0 引言
在电化学、核聚变以及励磁等大型变换装置上,都存在多个电力半导体器件(如整流管、晶闸管以及其它新型电力半导体器件等)的并联问题,从线路应用的角度,已取得了许多成功的经验[1]~[6],其中文献[1]和[6]还从均流系数的角度,给出了对器件的要求。然而从器件及其筛选匹配方面,我们认为还有进一步的探讨和研究的必要。从事器件应用的,注重器件的内在性能;从事器件设计的,注重线路对器件的要求,两方面的结合是提升器件性能的最近之路。近年来,我们在解决器件的均流问题上,应用户的要求,作了一些尝试,取得了一些经验,这些经验是双方共同努力的结晶。本文就是这些点滴尝试经验的说明。
1 器件均流问题的提出
当输出电流容量的要求高于单个器件的最大可用电流时,就必须采用多个器件并联;对于一些特殊的应用场合,如绝对不允许有因质量问题而出现停电和设备停止运转时,往往也采用多个器件并联,这样即使有10%~20%的器件,或支路出现问题,也能确保运转工作正常进行。
整流二极管和晶闸管等双极性器件,其通态伏安特性均表现出温度升高而压降曲线减小的特点,即所谓负电阻温度系数,而负电阻温度系数的器件是很不利于并联的,这就更增加了并联均流的难度[7]。
要进行多个电力半导体器件的并联,就必须认真解决均流问题。器件均流问题还可细分为动态均流和稳态均流。
所谓动态均流是指由断到开,或由开到关情况下的均流。前者是主要的,后者往往可以不做考虑。由断态到通态解决的是同时触发开通的问题,以晶闸管为例,只要是同一批次的器件,开通延迟时间的误差都在1滋s之内,而整个开通延迟时间才是几滋s,因此要保证动态均流,就要注意:
1)将门槛电压VTO尽量选低些[4];
2)确保门极触发脉冲的幅度(例如应用时给定的触发电流Igm等于器件触发电流Ig的5倍)和宽度(例如100 滋s),特别是脉冲前沿的陡度(例如0.1滋s)[5],则动态均流是有保证的。
所谓稳态均流就是通态均流,也是最主要的均流问题。站在应用的角度,主要的均流措施有小电流应用中的电阻均流,大电流应用中的电抗器均流,总之,都是被动的并以额外附加一些电功率为前提。
不言而喻,之所以有不均流现象,是由于器件的不同通态参数引起的,只有把握好关键的器件通态参数这一关,才是抓住了并联均流的主要矛盾。这一现象如图1所示。
0 引言
在电化学、核聚变以及励磁等大型变换装置上,都存在多个电力半导体器件(如整流管、晶闸管以及其它新型电力半导体器件等)的并联问题,从线路应用的角度,已取得了许多成功的经验[1]~[6],其中文献[1]和[6]还从均流系数的角度,给出了对器件的要求。然而从器件及其筛选匹配方面,我们认为还有进一步的探讨和研究的必要。从事器件应用的,注重器件的内在性能;从事器件设计的,注重线路对器件的要求,两方面的结合是提升器件性能的最近之路。近年来,我们在解决器件的均流问题上,应用户的要求,作了一些尝试,取得了一些经验,这些经验是双方共同努力的结晶。本文就是这些点滴尝试经验的说明。
1 器件均流问题的提出
当输出电流容量的要求高于单个器件的最大可用电流时,就必须采用多个器件并联;对于一些特殊的应用场合,如绝对不允许有因质量问题而出现停电和设备停止运转时,往往也采用多个器件并联,这样即使有10%~20%的器件,或支路出现问题,也能确保运转工作正常进行。
整流二极管和晶闸管等双极性器件,其通态伏安特性均表现出温度升高而压降曲线减小的特点,即所谓负电阻温度系数,而负电阻温度系数的器件是很不利于并联的,这就更增加了并联均流的难度[7]。
要进行多个电力半导体器件的并联,就必须认真解决均流问题。器件均流问题还可细分为动态均流和稳态均流。
所谓动态均流是指由断到开,或由开到关情况下的均流。前者是主要的,后者往往可以不做考虑。由断态到通态解决的是同时触发开通的问题,以晶闸管为例,只要是同一批次的器件,开通延迟时间的误差都在1滋s之内,而整个开通延迟时间才是几滋s,因此要保证动态均流,就要注意:
1)将门槛电压VTO尽量选低些[4];
2)确保门极触发脉冲的幅度(例如应用时给定的触发电流Igm等于器件触发电流Ig的5倍)和宽度(例如100 滋s),特别是脉冲前沿的陡度(例如0.1滋s)[5],则动态均流是有保证的。
所谓稳态均流就是通态均流,也是最主要的均流问题。站在应用的角度,主要的均流措施有小电流应用中的电阻均流,大电流应用中的电抗器均流,总之,都是被动的并以额外附加一些电功率为前提。
不言而喻,之所以有不均流现象,是由于器件的不同通态参数引起的,只有把握好关键的器件通态参数这一关,才是抓住了并联均流的主要矛盾。这一现象如图1所示。
2 通态理论和基本特性参数
多数电力半导体器件的通态伏安特性曲线都可用发展了的赫莱特(Herlet)关系式[8]来表征,即瞬时通态电压VTM表示通态结压降、通态体压降、以及接触压降之和。对于一个制作精良的器件,一般可以忽略接触压降(接触压降是符合欧姆定律的,即使制作水平差,也很容易将它筛选出去),由通态结压降Vj、通态体压降Vm公式
公式(3)是一个复杂的函数形式,通态电流对通态电压的重大影响是隐含在其各个参量上的。
尽管公式(3)的函数形式很复杂,但在充分考虑载流子间散射效应、俄歇复合效应、端区复合效应后,按照一定的程序,完全可以计算出VTM,并且是理论符合实际的通态伏安特性曲线,如果并联器件都取接近的通态伏安特性曲线,那么均流问题会解决得很好。
还可以将复杂的公式(3)表征的函数,用最简单的函数形式,如0、0.5、1 次幂指数和一个简单对数来近似描述,写成如下形式
式中4 个常数A、B 、C、D 完全可以用4 个测试点的数据代入,通过解行列式而得到VTM。
很显然,运用公式(3)或(4)可以得到通态参数的精确数据和实测结果,但还不方便用于并联均流匹配工作。
为此在器件额定工作点附近做直线近似,寻找一个规范的解决办法。利用图2,简单介绍这种处理问题的规范的方法。
图2 中,V1 是0.5ITM 下的峰值电压,V2 是1.5ITM 下的峰值电压,VTM 是ITM 下的峰值电压,ITM为通态峰值电流,ITM=3(或仔)IT AV,IT AV是正半波平均电流。
由图2很容易得到下式关系式。
通态峰值电压
这里,通态门槛电压VTO,是由通态近似直线与电压轴的交点所确定的通态电压值;通态斜率电阻rT,是由通态近似直线的斜率计算出的电阻值。通态门槛电压VTO,通态斜率电阻rT是衡量通态特性好坏的标志性参数,是通态特性本质的反映。
几乎所有电力电子的应用书籍在并联均流上,都有一句“尽量选用特性参数一致的器件”。器件参数那么多,仅通态参数就有几十个,究竟如何选取呢?有的选取以通态平均压降VT一致作为均流匹配的原则,有的选取以额定通态峰值电压VTM一致作为均流匹配的原则,实践表明其局限性都很大。我们认为依据用户实际工作电流,选取通态门槛电压VTO值、通态斜率电阻rT值一致才是并联器件均流的正确匹配原则。
用公式(3)或(4)计算,或者直接用峰值电压测试仪测出V1、V2 值,代入公式(5)~(7),立即得到VTO 值、rT值以及VTM 值,选取VTO、rT接近的一组就是均流匹配成功的一组。
3 测试结果和计算匹配
应用户要求,尚需给出在ITM=300 A,即ITAV=100 A时的并联均流匹配的分组结果,这是实际使用中的真实的常规情况。为此,以ITM=300 A为中心,分别以150 A和450 A作为新的V1、V2值的测试或计算电流,利用表1 中的450 A的结果,再加150 A的结果,如表2 所列。在表2中的参数上加了角标O,是为了和表1中的参数符号相区别,表2中的数据一目了然,无需多加说明。
4 结语
1)由表1 到表2,从I TM=900 A到ITM=300 A,也即从通态伏安特性曲线的高电流段下降到低电流段,反映结电压的门槛电压是降低的,这正是并联均流所需要的。而反映体内压降的斜率电阻是稍许增加的,但这并不影响并联均流。出于并联均流的需要,在产品样本中,给出两套通态门槛电压、通态斜率电阻值是完全必要的,有的国外样本就是这样做的。
2)两个表中的数据都是近期在联均流测试中获得的数据,看上去有些理想化,不够典型,但作为并联均流测试筛选匹配器件的方法是很清晰的。通常认为并联均流的器件必须选同一批次的,因而测试筛选匹配工作容易得多,即免去了开通时间一致的匹配筛选。器件并联均流中的测试(或计算)电流的选取必须由用户的实际电流而定,这是特别要注意的前提条件。
3)上述并联均流的方法是经过多次失败总结而得来的,我们曾采取的方法有:
(1)将注重点放在开通参数上,如确保触发参数一致,然而,当在应用中确保了门极触发脉冲的幅度和宽度后,其对并联均流的影响很小;
(2)将注重点放在通态平均电流IT AV和通态平均压降VT上,按文献[1]提供的均流系数的方法进行匹配筛选,虽然通过了用户的应用要求,但总还不够理想,这是因为通态平均压降VT 反映的是稳定后的平均效果,这样变化因素更多更难控制,不如采用瞬时值优越;
(3)采用额定通态峰值电压VTM值进行匹配筛选,仅以一点值且往往又不是真正的工作点值为筛选参数,所以其局限性更大。
4)一台整机的均流器件的更换,原则上是采用同一批次器件。如果更换为不同厂家的产品,就必须在同一条件下,选通态门槛电压、通态斜率电阻值完全近似的,且还必须测试开通时间并匹配,否则并联均流会失败。这方面的教训也很多。
5)大量器件(如8个及以上)在一条线上并联装配,因磁场作用,往往出现边缘电流集中的问题,由于和现场关系密切,对用户来讲,会认真解决的。
6)实践反复证明,依据用户的要求,采用V1、V2值的测试(或计算)确定通态门槛电压、通态斜率电阻值,进而匹配均流器件是一个方便简捷实用的好办法。按照这样的均流匹配方法,在一定条件下,省掉电抗器,实现了晶闸管的直接并联。
上一篇:LDO线性调节器电路在StrataFlash嵌入式存储器中的应用
下一篇:东芝强推功率半导体 称要夺取世界第一宝座
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:35
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- Allegro MicroSystems 在 2024 年德国慕尼黑电子展上推出先进的磁性和电感式位置感测解决方案
- 左手车钥匙,右手活体检测雷达,UWB上车势在必行!
- 狂飙十年,国产CIS挤上牌桌
- 神盾短刀电池+雷神EM-i超级电混,吉利新能源甩出了两张“王炸”
- 浅谈功能安全之故障(fault),错误(error),失效(failure)
- 智能汽车2.0周期,这几大核心产业链迎来重大机会!
- 美日研发新型电池,宁德时代面临挑战?中国新能源电池产业如何应对?
- Rambus推出业界首款HBM 4控制器IP:背后有哪些技术细节?
- 村田推出高精度汽车用6轴惯性传感器
- 福特获得预充电报警专利 有助于节约成本和应对紧急情况