Diodes新型 MOSFET离板高度减半-电子工程世界

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Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度，较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。

DMP2039UFDE4针对负载开关应用，为电路设计人员提供3kV的电路保护，以免受人体本身的静电放电所影响。这些最新推出的MOSFET拥有低典型RDS(on) 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使电池充电应用的传导损耗减至最少。

20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降压及升压转换器内，成为理想的负载开关或高速开关，并提供2kV的高静电放电保护。DMN6040UFDE将会是首批采用DFN2020封装的高电压MOSFET之一，在60V的VDS下运行，并适合应用于系统微型化设计行业 (Small form-factor industrial) 及供热通风与空气调节系统 (HVAC) 控制。

新产品特别适合应用于极纤巧的便携式产品设计，例如智能手机、平板电脑及数码相机。首批MOSFET系列九款产品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。

关键字：Diodes 编辑：eric 引用地址：Diodes新型 MOSFET离板高度减半

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