Intersil MOSFET驱动器提供最高轻负载效率-电子工程世界

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全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司日前宣布，推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器，为英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升/下降时间，支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。

ISL6622结合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N沟道MOSFET，其先进PWM协议可为先进微处理器提供完整的内核电压稳压器解决方案。

ISL6622有助于实现提高轻负载效率所需PSI模式期间的二极管仿真操作，并通过电感器电流为零时的检测实现非连续导通模式(DCM)。当检测到“零”时，低侧MOSFET处于关断状态，以防止出现吸收电流并消除伴随反向电流的功率损失。Intersil的栅极电压优化技术(GVOT)还可用于PSI模式；通过降低栅极驱动电压，可以显著降低控制轻负载条件下总功耗损失的开关损耗。这增加了ISL6622提供的总效率。

这些PWM控制器还具有自适应击穿保护功能，以防止高低侧MOSFET的同时导通。此外，这些控制器还集成了一个20kΩ的高侧栅极至源极电阻器，以防止由于高输入总线差动电压引起的自导通。

与VCC同时操作的过压保护可以降至POR阈值：PHASE节点可通过一个10kΩ电阻器连接至低侧MOSFET(LGATE)的栅极，以使转换器的输出电压保持接近低侧MOSFET栅极阈值。这种能力可以防止出现负载高侧MOSFET短路的情形。

该驱动器采用具有不同驱动电压的两种封装类型。ISL6622采用8引线SOIC封装，可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC；在PSI模式时将低侧栅极降至固定5.75 V典型值。ISL6222A采用10引线DFN封装，通过UVCC引脚可以将高侧栅极驱动到5V至12V；低侧栅极有一个可选的电阻器，可以在PSI模式下驱动5.75V、6.75V和7.75V的典型电压。

新系列MOSFET驱动器适用于采用英特尔处理器构建的各种服务器、工作站、台式机和游戏主板应用。同时，它们也是VRM应用的理想设计方案。

关键字：Intersil MOSFET 编辑：冀凯引用地址：Intersil MOSFET驱动器提供最高轻负载效率

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