研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET

最新更新时间:2008-12-17来源: 电子工程世界关键字:MOSFET  研诺 手机看文章 扫描二维码
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      研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech™),今日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低阻抗。

      “现在的多相DC-DC转换器和电机控制电路设计师,往往需要可支持更高电压的低成本驱动器,”研诺产品线副总裁CJ Zhang这样说道。“AAT4910运行电压可高达28V,采用高开关频率与小巧的SC70JW封装相结合,完全符合设计师们的这一要求。除此以外,AAT4910的3Ώ超低驱动电阻,使其在这些应用中可更快地驱动更大的MOSFET。

双N沟道MOSFET开关

      AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高/低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V 电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1 µA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。
AAT4910先断后合击穿保护阻止高侧和低侧MOSFET同时传导电流,并显著降低高频时驱动器相关损耗。

      为了防止短路或缺陷MOSFET损害该器件,AAT4910还带有过温保护功能,当片芯温度超过140º C时将关闭器件。

      AAT4910的额定工作温度范围是-40º C到+85º C。采用2 x 2.1-mm、8引脚 SC70JW封装供货。


关键字:MOSFET  研诺 编辑:冀凯 引用地址:研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET

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