推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:59
科学家开发出打破效率纪录的钙钛矿-硅太阳能电池
科学家们已经打破了串联型硅-钙钛矿太阳能电池的效率纪录--首次超过了30%的里程碑。这项新纪录使该技术超越了单独使用硅的上限,另外,它使用的还是低成本和可扩展的材料。 长期以来,由于效率、耐用性、成本和易于制造的坚实组合,硅一直主导着太阳能电池行业。几十年的技术进步不断提高了这些太阳能电池的效率,但随着目前的设备接近材料的理论极限--29.4%,这种材料已经没有多少增长空间了。 虽然钙钛矿作为一种替代品正在迅速崛起,但这并不意味着硅被取代。相反,这两种材料配合得非常好,并吸收不同波长的光--硅擅长红光和红外光,而钙钛矿最注重光谱的绿色和蓝色部分。 这意味着串联硅-钙钛矿太阳能电池有可能达到比两者单独实现的更高的效率
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全世界十大单晶硅太阳能电池厂商
下表列出全球目前市售的十大最高效率单晶硅太阳能电池信息。 近年来,由于传统化石燃料引起环境问题,使太阳能发电作为一种清洁的新能源,正在受高度关注。为了广泛地应用太阳能广泛技术,需要开发高效率、低成本的太阳能电池。在当今全球低迷的光伏环境中,全球各大厂商也纷纷改善生产技术,尽可能地开发高效太阳能电池片。以下为的全球目前市售的十大最高效率单晶硅太阳能电池信息。
1.美国Sunpower
电池效率:22.5%
电池类型:Maxeon Cell Technology
尺寸:130x130 mm
2.日本三洋电子
电池效率:20.2%
电池类型:
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日本用高分子材料制成仅10纳米超微结构
日本的一个研究小组日前宣布,他们利用分子聚集并自然排布的现象,用高分子材料制成了宽度仅10纳米的超微结构,这种新技术有望大幅提高半导体的性能。
据日本媒体报道,日本京都大学和日立制作所的联合研究小组对高分子膜覆盖的基板进行特殊处理,制成了这种超微结构。如果在该结构表面覆盖氧化物,就可能使这种结构具有半导体的性能。
据日本专家介绍,此前日本研究者利用半导体技术最小只能生产宽度为65纳米的超微结构,如果上述新技术达到实用水平并用于半导体生产,就可以使按单位面积计算的半导体超微结构的密度达到原先的9倍,半导体的性能也会达到目前半导体产品的9倍。
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列数各类高效晶硅太阳能电池
晶硅电池在过去20年里有了很大发展,许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中,人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能,如背表面场,浅结,绒面,氧化膜钝化,Ti/Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。 单晶硅高效电池 单晶硅高效电池的典型代表是斯但福大学的背面点接触电池(PCC),新南威尔士大学(UNSW)的钝化发射区电池(PESC,PERC,PERL以及德国Fraumhofer太阳能研究所的局域化背表面场(LBSF)电池等。 我国在“八五”和“九五”期间也进行了高效电池研究,并取得了可喜结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。
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研究人员开发新型光敏纳米结构电极 提高制氢效率
据外媒报道,加拿大国立科学研究院(Institut national de la recherche scientifique,INRS)与法国能源、环境与健康化学过程所(ICPEES)的研究人员合作开发出新型日光-光敏-纳米结构电极,为绿色制氢铺平了道路。ICPEES是法国国家科学研究中心(CNRS)与斯特拉斯堡大学的联合研究实验室。 (图片来源:INRS) INRS教授My Ali El Khakani表示:“受益于高性能纳米材料,我们可以提高水分解制氢的效率。对于重型卡车运输和公共交通脱碳来说,这种‘清洁’燃料正变得越来越重要。” 长期以来,一直通过电解将水分子分解成氧气和氢气,然而工业电解槽能耗很大,并且需
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晶澳太阳能宣布研发出新高效多晶硅太阳能电池
北京时间2月17日晚,晶澳太阳能(JASO,8.20,-1.86%)宣布研发出新的高效多晶硅太阳能电池,转换效率达到18.2%,这是多晶硅太阳能电池领域的一个重大突破。 新一代太阳能电池由晶澳太阳能研发团队开发,使用拥有自主知识产权的新技术"Maple",使多晶硅太阳能电池电力输出显著增加。 Maple电池在大规模生产条件下的试产中,转换效率达到18.2%,公司计划在2011下半年开始商业化生产。
[新能源]
晶体硅太阳能电池制造工艺详解
晶体硅太阳能电池制造工艺详解
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下:
(1) 切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。 (2) 清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。 (3) 制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 (4) 磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。 (5) 周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 (6) 去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。 (7) 制作上
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