闪存芯片

独特优势： •1.8V 256Mb~2Gb •八通道DTR SPI接口，兼容单通道、八通道SPI指令集 •完全兼容 JEDEC xSPI（JESD251）标准 •极高的读取性能，数据吞吐率高达400MB/s •支持XIP(Execute-In-Place) •支持DQS和DLP功能，有助于高速系统优化设计 •支持ECC和CRC功能，提高产品可靠性和高速I/O信号完整性 •支...

申请技术丨兆易创新超高速8通道车规闪存芯片 GD25/55LX 系列 申报领域丨车规级芯片 独特优势： •1.8V 256Mb~2Gb •八通道DTR SPI接口，兼容单通道、八通道SPI指令集 •完全兼容 JEDEC xSPI（JESD251）标准 •极高的读取性能，数据吞吐率高达400MB/s •支持XIP(Execute-In-Place) •支持...

禾川兴提供GL823K是由台湾创惟半导体推出的一款USB2.0 SD/MMC闪存读卡器单芯片。支持USB2.0高速传输，并符合通用串行总线规范。该芯片集成了一个高速的8051微处理器和一个最好的数据引擎，它的引脚设计适合卡插口提供更容易的PCB布局。它集成了5V至3.3V 3.3V到1.8V稳压器和电源MOSFET和它使芯片上的时钟源的功能（OCCS）这意味着任何外部12mhz...

全球闪存市场原本有六大原厂，分别掌握在美国、日本及韩国公司手中，美国就占了三家，韩国两家，日本一家，随着Intel闪存业务被SK海力士收购，现在变成了五大原厂，其中三星+SK海力士合计份额超过50%。根据集邦科技发布的Q2季度闪存报告，三星在Q2季度营收59.8亿美元，环比下滑5.4%，市场份额33%，位列第一。 SK海力士收购Intel闪存业务之后成立了合资公司Soldi...

北京时间8月3日消息，韩国SK海力士（SK Hynix）已经开发出238层NAND闪存芯片，它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。 　　 SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。 　　 英特尔NA...

3月23日，据路透社报道，铠侠周三表示，该公司计划与西部数据在其位于日本北部的工厂共同建设一个新的闪存制造厂。一位消息人士称，这可能需要投资约1万亿日元（83亿美元）。 铠侠在一份声明中表示，其位于岩手县北上市的工厂的新抗震设施计划于2022年4月开始建设，预计将于2023年完工。 该公司没有提供投资细节，同时一位发言人拒绝进一步置评。 但一位知情人士称，合资企业的规模约为...

《陕西日报》讯，随着三星（中国）半导体有限公司（西安三星半导体）12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存芯片产能占全球同类产品产能的比重超过10%。 据该报介绍，西安三星半导体作为陕西目前最大的外商投资项目，从落户当地至今已实施两期项目建设。目前拥有员工5500人，主要从事高端存储芯片的生产、研发、销售，是一家集半导体生产和封装测试于一体的综合性半导体生产企业。 该...

据业内人士透露，2021年无线耳机销量强劲，苹果加大对AirPods芯片采购力度，要求兆易创新、华邦电、旺宏等供应商为AirPods 3提供更多的NOR闪存，并为2022年下半年推出新一代AirPods Pro做好准备。 《电子时报》援引上述人士称，华邦电和宏旺都已提高了对AirPods 3的供货，到2022年，两家公司预计都将在AirPods 3的整体NOR闪存供应中占据更大...

芯片短缺迫使苹果在今年 iPhone 13 系列的某些组件上做出妥协，预估 2022 年推出的 iPhone 14 也会遭遇相同的命运。根据一份新报告，苹果正在与 QLC NAND 闪存供应商合作，在明年的机型中使用 QLC。而 QLC 技术最大的问题就是寿命会比较短。 相比较 TLC（三层单元）、MLC（多层单元） NAND，QLC（四层单元）可以存储每个单元四位，可以在同...

Swissbit 推出用于高端工业应用的 CFast™ 存储卡 F-800 使用 SLC-NAND 技术、极其稳健，适用于耐久应用 2021 年 8 月 3 日，瑞士布龙施霍芬。为满足在高可靠性启动盘和可移动数据存储领域久经考验的CFast™ 格式不断增长的需求，Swissbit推出了最新的 F-800 产品系列。F-800 采用了高品质 SLC-NAND 闪存芯片和最新...

据笔者查询得知，前不久，国内存储芯片厂商江波龙提交了IPO招股书，日前，存储模组、闪存主控芯片设计厂商深圳市德明利技术股份有限公司（以下简称“德明利”）也在深交所提交了IPO招股书，不过，与江波龙类似的是，该公司毛利率同样比较低。 事实上，该公司此前就曾在创业板IPO，但随后又终止，目前转战到深交所主板！ 闪存主控芯片厂商德明利IPO：主控芯片打包成模组销售 据介绍，德明利为...

X-FAB近日宣布，模拟/混合信号和特种半导体解决方案的领先代工厂X-FAB Silicon Foundries为其XP018高压汽车工艺推出了新的闪存功能。 需求海量增长需要更强的车规级闪存 如何让汽车电子芯片在越来越复杂的情况下依然安全可靠，并满足越来越丰富的功能需求，这是整个汽车行业实现颠覆式创新的基石所在。 汽车行业的产品创新不仅只是依靠汽车企业的自我...

西安发布消息显示，三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片二期二阶段项目正在进行设备安装购入。 三星（中国）半导体有限公司成立于2012年，公司位于西安高新综合保税区。落地西安以后，三星电子先期投资105亿美元建成三星（中国）半导体有限公司高端闪存芯片项目一期及封装测试中心。项目一期于2014年5月竣工投产，截至目前运行顺利。 2017年8月30日，三星电子株式会社与陕西...

据陕视新闻报道，近日，陕西省2020年重点项目观摩活动举行。其中，在走进西安中，三星12英寸闪存芯片二期项目、西安奕斯伟硅产业基地一期项目等被提及。 据介绍，三星12英寸闪存芯片二期项目由三星（中国）半导体有限公司投资建设，总投资1010亿元，新建一条12英寸3D V-NAND生产线。 项目二期2017年开工，预计2021年上半年建成投产，2022年完成全部投资并实现满产。...

存储行业是全球集成电路市场中比重最大的应用领域之一，目前存储市场的主控芯片主要来自台湾或美国等厂商，如慧荣科技、美满电子、点序科技、安国科技等在国内闪存主控芯片市场占据了主要份额。 不过，受益于国家对存储器芯片的重视度越来越高，国内逐步成长出如长江存储、合肥长鑫等国产存储器芯片生产厂商，逐步打破储存芯片长期由境外厂商垄断的市场格局。 当中，移动存储产品销量全球市占率达7.67%...

长江存储在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/ce...

据businesskorea报道，SK海力士基于96层4D NAND技术开发了一种one-terabit (Tb) quadruple level cell (QLC)闪存芯片。具有更大数据存储容量的高集成产品标志着SK海力士NAND内存业务的全面启动。 SK海力士5月9日宣布，它向固态硬盘(SSD)控制器制造商提供了新产品的样品。该产品可以定义为现有96层charge tra...

　　4日，在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地)，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。 　　中新社记者 张斌 摄 　　据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。 　　这颗芯片，耗资10亿美元，由1...

   4日，在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地)，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。 　　中新社记者 张斌 摄 　　据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。 　　这颗芯片，耗资10亿美元，由1...

    4日，在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地)，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。 　　中新社记者 张斌 摄 　　据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。 　　这颗芯片，耗资10亿美元，由...