内置的P-沟道降压DC/DC控制器-电子工程世界

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XCM526系列是内装了通用降压DC/DC控制器IC和P-沟道功率 MOSFET的多重实装IC。内置的P-沟道功率 MOSFET是低导通电阻高速开关型, 与降压DC/DC控制器组合能提供输出电流达到3A的高效率且稳定的电源。此外作为负载电容能使用低ESR钽电容(OS-CON?Neo 电容等)。(使用陶瓷电容时, 需要插入RSENSE)

　　内置了0.9V的基准电压源, 能由外部电阻任意设定输出电压。

　　能从重视高效率的300kHz, 可使外置元件小型化的1MHz, 两者之间的500kHz之中选择开关频率。

　　能从采用频率固定, 小纹波的PWM控制(XCM526A), 在轻负载时工作于PFM控制, 从轻负载到重负载整个频率范围内实现高效率的PWM/PFM自动转换控制方式(XCM526B)之中选择工作模式。

　　能从由内部设定为4ms方式, 需要更加延长时由外部设定方式之中选择软启动时间。

　　内置了UVLO功能当输入电压在2.3V(TYP)以下时, 能强制停止内部P沟道驱动晶体管工作。

　　特点：

　　典型电路：

关键字：内置 P-沟道降压编辑：探路者引用地址：内置的P-沟道降压DC/DC控制器

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