IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产品-电子工程世界

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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。

全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列，与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成，为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻，因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET，有助于减少电路板面积和系统成本。”

所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。

产品规格

器件编号 (- TRPbF)	BV_DSS	V_GS最大值	25ºC 时的最大I_d	典型/最大导通电阻(mΩ)
器件编号 (- TRPbF)	BV_DSS	V_GS最大值	25ºC 时的最大I_d	10V	4.5V	2.5V
IRFTS9342	-30V	20V	5.9A	31/39	53/66	NA
IRLTS2242	-20V	12V	6.9A	N/A	26/32	45/55
IRLTS6342	30V	12V	7.8A	N/A	12/20	15/24
IRFTS8342	30V	20V	8.2A	15/19	22/29	N/A

新器件正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站www.irf.com。

商标
IR® 和HEXFET® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

编辑：eric 引用地址：IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产品

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