推挽软开关的实现-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

先请大家看两个波形：第一个是MOS管漏极的波形(带载500W),可以看出此时漏感引起的尖峰已经荡然无存(无任何的吸收或钳位)

　　再看下变压器次级电流的波形:串联0.1R的电阻测得的，已经接近正弦波。

　　其实看到这个框图我想大家都懂了。

　　发一个双通道测的两个推挽管的D极的电压和电流的波形，电流波形是通过探测MOS管的源极管脚的压降测得的。

　　通过这个波形直观地介绍推挽软开关的实现原理:

死区时只是C1D充电,C2DS放电，或者相反，确实未达到完全的0电压开通，但很接近了。我发个硬开关的对比图给大家看下。大家可以对比28贴的图：

　　这个硬开关时的电流尖峰已经很可怕了，如果把上面这通道改为1V/格(不是200MV/格)，图为：

　　重新调了一下加大了Ds电容和变压器的漏感，波形似乎更像软开关了。

　　二极管两端的波形，居然没有任何的尖峰。

　　重新调了一下死区。

关键字：推挽软开关编辑：冰封引用地址：推挽软开关的实现

上一篇：运算放大器的噪声
下一篇：基于瑞萨单MCU的智能照明平台解决方案

推荐阅读最新更新时间：2023-10-18 16:01

理解stm32开漏输出与推挽输出

每次看到stm32的教程，都是让点led灯，对GPIO觉着很是简单。后来者麦知club的小车机器人项目中，屡屡碰壁，是寸步难行，读ds18b20要拉底，拉高；写Oled屏要片选，要命令。在百度里查来查去，大都模样差不多。今天，动手在stm32l152c的discovery板上，简单的几行代码，配合万用表，终于一解迷惑。依旧是要cubemx配置外设和时钟，while循环里代码如下： /* USER CODE BEGIN 3 */ if(HAL_GPIO_ReadPin(GPIOA, GPIO_PIN_0) == GPIO_PIN_SET) index = ~index; HAL_G

[单片机]

一种新型软开关PFC电路的分析及仿真

引入了一种新型的软开关 PFC 电路，首先分析了开关电源的发展历程，然后讲了谐波给公共电网造成的危害，再给出了这种软开关PFC的电路拓扑及原理图并对其工作原理进行了分析，最后对其参数进行设置在MATLAB软件进行了仿真，并得到了良好的电压电流波形，而且减小了电路的损耗，提高了电路的效率，实现了小型化，绿色化的要求。叙词：开关电源软开关 PFC MATLAB 小型化绿色化 0 引言电源发展到今天，经历了相控电源，线形电源，和开关电源的发展历程，并且现在更朝着小型化绿色化的方向发展。相控电源体积大，重量重，有庞大的工频变压器和电抗器及电容，变压器电抗器铁损及铜损较大，有温升散热通风问题，其中

[模拟电子]

采用变压器次级辅助绕组的软开关PWM三电平变换

摘要：提出一种新型的ZVZCSPWM三电平直流变换器，在变压器的次级侧附加一个辅助绕组，整流得到的辅助电压，为滞后管创造零电流条件，较好地解决了滞后管轻载下软开关难的问题。新的主电路拓扑减小了高压下功率器件的电压应力。分析了各时段的工作原理，并提供了设计参考和实验结果。关键词：三电平变换器；零压开关；零流开关；移相脉宽调制　 1 引言随着科技的发展，谐波污染问题越来越引起人们的关注，有源功率因数校正（APFC，Active Power Factor Correction）技术是解决谐波污染的有效手段。而三相功率因数校正变换器的前级输出直流电压一般为760～800V，有时甚至高达1000V，这就要

[电源管理]

采用变压器次级辅助绕组的<font color='red'>软开关</font>PWM三电平变换

电源技术基础：减少开关损耗的“软开关”技术

电子技术的不断，电子设备种类也多种多样，自然与人们的工作生活息息相关，而任何的电子设备也都需要电源的支撑，而电子技术的不断成熟发展，对电源设计的要求也在不断的提升，它们都需要一个稳定的电源提供它们正常运行的能量，控制电源的开关技术影响电源稳定的一大因素，下面将介绍开关技术中的硬开关技术与软开关技术。　　磁性元件的体积和重量在开关电源中占有很大比例，而开关电源的发展方向是体积小、重量轻和低成本，高频化可以有效的减小磁性元件的体积和重量，即开关器件的工作频率越高，其体积和重量越小。传统的DCOC变换器中，开关器件工作在硬开关状态。　　硬开关的缺点如下：　　(1)开通和关断过程损耗比较大；　　(2)感性关断问题：　　当

[电源管理]

电源技术基础：减少开关损耗的“<font color='red'>软开关</font>”技术

高品质50W×2甲类对地推挽功率放大器（下）

功率放大器，简称“功放”。很多情况下主机的额定输出功率不能胜任带动整个音响系统的任务，这时就要在主机和播放设备之间加装功率放大器来补充所需的功率缺口，而功率放大器在整个音响系统中起到了“组织、协调”的枢纽作用，在某种程度上主宰着整个系统能否提供良好的音质输出。

[模拟电子]

单片机中的双向，推挽，上拉，下拉

上拉是指单片机的I/O口输出高电平的电流非常低或根本没有，所以为了保证能输出或得到正常的高电平或据有一定带负载的能力而人为的将I/O口上用一电阻接到VCC上。上拉是指单片机的I/O口输出高电平的电流非常低或根本没有，所以为了保证能输出或得到正常的高电平或据有一定带负载的能力而人为的将I/O口上用一电阻接到VCC上。传统51单片机IO接口只可以作为标准双向IO接口，如果用其来驱动LED只能用灌电流的方式或是用三极管外扩驱动电路。

[单片机]

stm32的开漏电路与推挽输出

===================================================== 开漏结构所谓开漏电路概念中提到的漏就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的集就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：图1 组成开漏形式的电路有以下几个特点： 1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部 MOSFET 导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ， MOSFET 到

[单片机]

stm32的开漏电路与 <font color='red'>推挽</font>输出

STM32之的GPIO推挽输出与开漏输出的区别

首先看以下STM32的GPIO的原理图如下：当端口配置为输出时：开漏模式：输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 不被激活，输出0。输出 1 时，N-MOS 高阻， P-MOS 不被激活，输出1（需要外部上拉电路）；此模式可以把端口作为双向IO使用。推挽模式：输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 高阻，输出0。输出 1 时，N-MOS 高阻，P-MOS 导通，输出1（不需要外部上拉电路）。

[单片机]