随着市场发展以及人们对环境问题的广泛关注,低成本、低待机功耗和高效率的电源IC越来越受到欢迎。降低系统待机功耗、提高系统转换效率成为绿色电源IC的发展方向。今天的电源应用日益广泛,而且大部分情况下,电源是处于待机状态,虽然单个电源在待机状态下消耗的功率比较小,但整个市场庞大的用量累加起来导致消耗的总功率相当大,占到整个电源总功耗的15%甚至更多。经过近几年电源IC技术的快速发展,目前市场上大部分产品都能满足能源之星EPS2.0所规定的待机功耗300mW的要求。如今,超低待机功耗技术开始流行起来,在30W以下电源中待机功耗最小可达到30mW,未来可望更低。
在激烈的市场竞争环境下,西安芯派整合技术优势并加强研发管理,不断完善高性能绿色电源芯片产品线。在现有SW265X系列、SW253G和SW2263等基础上,最新推出SW2273、SW2801(QR模式)和SW2306(QR模式)等系列高效率、超低待机功耗绿色电源芯片。为满足市场需求,芯派有针对性的推出了一款高性能、低成本、电流模式PWM控制器---SW2604,该芯片外围线路简单,系统设计灵活;其待机功耗小于200mW,适用于适配器、机顶盒电源、小家电和LED照明领域。本文将重点介绍SW2604的技术特点与应用设计注意事项。
图1:SW2604内部电路参考框图
SW2604的技术特点
SW2604内部电路参考框图如图1所示。该电源控制器可工作在典型的反激电路拓扑中,构成简洁的AC/DC 转换器;在85~265V的宽电压范围内可提供高达12W的连续输出功率;借助优化的电路设计并结合高性价比双极型制造工艺,最大程度节约了产品的整体成本。SW2604内部电路如图1所示。芯片内部启动电路被设计成一种独特的电流吸入方式,可利用功率开关管的本身放大作用完成启动(开关管Ic对Ib的放大),从而显著降低了启动电阻的功率消耗。在输出功率较小时,Ic将自动降低工作频率,从而实现了极低的待机功耗;在功率管截止时,内部电路将功率管反向偏置,直接利用双极型晶体管的CB高耐压特性,大幅提高功率管的耐电压能力直到700V高压,这保证了功率管的安全;芯片内部还提供了完善的防过载、防饱和功能,可实时防范过载、变压器饱和、输出短路等异常状况,提高了电源可靠性。SW2604主要特点如下:
A 工作频率可调
SW2604的工作频率由外部CT电容可调。芯片内部电流源对CT电容进行100μA恒流充电形成时钟上升沿,在充电电压至2.5V时,内部电路将以1.9mA的下拉电流对CT放电,形成时钟下降沿,完成一个时钟周期。对于双极性功率开关而言,需要考虑存储时间对开关损耗的影响,开关频率通常设置在70KHz以下。
B 过温度保护功能
SW2604芯片内部集成了精确的过温保护功能。在芯片内部温度达到140℃,热保护电路动作,将时钟信号下拉,使开关频率降低,降低功耗。开关频率随温度的升高而降低,直至振荡器关闭。如图2所示。
图2:SW2604芯片内部集成了精确的过温保护功能
上一篇:基于DSP的电力电源系统集中监控器的研究
下一篇:电动自行车及其控制器简介
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:27
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox