Diodes 全新3.5A 同步降压转换器可有效降低高频辐射 EMI 噪声-电子工程世界

AP6435xQ 完全整合 75mΩ 高侧电源 MOSFET 和 45mΩ 低侧电源 MOSFET，提供高效率的 DC-DC 降压转换功能。AP6435xQ 采用闸极驱动器/自举式设计，使装置可在低压差 (LDO) 模式下运作，允许接近 100% 的占空比。

负载电流接近零时，装置为提升效率便会进入脉冲频率调变 (PFM) 模式，静态电流仅 22μA。本系列装置亦采用频率展频 (FSS) 技术，具 ±6% 的切换频率抖动以及专有的闸极驱动器机制，能有效降低 MOSFET 切换产生的高频辐射 EMI 噪声。

AP64350Q、AP64351Q 及 AP64352Q 三者各具特色，以略微不同的方式将效能优化。AP64350Q 与 AP64352Q 具有可调整的切换频率 (100kHz 至 2.2MHz)，更可与外部时钟同步，还提供设计弹性，可为切换频率在 AM 带宽外的精巧外型解决方案提供极高效率低频模式或高频模式的选择。AP64351Q 与 AP64352Q 具有能降低涌浪电流的可编程软启动功能，而 AP64350Q 与 AP64351Q 的外部补偿可将回路响应优化。

AP64350Q、AP64351Q 与 AP64352Q 符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范，支持 PPAP 文件，并由 IATF 16949 认证的设施制造。装置采用 SO-8EP 封装。

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