安森美半导体发布100V N沟道MOSFET系列

最新更新时间:2010-02-02来源: 电子工程世界关键字:安森美  MOSFET 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100V器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的业界领先雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。

    安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器,以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件,符合RoHS指令,关键的规范特性包括:
·导通阻抗(RDS(on))低至13mΩ
·电流能力高达76A
·经过100%雪崩测试
·通过AEC-Q101标准认证

    安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰,以及推动更高能效,安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择,帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。”

    NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,采用无铅及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封装。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,采用无铅及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封装。所有这些器件的工作温度范围为-55°C至+175°C。

关键字:安森美  MOSFET 编辑:Frank 引用地址:安森美半导体发布100V N沟道MOSFET系列

上一篇:Vishay的101/102 PHR-ST电容器新增三种尺寸
下一篇:飞兆功率开关FSGM0565R推进离线式电源设计

推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 14:53

高效能低电压Power MOSFET及其参数与应用
  前言   近年来,产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象,促使环保 节能 的观念逐渐受到重视,更造就各项 新能源 的开发,能源利用技术及新式组件或装置的发展,而能源政策的推广更使得能源概念的商机逐渐扩大。   为了满足节能和降低系统 功率 损耗的需求,需要更高的能源转换效率,这些与时俱进的设计规范要求,对于 电源 转换器设计者会是日益严厉的挑战。为应对此需求,除使用各种新的转换器拓扑(topology)与电源转换技术来提高电源转换效率之外,新式功率组件在高效能转换器中所扮演的重要角色,亦不容忽视。其中,Power MOSFET目前已广泛应用于各种电源转换器。本文将简述Power MOSFET的特性、参数与应用,
[电源管理]
高效能低电压Power <font color='red'>MOSFET</font>及其参数与应用
大联大友尚集团推出安森美半导体电流型LLC-150W电源解决方案
2018年11月13日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商--- 大联大控股 宣布,其旗下友尚推出安森美半导体(ON Semiconductor)NCP1399的电流型LLC-150W电源的解决方案。 大联大友尚代理的ON Semiconductor推出的LLC-NCP1399是业界首款采用电流控制模式的LLC AC-DC控制IC。输入85-260VAC输出DC19.5V7A,主要驱动器件应用600V门极驱动器简化布局并减少外部元件数,采用跳周期模式提升轻载能效,并集成一系列保护特性以提升系统可靠性,用于大屏幕电视、一体化电脑、工业及医疗等大功率电源系统应用,可显著实现轻载和满载时的高能效及超低待机能耗。 图示1
[电源管理]
大联大友尚集团推出<font color='red'>安森美</font>半导体电流型LLC-150W电源解决方案
解读安森美图像传感器策略——悠久积淀,全面创新
作为智能感知技术的主要赋能者,安森美(onsemi)在图像传感器方面的布局如何?日前,在慕尼黑上海电子展上,笔者有幸采访到安森美智能感知部工业及消费应用大中华区市场经理陶志,盘点了安森美在智能感知领域的部分产品及布局。 悠久的历史与积淀 从收购算起,安森美是业界历史最为悠久的CMOS图像传感器公司,迄今已有45年以上。 这里很明显有数条主线,其中包括Cypress、Truesense、Aptina、Sensl以及其相应的前身,在传感器行业都曾经拥有过辉煌。比如Cypress的定制CMOS传感器用于ARRI 专业数字摄影机上,采用ARRI摄影机、镜头和灯光系统拍摄的电影屡次获得奥斯卡各类最佳影片、最佳摄影等奖项。
[传感器]
解读<font color='red'>安森美</font>图像传感器策略——悠久积淀,全面创新
新传感器屏蔽板扩展安森安森美半导体的物联网套件功能
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON )发布了两款新型板(屏蔽板),进一步扩展了其最近发布的物联网(IoT)开发套件( IDK )平台的功能。随着这两款搭载蓝牙低功耗技术和智能无源传感器(SPS)的新屏蔽板的推出,客户现在可以针对智能家居/楼宇、智慧城市、工业自动化和移动医疗应用打造多种多样的独特用例。 蓝牙低功耗屏蔽板 配备最近推出且通过蓝牙5认证的RSL10多协议 无线电系统单芯片 (SoC)。凭借业内最低的深度睡眠电流和接收功耗,RSL10帮助制造商打造电池寿命更长的IoT设备。而且,RSL10外形小巧,有助于实现低功耗IoT传感器网络所需的超紧凑、高性价比终端设计
[物联网]
安森美半导体智能感知技术 推动ADAS、AI发展
图像传感器、深度感知、传感器融合,是感知未来发展的三个趋势,而汽车、机器视觉、边缘人工智能(Edge AI)是智能感知最聚焦的3大应用市场。安森美半导体是全球唯一一家提供完整感知模式及方案的公司,包括超声波、成像、毫米波雷达、激光雷达(LiDAR)及传感器融合等,且技术领先行业并持续创新,是至关重要三大应用领域成像方案的市场领袖,致力于提供超越人眼的视觉。 汽车智能感知方案为迈向自动驾驶铺平道路 驾驶员的视线范围一般只能覆盖前方180度,加上余光,可能超过200度,而融合图像传感器、超声波、雷达、LiDAR的汽车具有360度感知能力。目前启用自动驾驶的车辆配备9个(以后可能达到20个)图像传感器、 10个雷达、至少2个超声
[物联网]
<font color='red'>安森美</font>半导体智能感知技术 推动ADAS、AI发展
反激开关MOSFET源极流出的电流精细剖析
反激开关MOSFET 源极流出的电流(Is)波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中,测的的波形的一些关键点不是很清楚,下面针对反激电源实测波形来分析一下。 问题一,一反激电源实测Ids电流时前端有一个尖峰(如下图红色圆圈里的尖峰图),这个尖峰到底是什么原因引起的?怎么来消除或者改善? 大家都知道这个尖峰是开关MOS开通的时候出现的,根据反激回路,Ids电流环为Vbus经变压器原边、然后经过MOS再到Vbus形成回路。本来原边线圈电感特性,其电流不能突变,本应呈线性上升,但由于原边线圈匝间存在的分布电容(如下图中的C),在开启瞬间,使Vbus经分存电容C到MOS有一高频通路,所以形成一时间很短尖峰。 经分析,
[模拟电子]
Vishay首创将高、低MOSFET集成在同一封装
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装,在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET,同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性,比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。PowerPAIR的厚度为0.75 mm,比厚度为1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封装薄了28%。 在PowerPAIR
[半导体设计/制造]
Vishay首创将高、低<font color='red'>MOSFET</font>集成在同一封装
安森美针对汽车照明应用的LED及电机驱动方案
随着LED光输出不断提升,彩色及白光高亮度LED已能替代白炽灯用于汽车照明。由于LED是低压器件,根据色彩及电流不同,其正向电压可能介于2 V至4.5 V之间;LED还需要以恒定电流驱动,以确保所要求的光强度和色彩。安森美半导体为汽车照明应用提供符合汽车应用严格要求的丰富LED照明及电机驱动方案,满足不同汽车照明应用的需求。 汽车前照灯方案 现在路上行驶的大多数汽车都装备了卤素灯,带有主要前照灯功能——远光灯及近光灯。卤素近光灯的功率消耗约55 W,提供约1,000流明的光输出。而十年前推出的高强度气体放电灯(HID)消耗功率约为35 W,光输出约3,500流明。由于极高的光强度和眩光,会给迎面驶来的汽车带来风险,一
[电源管理]
<font color='red'>安森美</font>针对汽车照明应用的LED及电机驱动方案
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved