1-4-2.并联式开关电源输出电压滤波电路
上面已经知道,当并联式开关电源不带输出电压滤波电路时,输出脉冲电压的幅度将非常高。但在应用中,大多数并联式开关电源输出电压还是经过整流滤波后的直流电压,因此,一般开关电源的输出电路都带有整流滤波电路。
图1-12是带有整流滤波功能的并联式开关电源工作原理图。图1-12中,Ui是开关电源的工作电压,L是储能电感,eL为电流iL在储能电感两端产生的反电动势,K是控制开关,R是负载。而图1-13、图1-14、图1-15分别是并联式开关电源控制开关K工作于占空比为0.5、< 0.5、> 0.5时,图1-12电路中各点的电压、电流波形。图图1-13、图1-14、图1-15中Ui是开关电源的输入电压,uo是控制开关K两端的输出电压,uc是滤波电容两端的输出电压,Up是开关电源输出的峰值电压,Uo是开关电源输出电压(平均值),Ua是开关电源输出的平均电压,iL是流过储能电感L的电流,iLm是流过储能电感L电流的最大值,Io是流过负载R的电流(平均值)。
当控制开关K接通时,输入电源Ui开始对储能电感L加电,流过储能电感L的电流iL开始增加,同时电流在储能电感中也要产生反电动势eL;当控制开关K由接通转为关断的时候,储能电感也会产生反电动势eL。eL反电动势的方向与开关K关断前的方向相反,但与电流的方向相同,因此,在控制开关K两端的输出电压uo等于输入电压Ui与反电动势eL之和。
因此,在Ton期间:
eL = Ldi/dt = Ui —— K接通期间 (1-43)
0.5">
对上式进行积分,可求得流过储能电感L的电流为:
(1-44)式中iL为流过储能电感L电流的瞬时值,t为时间变量;i(0)为的初始电流,即:控制开关K接通瞬间之前,流过储能电感L中的电流。当开关电源工作于临界连续电流状态时,i(0) = 0 ,由此可以求得流过储能电感L的最大电流为:
iLm =Ui*Ton/L —— K关断前瞬间 (1-45)
在开关关断Toff期间,控制开关K关断,储能电感L把电流iLm转化成反电动势,与输入电压Ui串联迭加,通过整流二极管D继续向负载R提供能量,在此期间储能电感L两端的电压eL为:
eL = -Ldi/dt = Uo-Ui —— K关断期间 (1-46)
式中负号表示反电动势eL的极性与(1-43)式相反,即:K接通与关断时电感的反电动势的极性正好相反。对(1-46)式进行积分得:
式中i(Ton+)为控制开关K从Ton转换到Toff的瞬间之前流过电感的电流,i(Ton+)也可以写为i(Toff-),即:控制开关K关断或接通瞬间,之前和之后流过电感L的电流相等。实际上(1-47)式中的i(Ton+)就是(1-45)式中的iLm,因此,(1-9)式可以改写为:
当开关电源工作于临界连续电流状态时,流过储能电感的初始电流i(0)等于0(参看图1-13),即:(1-49)式中流过储能电感电流的最小值iLX等于0。因此,由(1-45)和(1-49)式,可求得反转式串联开关电源输出电压Uo为:
一般,并联式开关电源的输出电压Uo都是取自输出电压uo脉冲电压的幅值Up ,经整流滤波以后储能滤波电容C两端的输出电压基本就是Up ,即:
Up = Uo —— 并联式开关电源 (1-51)
这里特别指出:(1-50)和(1-51)式的结果,虽然是以开关电源工作于临界连续电流状态的条件求得,但对于开关电源工作于连续电流状态或断流状态同样成立,因为,输出电压Uo只取其峰值电压Up,而不是取其平均值。
另外,并联式开关电源输出电压uo的平均值Ua与输入电压的大小相等,即:
Ua = Ui —— 并联式开关电源 (1-52)
由于其输出电压uo的幅值等于输入电压Ui与储能电感L产生反电动势eL之和,因此,并联式开关电源一般都是取其输出电压uo的幅值Up作为输出(电压幅值的提取方法留待后面详细讨论)。所以,并联式开关电源属于升压型开关电源。虽然并联式开关电源输出电压的幅度比输入电压可以提高,但其输出电压的平均值Ua与控制开关K的占空比D的大小无关,即:并联式开关电源输出电压的平均值Ua永远等于输入电压Ui 。
上一篇:ADC需要考虑的交调失真因素
下一篇:开关电源原理与设计(连载十)并联开关电源储能电感的计算
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:28
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC