主动PFC一般出现在双管正激以及更加高端的拓扑结构中。下面就来讲讲这种很流行的双管正激+主动PFC+3.3V单磁放大拓扑。
典型双管正激拓扑
双管正激其实在结构上最明显的就是多了一个开关管,图中红框为双开关管。双管正激不仅采用了主动PFC提升了转换效率之外。当开关管关断时,两个开关管将承受本来一个管的能量。简单理解就是单个管的电压下降到单管正激的一半。有效防止开关管过载烧毁。
磁放大线圈
磁放大可以看主变压器附近的磁芯电感个数,一个就是单路,两个就是双路;也可以根据二次侧电感来判断:单路磁放大是12V和5V共用一个大的储能电感,可以看出线圈有两组不同的颜色的绕组,余下一个是3.3V电感;双路磁放大三路分别为+12V、+5V、+3.3V各一个电感,其中5V和3.3V用的电感规格一般相同。利用磁放大的方式处理3.3V和5V的,或者单独用3.3V单路磁放大,或者用3.3V和5V双路的磁放大,使用双路磁放大的电源最大的优势在于12V、5V、3.3V三路互不干扰,因而+5V和+3.3V输出电压的调节性能更好。
双管正激+主动PFC+单磁放大的拓扑结构是现在500W及以下的电源中最常见的结构,已经非常成熟,可靠的稳定性以及良好的成本控制是其优势。
而双磁放大拓扑结构是双管正激单磁放大拓扑的一个升级的版本。顾名思义,其特点就是多了一个磁放大线圈。其作用前文也提到过,将3.3V 5V 12V分开,完全隔离,提升输出的平稳性。
双磁放大结构
例如,上图红圈处,比单磁放大的拓扑多一个磁放大线圈,成本固然要高一点。但是双磁放大的优势也是明显的。在磁放大的电源中,这种拓扑结构属于比较成熟完美的一种。 这种拓扑结构则普遍应用于高端货了。除了有正激双管的优点外还有整流以及直流对直流变压。可以说性能已经相当不俗。
顶级货做工自然不俗
所谓同步整流是采用MOS管取代传统的肖特基整流二极管以降低整流损耗的技术。当需要原边往副边传输能量的时候,副边相应的MOS管就打开,让电流流过,反之,不需要传输能量的时候,MOS管则关断,阻止电流流过。而采用MOS管做整流时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,所以叫同步整流。多应用在大电流低电压情况下。而5V/3.3V采用 DC-DC 直流降压生成,目的跟采用同步整流一样,是用来提高电源效率的其中一种手段。DC/DC变换是将原直流电通过调整其PWM(占空比)来控制输出的有效电压的大小。可分为升压式的BOOST拓扑结构和降压式的BUCK拓扑结构。而在很多情况下,在电源内部使用同步整流技术来提高效率的,或多间都有DC/DC 模块。
作为双管正激的完全体,该拓扑的效率可以说非常之好,通过各种80PLUS不在话下。上图为思民1000-HP的千瓦产品,使用该种拓扑,轻松通过80PLUS银牌。侧面证明这种拓扑结构的成熟性与优越性。
上一篇:教你一款简易的稳压电源DIY设计
下一篇:电源拓扑结构之入半桥结构及门级正激结构
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:32
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC