOLL封装750V SiC FET，导通电阻范围在5.4m -60m 之间；另一款AEC级750V和1200V SiC FET，采用低电感SMD封装D2PAK-7L。...

作者：okhxyyo回复：0

我最近在找精密电阻，想着除了VISHAY再看看国产的狠货。网上搜到一个叫雷城精密电阻的，以前没听过，看官网介绍好像非常厉害的样子。...

作者：littleshrimp回复：13

A: 晶圆主要是韩国，美国，日本，封装在苏州和越南等工厂 32、ASPM27系列内部集成相电流采集吗？...

作者：EEWORLD社区回复：0

转换器的负载是一只并联了10 FMLCC电容的1 电阻，这可为之提供3A的负载，同时对高频信号的阻抗又是极低的。...

作者：qwqwqw2088回复：4

具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。...

作者：木犯001号回复：9

（1）在差动输入运算放大器的内部，Q1、Q2晶体管的晶圆制造不匹配会导致失调电压偏移误差，在某些情况里，内部电阻R1和R2是一对可以进行镭射调校的电阻。...

作者：皓月光兮非自明回复：1

V A + V OS = V B 1.输入级的制造工艺 放大器产生输入失调电压的主要原因是：输入级对称三极管晶圆不匹配。...

作者：皓月光兮非自明回复：3

元件的封装也会影响振铃状况，打线方式的封装会有比晶圆倒装方式的封装更大的寄生电感存在，因为邦定线的电感会大于焊点的电感，其表现就会更差一些。...

作者：qwqwqw2088回复：1

单生物阻抗通道能够测量呼吸和皮肤电电阻(GSR)以及皮肤电活动(EDA)两项参数。...

作者：qinyunti回复：5

基于前述特性，相同规格的SiC-MOSFET比Si-MOSFET相比，导通电阻降低为 1/200 ，尺寸减小为 1/10 ；相同规格的使用SiC-MOSFET的逆变器和使用Si-IGBT相比，总能量损失小于...

作者：木犯001号回复：1

BOOT 端有一个 ESD 单元处于它和 SW 之间，其它小信号端子也各有一个小型的 ESD 单元，它们通常都和输入串联电阻一起保护这些小信号端子免受静电放电的危害。...

作者：木犯001号回复：1

N型半导体； 4：P型半导体和N型半导体的结合处会形成PN结，晶体管就是在这个基础上发明的，是个重大事件； 5：晶体管的性质和电子管一样，而体积小很多，对集成电路的发明提供了可能； 6：在一块硅晶圆上实现一个完整的电路...

作者：lux168回复：2

UnitedSiC 的 18 毫欧和 60 毫欧器件在市场占据领先地位，但在有些应用中，更低电阻部件和更高中间值更有优势。...

作者：btty038回复：4

MOSFET 并没有像 IGBT 那样的 拐点 电压，但有导通电阻。...

作者：btty038回复：0

但随着晶圆成本的降低、性能的提高、节能的价值以及相关组件成本的降低，更广泛应用领域的工程师实在是没有理由不做出点改变了。...

作者：btty038回复：5

但随着晶圆成本的降低、性能的提高、节能的价值以及相关组件成本的降低，更广泛应用领域的工程师实在是没有理由不做出点改变了。...

作者：石榴姐回复：2

碳化硅事业部高级应用工程师 Michael Zhou 在会中重点介绍了 Qorvo SiC 产品相比于其它同类产品的优胜之处，Qorvo 的 SiC 产品采用 Cascode 结构，具有行业最低的导通电阻和优秀开关性能...

作者：兰博回复：0