高压MOS/IGBT的短路保护电路-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

发个个人多年来从事高压脉冲电源的工作的一点经验总结。

电路如上：

带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端；2脚为驱动地；1脚为驱动输出。

当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通（当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系），因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流放电，因而芯片不会有局部过热的可能，在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性得到了很大提高。

此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。[page]

S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)选定的,至于跨导这个不是主要因数;这里三极管并不工作在开关状态他只是根据MOS的瞬态电流值调整MOS的驱动电压,保证在短路出现的时候IDM不至于超出安全工作范围,这个时候由于在1US甚至更短的时间内驱动已经被关断并锁定,所以不存在过功损耗.三极管的反映时间越快越好.其实这个电路是电流负反馈电路演变过来的.电路如下:

编辑：冰封引用地址：高压MOS/IGBT的短路保护电路

上一篇：电感案例：低功耗电源的电感选择
下一篇：瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点

推荐阅读最新更新时间：2023-10-18 15:08

高压MOS/IGBT的短路保护电路

高压脉冲电源学习经验总结　　带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。　　当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流放电，因而芯片不会有局部过热的可能，在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性得到了很大提高。　　此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。　　S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(Pulsed D

[电源管理]

高压<font color='red'>MOS</font>/<font color='red'>IGBT</font>的短路保护电路

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■TI 有奖直播 | 使用基于 Arm 的 AM6xA 处理器设计智能化楼宇

■Follow me第二季第3期来啦！与得捷一起解锁高性能开发板【EK-RA6M5】超能力！

■报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT

■30套RV1106 Linux开发板（带摄像头），邀您动手挑战边缘AI~

Vishay线上图书馆

白皮书技术文章视频热门推荐