数字示波器的计算功能是数字示波器最有趣的功能之一,可以简化和扩展对热插拔与负载切换电路的分析。巧用示波器的计算功能可以得出负载电容或MOSFET在导通和关断时的瞬时功耗,这些参数对于设计和分析热插拔与负载切换电路非常有意义,如果没有示波器计算功能,这类参数只能做近似估计。
本篇应用笔记介绍如何利用示波器检测热插拔电路MOSFET功耗和负载电容的精确值。
设置示波器
简化起见,我们用图1所示的MAX5976热插拔电路来做演示,其内置的检流功能和带驱动的MOSFET构成了一个完整的电源切换电路 (下面的测试方法同样适用于由分立元件搭的热插拔控制电路)。按图1所示方式将示波器探头连至热插拔电路,示波器即可获取计算所需信号,两个电压探头分别接输入和输出,用于检测MOSFET两端压降,电流探头用来检测流过MOSFET的电流。
图1 示波器探头连至MAX5976或MAX5978热插拔电路,示波器则利用测试结果进行计算。
这个基本连接方式同样适用于非集成的热插拔电路。测试输入和输出电压的探头分别接到MOSFET的前面和后面(MAX5976的MOSFET在内部,MAX5978则是外置MOSFET),电流探头要与电路检流电阻串联。为了测到流经开关元件的精确电流值,电流探头应该放在输入电容后,输出电容前的位置。
MOSFET功耗
开关器件(通常是n沟道 MOSFET)的功耗等于漏极/源极电压差(VDS)与漏极电流(ID)的乘积。图1中,VDS是通道2和通道1的差,ID是电流探头直接测量的结果。我们用的示波器(Tektronix® DPO3034)有一个专门的计算通道,可以通过如下(图2)菜单配置。
图2 DPO3034 数字示波器的高级计算菜单可以直接编辑计算公式
通过简单编辑一个公式,实现通道1与通道2之差乘以电流探头测得的值,从而得出MOSFET功耗。当热插拔电路使能后,输出电压以dV/dt的斜率接近输入电压,流经MOSFET的输出电容充电电流(ID)为:
ID = COUT × dV/dt
当输出电容为360µF,VIN = 12V时,MOSFET导通瞬间示波器屏幕截图如图3a所示。MAX5976将瞬时浪涌电流限制在2A。注意功率波形是一个下降的斜坡,开始于12V × 2A = 24W,当输出电压升至12V时降至0W,热插拔电路以恒定电流为负载电容充电,这正是我们所期望的。
如此方式测得的功率波形可用来判断MOSFET是否工作在其安全工作区(SOA),或根据数据资料的相关图表估算MOSFET结温的温升。根据实测波形直接进行计算的误差要小很多。另外,即使如图3b所示的浪涌电流和dV/dt都不是常数,功耗的测量波形依然精确。
图3a 图1电路中的MOSFET功耗 (红色波形),COUT=360µF,浪涌电流被限制在2A。
图3b 浪涌电流和dV/dt都不是常数时,测得的功耗波形依然精确。此处的浪涌电流就没有限流。
图4 对功率积分可以得出图1电路中MOSFET在开启阶段的总能耗
如果示波器支持积分功能, 则能进一步得出MOSFET在任何高耗能事件中的实际总能耗。图4新增红色曲线为利用示波器积分功能计算出MOSFET消耗的能量信息。
如图3a所示,COUT为360µF,浪涌电流被限制在2A。由于功率在MOSFET开启的2ms内是一个三角形状,可以算出大约有24W/2×2ms=24mJ的能量变成了热。可以看出,当MOSFET开启结束时,示波器积分功能计算出的能量数据就是24mWs (=24mJ)!
此类功能还适用于分析MOSFET的其它瞬态事件,如关断,短路或过载。如此详尽的功率和能量数据可用来精确分析MOSFET瞬态事件发生时的SOA和温度特性。
测量负载电容
数字示波器计算功能中的积分功能还可用来测量热插拔电路中的负载电容。假设不考虑电路阻抗对电流的影响,则负载电容值等于电容电压每变化一伏改变的电量;而电量就是电流对时间的积分。因此,对热插拔电路浪涌电流除以输出电压的值进行积分,数字示波器就可以精确计算出负载电容值大小。图5a中,热插拔控制器输出有三个10µF陶瓷电容。由于作为分母的电压初始值为零,所以计算曲线的开始阶段没有任何实际意义。但VOUT超过伏后,计算出的电容值大约为27µF。可以看出,尽管示波器的功能已经十分强大,但仍不能如我们所希望的那样正确显示电容值单位!
图5b的测试和图5a相同,但在输出电容处增加了一个330µF电解电容,当MOSFET开启结束时,可以看到示波器显示结果恰好就是360µF,正是我们所期望的。注意阻性负载会降低电容测试的精度,因为它会分流进入电容的电荷。但对于瞬态时间分析,结果依然非常有用。
图5a 当COUT=30µF时,图1电路测得的输出电容值
图5b 当COUT=30µF+330µF时,图1电路测得的输出电容
上一篇:液晶电视用PFC/PWM组合IC提供优化的功率密度
下一篇:线圈中电流计算及线径选择
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:51
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- Vicor高性能电源模块助力低空航空电子设备和 EVTOL的发展
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源
- USB Type-C® 和 USB Power Delivery:专为扩展功率范围和电池供电型系统而设计
- 景昱医疗耿东:脑机接口DBS治疗技术已实现国产替代
- 首都医科大学王长明:针对癫痫的数字疗法已进入使用阶段
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- 兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书
- 新型IsoVu™ 隔离电流探头:为电流测量带来全新维度
- 英飞凌推出简化电机控制开发的ModusToolbox™电机套件
- 意法半导体IO-Link执行器电路板为工业监控和设备厂商带来一站式参考设计
- Melexis采用无磁芯技术缩小电流感测装置尺寸
- 千丘智能侍淳博:用数字疗法,点亮“孤独症”儿童的光
- Microchip直播:单片机编程不再难, 利用MPLAB®代码配置器(MCC)实现快速开发
- 有奖直播|TI DLP® 技术在AR HUD及车内显示应用的展望
- 乐鑫ESP32-Korvo音频开发板免费测评试用
- 【专题】TI MSP430FR59xx——将低功耗设计进行到底!
- 解锁 TE 掌上信息智库,获取一站式资源!
- TE助力数据中心设计,缩短你与奥运的距离,猜猜它属于哪个“奥运场馆”赢大礼!
- [直播预报名] TI 最新蓝牙技术培训,2017 震撼首发!
- 答疑专场:模拟世界的最重要构成——信号链与电源
- 免费测评| TDK-Lambda 电源降压模块
- 【免费申请】英飞凌PSoC 62S4 先锋套件 (CY8CKIT-062S4)