安森美半导体推出业界最低电容的瞬态电压抑制器-电子工程世界

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三款新器件为高速数据线路提供低钳位电压、最佳信号完整性的ESD保护

2011年9月20日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出最新的高速数据线路用瞬态电压抑制器(TVS)。这三款新器件——ESD7008、MG2040及ESD7104为高速数据及视频线路，以业界最低电容、最高信号完整性及低钳位电压提供静电放电(ESD)保护。

安森美半导体保护产品分部副总裁兼总经理Gary Straker说：“随着消费类及计算机产品采用带宽更高的新接口，低电容及低钳位电压是确保稳定操作的关键。这些新器件的性能不仅领先业界，且节省空间成本，并简化设计而减少工程设计挫折，为工程师提供了极佳的ESD保护方案选择。”

ESD7008的设计旨在保护达4个高速差分对(8条线路)，提供业界领先的ESD保护能力，以节省空间的封装设计提供仅为0.12皮法(pF)的极低输入/输出(I/O)至地电容。这新元件以流越型(flow-through) UDFN18封装来组装，配合简单的印制电路板(PCB)布线及匹配的走线长度以维持高速线路阻抗的一致性。ESD7008提供领先业界的低电容确保超快接口能提供高信号完整性。它的新兴应用包括USB 3.0、V-by-One™及Thunderbolt (Light Peak)，其中在USB 3.0应用中提供全集成方案，保护3个高速对及电源(Vcc)和识别(Iden)线路。ESD7008其它普及应用中也证明为极佳保护方案，包括HDMI™、DisplayPort及低压差分信令(LVDS)。

MG2040瞬态电压抑制器的设计专门提供完整功能的集成ESD保护方案，保护多达14条线路，涵盖HDMI及Display接口的所有工作引脚。典型值0.35 pF(I/O至GND)的超低电容、流越型封装设计及低ESD钳位电压使MG2040非常适合保护对电压敏感的高速数据线路。MG2040在以单器件替代须使用多颗元件的应用，因而节省成本及电容板空间，同时提升性能。

安森美半导体推出的第三款新瞬态电压抑制器是ESD7104。这器件采用极节省空间的UDFN10封装，配合简单布线及匹配的高速差分线路之间的走线长度，用于USB 3.0、HDMI、Esata 3.0及DisplayPort等应用。ESD7104为多达4条线路提供低电容ESD保护，提供典型值0.3 pF的典型I/O至GND电容。

安森美半导体这三款新的瞬态电压抑制器的工作结温范围为-55 ºC至+125 ºC。它们提供15千伏(kV)接触及空气放电保护，更胜IEC61000-4-2 (level 4)保护要求。这些器件每10,000片批量的单价在0.15美元至0.30美元。

关键字：安森美编辑：冀凯引用地址：安森美半导体推出业界最低电容的瞬态电压抑制器

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