IR 推出SOT-23功率MOSFET产品系列

最新更新时间:2010-07-21来源: EEWORLD关键字:SOT-23  功率  MOSFET 手机看文章 扫描二维码
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      国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。

      新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术,通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力,为客户的特定应用优化了性能及价格。

      IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围,并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ,从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”

      新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准,所采用的材料不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。


 

关键字:SOT-23  功率  MOSFET 编辑:于丽娜 引用地址:IR 推出SOT-23功率MOSFET产品系列

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